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封装：TO-220-5

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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型号：1ED3123MU12HXUMA1 编号：C17449724

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

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型号：NCV7723DQBR2G 编号：C904666

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：MPQ6528GVE-AEC1-Z 编号：C6097576

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC，可在 5V 至 60V 宽输入电压（VIN）范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源（VREG），自举（BST）电容为高端 MOSFET（HS-FET）驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下，内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护、可调死区时间（DT）控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28（4mmx5mm）封装。

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型号：BTM7740G 编号：C75776

封装：SOIC-28

品牌：Infineon(英飞凌)

BTM7740G 是 TrilithIC 系列产品的一员，该系列产品在一个封装中集成了三个芯片：一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚，因此 BTM7740G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTM7740G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造，该技术将低导通电阻（RDSON）的垂直 DMOS 功率级与用于控制、保护和诊断的 CMOS 电路相结合。

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型号：LTC7000EMSE#TRPBF 编号：C690074

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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型号：IXDN630MYI 编号：C1549561

封装：TO-263-5

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，并且该驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

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型号：LKS570 编号：C22447892

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS570 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +250V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

单价：
￥0.3596 / 个

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型号：NSG3021 编号：C53436444

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：NSG3022 编号：C53436479

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：NSG6000R 编号：C53436445

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥0.47754 ￥0.5306
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型号：NSG531 编号：C53436481

封装：SOT-23-5

品牌：NCE(无锡新洁能)

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￥0.47754 ￥0.5306
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型号：BDR6300 编号：C5349299

封装：SOP-16

品牌：巴丁微

是一款三相直流无刷驱动芯片。可直接驱动三路 NMOS + PMOS 半桥，电路内部集成了稳定的 5V 输出电源。

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型号：NSG531 编号：C46473174

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG531是一款通用的功率开关控制器，可以替代由分立元件组成的推挽电路，可以直接驱动IGBT，功率MOSFET，继电器等功率开关。SOT23-5封装，简单小巧。

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￥0.8023
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型号：U2115D 编号：C41374692

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115D/U2116D可在高达+200V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可将驱动器的交叉导通降至最低

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型号：NSG2005 编号：C7421054

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

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￥0.8574
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￥0.7488
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￥0.7022
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型号：FD2103S 编号：C5187182

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2103C&S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。

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5+
￥1.0125
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￥0.7678
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型号：U2115C 编号：C41374691

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥1.1608
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型号：GHD1620T 编号：C53153131

封装：SOP-8

品牌：Geehy(极海半导体)

600耐压，集成自举二极管，单相2N栅极驱动器

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￥1.2123
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￥0.9603
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￥0.8523
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￥0.7175

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型号：NSG2003 编号：C41414480

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥1.2144
50+
￥0.9535
150+
￥0.8418
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￥0.7023
2500+
￥0.6402

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型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.3921
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￥1.2031
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￥1.1221
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￥1.0211

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型号：NSG0761 编号：C52975937

封装：SSOP-24

品牌：WXNSIC(国硅集成)

5+
￥1.4943
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￥1.1813
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￥1.0471
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￥0.8798
2500+
￥0.8053
4000+
￥0.7605

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型号：COS1415 编号：C7190312

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单反相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥1.5193
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￥1.1909
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￥1.0501
500+
￥0.8745
3000+
￥0.7963
6000+
￥0.7494

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型号：NSG27526 编号：C41414520

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道、四输入（INA.B+&INA.B-）、拉/灌电流：4/4A

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￥1.601
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￥1.3981
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￥1.3112
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￥1.2027
2500+
￥1.1544

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型号：TPK20I4US5 编号：C51939652

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥1.624576 ￥2.1376
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￥1.27604 ￥1.679
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￥1.126624 ￥1.4824
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￥0.940272 ￥1.2372
3000+
￥0.85728 ￥1.128
6000+
￥0.8075 ￥1.0625

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型号：HX4423-S 编号：C19186049

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4423/4424/4425系列是一款高度可靠的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器，在改进功能的同时，提供了比HX4426/4427/4428更高的输出电流版本。这些系列引脚兼容，HX4423/4424/4425驱动器专门设计用于要求更苛刻的电气环境，在额定功率和电压范围内的任何条件下都能提供可靠的服务。无论极性如何，它们都能承受接地引脚高达5V的噪声尖峰