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具有 8V UVLO、35V VDD 和分离输出的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 125

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型号：ADP3624ARDZ-RL 编号：C659198

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

ADP362x/ADP363x 是一系列大电流双高速驱动器，能够驱动两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该系列产品采用行业标准封装尺寸，同时具备高速开关性能并提高了系统可靠性。该系列产品内置温度传感器，提供两级过温保护，即过温警告和在极端结温下的过温关断功能

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型号：TF21834M-TUH 编号：C5382739

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS21844STRPBF-JSM 编号：C7498968

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：TLE94106ESXUMA1 编号：C2653437

封装：TSDSO-24

TLE94106ES是一款具备保护功能的六路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风与空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

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型号：MP1921HS-A-LF-Z 编号：C7304239

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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型号：TC4420EPA 编号：C640742

封装：PDIP-8

是6A（峰值）、单输出MOSFET驱动器，其中一款为反相驱动器，另一款为同相驱动器。采用CMOS制造，与双极驱动器相比，功耗更低，运行更高效。输入与TTL/CMOS兼容，输入电压可高至VDD + 0.3V或低至-5V，不会对器件造成干扰或损坏，无需外部电平转换电路，节省成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭时序期间。传播延迟时间仅为55 ns（典型值），在整个可用电源范围内，2500 pF负载下的输出上升和下降时间仅为25 ns（典型值）。与其他驱动器不同，几乎不会发生闩锁效应。可替代三个或更多分立元件，节省PCB面积和元件数量，提高整体系统可靠性。

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型号：HX293E-P 编号：C47002284

封装：DIP-20

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

四通道推挽驱动器，每通道可提供高达1A的输出电流，TTL兼容逻辑输入独立控制每个通道，确保精确可靠运行。每对驱动器（全桥）配有抑制输入，可同时关闭四个晶体管，提高控制灵活性和安全性，适用于多种应用场景。

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型号：HD1001 编号：C3024761

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：QH MICRO-E(乾鸿微)

HD1001型超高速GaN FET驱动器具有快速开关频率和低延迟、窄脉宽、低失真、驱动能力强等特性；尤其适用于高分辨率、远程激光雷达发射机系统，同样也适用于其它需要高频开关驱动器的应用场合，例如DC/DC变换器、自动驾驶辅助系统ADAS、电源调制器等。HD1001具有欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)，以确保设备在意外故障情况下的安全性。该产品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封装，工作温度范围为 -40°C ~ 125°C。

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型号：LM5060Q1MM/NOPB 编号：C2653802

封装：VSSOP-10

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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型号：TD350ETR 编号：C155663

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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型号：AUIR2085STR 编号：C2677064

封装：SOIC-8

AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制，范围为50ns至200ns

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型号：MCP14A0302T-E/KBA 编号：C625312

封装：WDFN-8-EP(2x2)

MCP14A0301/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，能够在 4.5V 至 18V 单电源供电下提供高达 3.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A0301）和同相（MCP14A0302）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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型号：NCV7723DQBR2G 编号：C904666

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：TC4422AVOA 编号：C37183

封装：SOIC-8

用于超大负载线路的线路驱动器；脉冲发生器；驱动大功率的MOSFET和IGBT；本地电源开关；电机和螺线管驱动器；LF起动器。这些器件是强电流缓冲器／驱动器，能够驱动大功率MOSFET或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。除具有匹配的输出上升和下降时间外，还具有匹配的上升沿和下降沿传输时延。还具有极低的交叉导通电流，可以降低器件的总功耗。这些器件基本上不受任何干扰因素的影响，除非直接过压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内，任何情况下都不会闭锁。当接地端的地弹反射小于等于5V的情况下，这些器件不会受损或产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的大于1A的感应电流，而不会造成器件损害或逻辑混乱。另外，所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4kV的静态放电。输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外，输入端有300mV的迟滞电压，可以防止噪声干扰，并允许使用缓慢上升或下降的波形来驱动器件。采用表面贴装和过孔封装形式，并且具有宽的工作温度范围，适合于大多数需要很高的门／线路容性驱动的应用。

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型号：MIC4422YM 编号：C637535

封装：SOIC-8

MIC4421和MIC4422 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4421是反相驱动器，而MIC4422是非反相驱动器。这两个版本均能提供9A（峰值）输出，并且能够驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：MIC4451ZT 编号：C570191

封装：TO-220-5

MIC4451和MIC4452 CMOS MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4451是反相驱动器，而MIC4452是非反相驱动器。这两款产品均能提供12A（峰值）输出电流，并且能驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：LMG1025QDEETQ1 编号：C1858370

封装：WSON-6-EP(2x2)

LMG1025-Q1 适用于窄脉冲应用、具有 5V UVLO 的汽车类 7A/5A 单通道低侧栅极驱动器

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型号：1EDI3031ASXUMA1 编号：C17668389

封装：BFSOP-20-300mil

EiceDRIVER栅极驱动器1EDI3031AS是一款高压SiC-MOSFET驱动器，专为5 kW以上的汽车电机驱动而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。它支持400 V、600 V和1200 V的SiC-MOSFET技术

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型号：DRV8353FHRTAR 编号：C1518721

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

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型号：DRV8302DCA 编号：C84672

封装：HTSSOP-56-6mm