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封装：SOIC-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A是早期TC4426/TC4427/TC4428系列MOSFET驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。当接地引脚出现高达5V的噪声尖峰（任何极性）时，它们不会受到损坏。它们能够承受高达500mA的反向电流（任何极性）被强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚都具有高达4kV的静电放电（ESD）保护。TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET驱动器能够在30ns内轻松对1000pF的栅极电容进行充电/放电。这些器件在导通和关断状态下都具有足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响。

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型号：NSG2128 编号：C41414527

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流：0.3/0.6A

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型号：IRS2128STRPBF-JSM 编号：C41421793

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于电机控制和驱动，电动汽车快速充电。

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型号：IRS21867STRPBF 编号：C52290

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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型号：IRS2113STRPBF-JSM 编号：C5804617

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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型号：LM2105DR 编号：C21316176

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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型号：ZXGD3105N8TC 编号：C177100

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3105N8同步控制器专为驱动MOSFET作为理想整流器而设计。此举旨在取代二极管，以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制会监测MOSFET的反向电压，这样一来，一旦发生体二极管导通，就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压

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型号：XJNG21531D 编号：C53190624

封装：SOP8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：MC33151PG-HX 编号：C52191376

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MC33151PG-HX/MC34151PG-HX是高耐用MOSFET驱动器，电流峰值1.5A，工作电压4.5~18V，快速开关(<40ns)，支持反向电流500mA和5V噪声，适用于MOSFET、压电执行器、同轴线和时钟线驱动

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型号：IR2113PBF-HX 编号：C52191356

封装：DIP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2113PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，支持3.3V逻辑输入，高边驱动可达600V，延时匹配适用于高频应用

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型号：FAN7392N-MNS 编号：C47967294

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

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型号：IRS20752LTRPBF 编号：C495818

封装：SOT-23-6L

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS20752是一款具有200V阻断和电平转换能力的单通道高端栅极驱动IC。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS20752具备较宽的 $\mathsf{V}_{\mathsf{CC}}$ 电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或V}_{\mathrm{S}}$ 开关环境下具有出色的抗干扰能力

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型号：IRS2186STRPBF-JSM 编号：C5804625

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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型号：COS4429SR 编号：C5175413

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

6A，4.5V-25V，单通道，反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器

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型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

单价：
￥5.09 / 个

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型号：TPS28225DR 编号：C52897

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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型号：M81740FP-JSM 编号：C44606287

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

M81740FP是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

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型号：UCC27516DRSR 编号：C3655221

封装：SON-6(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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型号：IR2127STRPBF-JSM 编号：C7432818

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IR2127S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

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￥5.699 ￥6.95
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型号：VOD3120AB-T 编号：C5236672

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

VOD3120A由一个砷铝化镓（AlGaAs）发光二极管（LED）与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可提供栅极控制型器件所需的驱动电压

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￥5.92
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型号：FAN73711MX 编号：C724808

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73711 一种单片高压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600 V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它拥有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于等离子显示面板、电机驱动逆变器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用中的维持和能量回收电路开关驱动器。

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￥6.105 ￥8.14
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型号：GG1000 编号：C41414493

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V 高边静态驱动，支持100%占空比

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￥6.17
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￥3.59
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型号：TF2118-TAH 编号：C20616230

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高边高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：TF21084-TUH 编号：C2683762

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.67
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￥6.04
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￥5.7
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型号：MCP1401T-E/OT 编号：C2676948

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1401/02 是高速 MOSFET 驱动器，能够提供 500 mA 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

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￥6.93
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￥5.76
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￥5.11

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型号：IR21364STRPBF-JSM 编号：C17701724

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥7.072 ￥8.32
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￥5.1765 ￥6.09
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￥4.42 ￥5.2
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￥4.08 ￥4.8
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￥3.927 ￥4.62

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型号：IXDN602SIATR 编号：C431679

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDF602/IXDI602/IXDN602双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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￥7.1
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￥5.88
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￥5.21
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￥4.45
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￥4.11

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型号：IRS21834STRPBF-JSM 编号：C17701723

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.488 ￥8.32
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￥6.192 ￥6.88
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￥5.481 ￥6.09
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￥4.68 ￥5.2
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￥4.32 ￥4.8
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￥4.158 ￥4.62

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型号：FS256AQ 编号：C2875459

封装：QFN-17L(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FS256AQ是一款高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块，内置2个600V/5A快恢复功率MOS管和高压半桥栅极驱动电路，主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。FS256AQ内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压工作。其内置输入滤波和输入直通防止功能，防止输入噪声干扰。FS256AQ采用QFN-7*7封装，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机以及紧凑安装的场合。

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￥7.51
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￥6.26
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￥5.58
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￥4.81
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型号：1EDI20I12MF 编号：C533016

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离IGBT驱动器。适用于600 V/1200 V IGBT。轨到轨输出典型峰值电流高达6 A。有源米勒钳位。电流隔离无芯变压器驱动器

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