安森美MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV8413DTRKG 编号：C904681

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

是一款三端受保护的低侧智能分立 FET。保护功能包括Δ热关断、过流、过温、ESD 以及用于过压保护的集成漏极到栅极钳位。该器件还通过栅极引脚提供故障指示。适用于恶劣的汽车环境。

数据手册

1+
￥12.65
10+
￥12.36
30+
￥12.17

有货

立即购买

预售商品

型号：MPIC2117P 编号：C3282365

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥4.37
200+
￥1.69
500+
￥1.63
1000+
￥1.61

订货

我要订货

型号：BSS138 编号：C52895

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产，用于最大限度地减少导通电阻，同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS138尤其适合低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。

数据手册

20+
￥0.3022
200+
￥0.2482
600+
￥0.2182
3000+
￥0.1311
9000+
￥0.1155
21000+
￥0.107

有货

立即购买

型号：BSS123 编号：C513249

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专利的高单元密度 DMOS 技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS123 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.4245
100+
￥0.3398
300+
￥0.2975
3000+
￥0.2657
6000+
￥0.2403
9000+
￥0.2276

有货

立即购买

型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

数据手册

5+
￥1.3407
50+
￥1.1725
150+
￥1.1005
500+
￥0.9448
2500+
￥0.9048
5000+
￥0.8808

有货

立即购买

型号：NDS7002A 编号：C74715

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.5597
100+
￥0.4404
300+
￥0.3807
3000+
￥0.3173
6000+
￥0.2815
9000+
￥0.2636

有货

立即购买

型号：FDS9435A 编号：C87670

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 25V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

5+
￥2.6298
50+
￥2.1093
150+
￥1.8862
500+
￥1.2933
2500+
￥1.1693
5000+
￥1.0949

有货

立即购买

型号：BSS138W 编号：C890266

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 N 沟道增强型 MOSFET。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS138W 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

5+
￥0.7872
50+
￥0.6159
150+
￥0.5303
500+
￥0.4661
3000+
￥0.4147
6000+
￥0.389

有货

立即购买

型号：NTMFS5C670NLT1G 编号：C179626

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.03
30+
￥1.77
100+
￥1.46
500+
￥1.32

有货

立即购买

型号：NTMD4840NR2G 编号：C97778

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。双SOIC-8表面贴装封装节省电路板空间。这是一个无铅器件。应用：磁盘驱动器。DC-DC转换器

数据手册

1+
￥3.28
10+
￥2.65
30+
￥2.38
100+
￥2.04
500+
￥1.89
1000+
￥1.8

有货

立即购买

型号：RFD14N05LSM9A 编号：C464112

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用 MegaFET 工艺生产的。此工艺使用接近 LSI 集成电路的特性尺寸，可实现硅的优化利用，因此性能非常出色。此类器件适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。此性能是通过一个特殊的门极氧化层设计实现的，该设计可在 3V 到 5V 电压内的门极偏置下提供全额定传导，因此可以真正实现直接从逻辑电平 (5V) 集成电路中的开关电源控制。之前的开发型号为 TA09870。

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥2.95
30+
￥2.65
100+
￥2.05
500+
￥1.88
1000+
￥1.78

有货

立即购买

型号：FDD86367 编号：C903589

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在VGS = 10V，ID = 80A时为3.3mΩ。典型总栅极电荷：在VGS = 10V，ID = 80A时为68nC。具有UIS能力。无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：动力总成管理。电磁阀和电机驱动器

数据手册

1+
￥9.04
10+
￥7.41
30+
￥6.52
100+
￥5.51
500+
￥5.06
1000+
￥4.86

有货

立即购买

型号：NTTFS4C10NTAG 编号：C352878

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。功率负载开关

数据手册

1+
￥1.79
10+
￥1.56
30+
￥1.45
100+
￥1.33
500+
￥1.24
1500+
￥1.2

有货

立即购买

型号：FDC5612 编号：C236886

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此，该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效能。

数据手册

5+
￥2.3644
50+
￥1.8352
150+
￥1.6084
500+
￥1.1653
3000+
￥1.0393
6000+
￥0.9637

有货

立即购买

型号：NDS9948 编号：C274609

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 20V) 的电源管理应用进行了优化。

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.25
30+
￥2.02
100+
￥1.73
500+
￥1.6
1000+
￥1.52

有货

立即购买

型号：FDS9945 编号：C94891

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此类 N 沟道逻辑电平 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，该 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体效率。

数据手册

1+
￥3.15
10+
￥2.46
30+
￥2.16
100+
￥1.8
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

立即购买

型号：2N7002 编号：C124475

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

数据手册

20+
￥0.2108
200+
￥0.1654
600+
￥0.1402
3000+
￥0.1251

有货

立即购买

型号：FDV304P 编号：C10884

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。

数据手册

10+
￥0.4166
100+
￥0.3331
300+
￥0.2914
3000+
￥0.2462
6000+
￥0.2212

有货

立即购买

型号：FDN5632N-F085 编号：C891117

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A。 RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A。 ID at VGS = 9.2 nC at VGS = 10 V。低米勒电荷。 UIS能力。符合AEC Q101标准。应用：DC/DC转换器。电机驱动器

数据手册

1+
￥4.32
10+
￥3.49
30+
￥3.08
100+
￥2.68
500+
￥2.43
1000+
￥2.31

有货

立即购买

型号：NTMFS015N10MCLT1G 编号：C900259

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。适用于初级DC-DC MOSFET。适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。适用于电机驱动。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

数据手册

1+
￥7.45
10+
￥6.28
30+
￥5.64
100+
￥4.92
500+
￥4.4

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示