mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRS2128STRPBF-JSM 编号：C41421793

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电机控制和驱动，电动汽车快速充电。

1+
￥4.62
10+
￥4.17
30+
￥3.93
100+
￥3.65

有货

立即购买

型号：IR2113-MNS 编号：C47967296

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥5
10+
￥4.05
25+
￥3.57
100+
￥3.1
500+
￥2.82
1000+
￥2.67

有货

立即购买

型号：COS4420SR 编号：C5175412

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

6A，4.5V-25V，单通道，同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

1+
￥5.15
10+
￥4.07
30+
￥3.53
100+
￥2.99
500+
￥2.67
1000+
￥2.5

有货

立即购买

型号：UCC27323DR 编号：C2677152

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2732x和UCC3732x系列高速双路MOSFET驱动器提供4A峰值拉电流和4A峰值灌电流，以在米勒平坦区域提供最需要的高效MOSFET驱动。独特的双极和MOSFET混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。提供了3个标准逻辑选项的组合-双路反相、双路向相、一路反相和一路间相。

数据手册

1+
￥5.21
10+
￥4.47
30+
￥3.94
100+
￥3.51

有货

立即购买

型号：TFB0504-NHP 编号：C7436033

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.26
10+
￥4.27
30+
￥3.77
100+
￥3.28

有货

立即购买

型号：IR2127STRPBF-JSM 编号：C7432818

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IR2127S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

1+
￥5.699 ￥6.95
10+
￥4.6658 ￥5.69
30+
￥4.1 ￥5
100+
￥3.4604 ￥4.22
500+
￥3.1734 ￥3.87
1000+
￥3.0422 ￥3.71

有货

立即购买

型号：LTC7001IMSE-JSM 编号：C44606290

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

1+
￥6.2
10+
￥5.12
30+
￥4.53
100+
￥3.86

有货

立即购买

型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

1+
￥6.2605 ￥6.59
10+
￥5.073 ￥5.34
30+
￥4.4745 ￥4.71
100+
￥3.8855 ￥4.09
500+
￥3.534 ￥3.72
1000+
￥3.344 ￥3.52

有货

立即购买

型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

1+
￥6.632 ￥8.29
10+
￥6.128 ￥7.66
30+
￥5.816 ￥7.27
100+
￥4.696 ￥5.87
500+
￥4.544 ￥5.68
1000+
￥4.48 ￥5.6

有货

立即购买

型号：MC33152VDR2G 编号：C233740

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥6.64
10+
￥5.95
30+
￥5.57
100+
￥5.14
500+
￥4.95

有货

立即购买

型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥7.19
10+
￥6.08
30+
￥5.46
100+
￥4.77
500+
￥4.18

有货

立即购买

型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET

1+
￥8.63
10+
￥7.71
30+
￥6.84

有货

立即购买

型号：UCC27614DSGR 编号：C4154867

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

数据手册

1+
￥8.78
10+
￥7.33
30+
￥6.53
100+
￥5.62
500+
￥5.22

有货

立即购买

型号：IRS21844STRPBF-JSM 编号：C7498968

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥9.1675 ￥9.65
10+
￥7.6285 ￥8.03
30+
￥6.783 ￥7.14
100+
￥5.8235 ￥6.13
500+
￥5.4055 ￥5.69
1000+
￥5.206 ￥5.48

有货

立即购买

型号：DRV8702QRHBRQ1 编号：C181608

封装：HVQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702-Q1 汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥10.1
10+
￥8.46
30+
￥7.56

有货

立即购买

型号：1EDI60N12AF 编号：C454268

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式MOSFET驱动器。输入到输出隔离电压高达1200 V。适用于高压功率MOSFET。轨到轨输出的典型峰值电流高达10 A。独立的源极和漏极输出。电流隔离核心

数据手册

1+
￥11.31
10+
￥9.64
30+
￥8.59
100+
￥7

有货

立即购买

型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

数据手册

1+
￥12.0714 ￥12.98
10+
￥9.9185 ￥11.95
30+
￥8.2563 ￥11.31
100+
￥7.7745 ￥10.65
500+
￥7.5555 ￥10.35
1000+
￥7.4606 ￥10.22

有货

立即购买

型号：IXDI609SIA 编号：C1549670

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

数据手册

1+
￥12.52
10+
￥10.56
30+
￥9.33
100+
￥8.07
500+
￥7.51

有货

立即购买

型号：1EDB8275FXUMA1 编号：C17236640

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术实现隔离。具有严格的时序规格，适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。

1+
￥13.01
10+
￥10.89
30+
￥9.56
100+
￥8.21

有货

立即购买

型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

1+
￥13.8043 ￥18.91
10+
￥10.1682 ￥16.14
30+
￥7.632 ￥14.4
100+
￥6.6886 ￥12.62
500+
￥6.2646 ￥11.82
1000+
￥6.0791 ￥11.47

有货

立即购买

型号：LM5060Q1MM/NOPB 编号：C2653802

封装：VSSOP-10

品牌：TI(德州仪器)

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

数据手册

1+
￥16.66
10+
￥14.34
30+
￥12.89
100+
￥11.41

有货

立即购买

型号：DRV8244HQDGQRQ1 编号：C6183904

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

1+
￥30.26
10+
￥26.98
30+
￥24.89
100+
￥22.86

有货

立即购买

型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

数据手册

1+
￥56.0032 ￥65.12
10+
￥55.2636 ￥64.26
30+
￥53.9736 ￥62.76
100+
￥52.847 ￥61.45

有货

立即购买

型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310

封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)

品牌：TI(德州仪器)

集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。

数据手册

1+
￥93.98
10+
￥85.2
30+
￥82.01

有货

立即购买

型号：LKS561 编号：C2798405

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V，可承受瞬时负压，芯片电源供电范围 10~25V，有欠压保护功能，输入电平3.3/5/15V 兼容，双通道延时匹配。

数据手册