mos驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FD2103S 编号：C5187182

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2103C&S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。

数据手册

5+
￥1.0125
50+
￥0.7678
150+
￥0.6454
500+
￥0.5536

有货

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型号：U2115C 编号：C41374691

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥1.1608
50+
￥0.9088
150+
￥0.8008

有货

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型号：GHD1620T 编号：C53153131

封装：SOP-8

品牌：Geehy(极海半导体)

600耐压，集成自举二极管，单相2N栅极驱动器

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175

有货

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型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211

有货

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型号：COS1415 编号：C7190312

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单反相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

5+
￥1.5193
50+
￥1.1909
150+
￥1.0501
500+
￥0.8745
3000+
￥0.7963
6000+
￥0.7494

有货

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型号：NCP81062MNTWG 编号：C154581

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

数据手册

1+
￥1.564 ￥2.3
10+
￥1.1716 ￥2.02
30+
￥0.912 ￥1.9
100+
￥0.8448 ￥1.76
500+
￥0.8112 ￥1.69
1000+
￥0.792 ￥1.65

有货

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型号：TPK20I4US5 编号：C51939652

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

5+
￥1.624576 ￥2.1376
50+
￥1.27604 ￥1.679
150+
￥1.126624 ￥1.4824
500+
￥0.940272 ￥1.2372
3000+
￥0.85728 ￥1.128
6000+
￥0.8075 ￥1.0625

有货

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型号：HX4423-S 编号：C19186049

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4423/4424/4425系列是一款高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器，在改进功能的同时，提供了比HX4426/4427/4428更高的输出电流版本。这些系列引脚兼容，HX4423/4424/4425驱动器专门设计用于要求更苛刻的电气环境，在额定功率和电压范围内的任何条件下都能提供可靠的服务。无论极性如何，它们都能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰

1+
￥1.647 ￥1.83
10+
￥1.44 ￥1.6
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￥1.35 ￥1.5
100+
￥1.233 ￥1.37
500+
￥1.188 ￥1.32
1000+
￥1.161 ￥1.29

有货

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型号：G2060 编号：C7421051

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.5/1.8A

1+
￥1.65
10+
￥1.43
30+
￥1.33
100+
￥1.21
500+
￥1.16
1000+
￥1.13

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型号：SS6209L-SO-TP 编号：C5370900

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

数据手册

5+
￥1.7487
50+
￥1.3707
150+
￥1.2087
500+
￥1.0066
2500+
￥0.9166
4000+
￥0.8625

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型号：HL6288Q 编号：C50331902

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HL(富海微)

耐压最高250V，输出驱动电流1.5A/1.8A，内置 200ns 死区时间，带上下电保护、欠压保护，QFN-24

5+
￥1.917
50+
￥1.5138
150+
￥1.341
500+
￥1.1254
2500+
￥1.0054
6000+
￥0.9477

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型号：SLM2106BCA-13GTR 编号：C883214

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

数据手册

5+
￥2.0117
50+
￥1.5732
150+
￥1.3853
500+
￥1.1524

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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

5+
￥2.0174
50+
￥1.5638
150+
￥1.3694
500+
￥1.1269

有货

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型号：IRS2003STRPBF-JSM 编号：C7432831

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

5+
￥2.0268 ￥2.252
50+
￥1.58292 ￥1.7588
150+
￥1.39275 ￥1.5475
500+
￥1.15542 ￥1.2838
2500+
￥1.04976 ￥1.1664
4000+
￥0.98631 ￥1.0959

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型号：SFD2606S 编号：C44606284

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SFD2606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SFD2606S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.0714
50+
￥1.6178
150+
￥1.4234
500+
￥1.1809

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型号：SL2004 编号：C20539710

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥2.104 ￥2.63
10+
￥1.656 ￥2.07
30+
￥1.464 ￥1.83
100+
￥1.216 ￥1.52
500+
￥1.112 ￥1.39
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￥1.048 ￥1.31

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型号：HX4427-S 编号：C19186053

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4426/4427/4428系列双低侧MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。这与双极型器件不同，双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

5+
￥2.14389 ￥2.3821
50+
￥1.69488 ￥1.8832
150+
￥1.50237 ￥1.6693
500+
￥1.26225 ￥1.4025
2500+
￥1.15533 ￥1.2837
5000+
￥1.09116 ￥1.2124

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型号：SL27525 编号：C2690327

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

双通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

1+
￥2.352 ￥2.94
10+
￥1.832 ￥2.29
30+
￥1.608 ￥2.01
100+
￥1.328 ￥1.66
500+
￥1.2 ￥1.5
1000+
￥1.128 ￥1.41

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型号：MIC4425YM-HX 编号：C53326724

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MIC4425YM-HX 为高可靠 BiCMOS/DMOS 缓冲/驱动/MOSFET 驱动器，具高峰值电流、低功耗和快速开关能力，耐地线±5V噪声。适合驱动功率 MOSFET 及电容、电感等负载，易用稳定，适用于严苛电气环境

1+
￥2.385 ￥2.65
10+
￥1.89 ￥2.1
30+
￥1.674 ￥1.86
100+
￥1.404 ￥1.56
500+
￥1.287 ￥1.43
1000+
￥1.215 ￥1.35

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型号：HX34152-S 编号：C41399167

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

1+
￥2.385 ￥2.65
10+
￥2.115 ￥2.35
30+
￥1.98 ￥2.2
100+
￥1.845 ￥2.05
500+
￥1.764 ￥1.96
1000+
￥1.728 ￥1.92

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型号：HX33151-S 编号：C41399168

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX33151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

1+
￥2.385 ￥2.65
10+
￥2.115 ￥2.35
30+
￥1.98 ￥2.2
100+
￥1.845 ￥2.05
500+
￥1.764 ￥1.96
1000+
￥1.728 ￥1.92

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型号：HX2110-S 编号：C41399164

封装：WSOP-16

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX2110-S/HX2113-S 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

1+
￥2.538 ￥2.82
10+
￥2.25 ￥2.5
30+
￥2.115 ￥2.35
100+
￥1.971 ￥2.19
500+
￥1.881 ￥2.09
1000+
￥1.845 ￥2.05

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型号：U6310 编号：C41374698

封装：SSOP-24

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动，同时也集成了12V LDO控制电路和MCU的供电5.0V LDO，简化了整个供电系统。内置比较电路，可用于电流过流检测，简化外围应用电路。内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.5A/- 1.8A。集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高dv/dt噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。

1+
￥2.54
10+
￥2
30+
￥1.77
100+
￥1.48
500+
￥1.35

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型号：TPK21E4US5 编号：C51939654

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是一款紧凑型栅极驱动器，可出色替代 NPN 和 PNP 分立驱动器（缓冲电路）解决方案。适用于 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件（如 GaN），适合高速应用。其不对称的 4A 峰值源电流和 8A 峰值灌电流可增强对寄生米勒导通效应的免疫力。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性可增强瞬态抗扰度。

1+
￥2.622 ￥3.45
10+
￥2.1052 ￥2.77
30+
￥1.8544 ￥2.44
100+
￥1.596 ￥2.1
500+
￥1.444 ￥1.9
1000+
￥1.368 ￥1.8

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型号：SDH2103U 编号：C44606285

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2103U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2103U采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
10+
￥2.18
30+
￥1.92
100+
￥1.6

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型号：SDH2106U 编号：C44606232

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2106U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
10+
￥2.18
30+
￥1.92
100+
￥1.6

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型号：HX4426-P 编号：C19186058

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4426/4427/4428系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出