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NSG531是一款通用的功率开关控制器，可以替代由分立元件组成的推挽电路，可以直接驱动IGBT，功率MOSFET，继电器等功率开关。SOT23-5封装，简单小巧。

5+
￥0.762185 ￥0.8023
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￥0.59413 ￥0.6254
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￥0.510055 ￥0.5369
500+
￥0.446975 ￥0.4705
3000+
￥0.39653 ￥0.4174
6000+
￥0.371355 ￥0.3909

有货

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型号：EG3035 编号：C48580030

封装：SOP-16

EG3035是一款高性价比三相PMOS、NMOS管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。

5+
￥1.0828
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￥0.856
150+
￥0.7588
500+
￥0.6375

有货

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型号：NSG3100C 编号：C41414514

封装：SOT-23-5

NSG3100C 4A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N 沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围内，从而提供欠压锁定功能。

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￥1.38833 ￥1.4614
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￥1.09098 ￥1.1484
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￥0.96349 ￥1.0142
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￥0.804555 ￥0.8469
3000+
￥0.733685 ￥0.7723
6000+
￥0.69122 ￥0.7276

有货

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型号：EG2204 编号：C20416239

封装：SOP-8

EG2204是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2204高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
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￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

有货

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型号：EG6388 编号：C20416245

封装：SOP-8

EG6388是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG6388高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±0.5/0.9A，采用SOP8封装。

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￥1.3921
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￥1.0211
2500+
￥0.9761

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型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
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￥1.2031
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￥1.1221
500+
￥1.0211

有货

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型号：JSM27511 编号：C19077362

封装：SOT-23-6

驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A UCC27511 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

5+
￥1.5032
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￥1.3037
150+
￥1.2182
500+
￥1.1115
3000+
￥1.0925
6000+
￥1.064

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型号：SiLM27624LCA-DG 编号：C49329025

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用固有地最小化直通电流的设计，能够向电容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟，典型值为20ns。在12V VDD电源下，提供5.0A源极、5.0A漏极峰值驱动电流能力。

5+
￥1.6843
50+
￥1.3315
150+
￥1.1803
500+
￥0.9917

有货

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型号：U6310 编号：C41374698

封装：SSOP-24

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动，同时也集成了12V LDO控制电路和MCU的供电5.0V LDO，简化了整个供电系统。内置比较电路，可用于电流过流检测，简化外围应用电路。内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.5A/- 1.8A。集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高dv/dt噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。

5+
￥1.687
50+
￥1.309
150+
￥1.147
500+
￥0.9448

有货

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型号：SS6209L-SO-TP 编号：C5370900

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

数据手册

5+
￥1.6962
50+
￥1.3182
150+
￥1.1562
500+
￥0.9541
2500+
￥0.8641
4000+
￥0.81

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型号：EG27519 编号：C2987450

封装：SOT-23-5

EG27519单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，外围器件少。

数据手册

5+
￥1.7004
50+
￥1.3375
150+
￥1.182
500+
￥0.9879

有货

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型号：NSG2065 编号：C41414477

封装：TSSOP-20

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管

1+
￥1.7385 ￥1.83
10+
￥1.52 ￥1.6
30+
￥1.425 ￥1.5
100+
￥1.311 ￥1.38
500+
￥1.254 ￥1.32
1000+
￥1.2255 ￥1.29

有货

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型号：SiLM27624MCA-DG 编号：C7419945

封装：SOP8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时，SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A

5+
￥1.8135
50+
￥1.4057
150+
￥1.231
500+
￥1.102

有货

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型号：TF0215-USQ 编号：C5119562

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：低边是否隔离：非隔离电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：1.9A 峰值拉电流：1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2
10+
￥1.77
30+
￥1.67
100+
￥1.55
500+
￥1.49

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型号：IRS4428STRPBF-JSM 编号：C5804612

封装：SOIC-8

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.056 ￥2.57
10+
￥2.008 ￥2.51
30+
￥1.976 ￥2.47
100+
￥1.944 ￥2.43

有货

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型号：DOS2106 编号：C52140041

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.1175
50+
￥1.6739
150+
￥1.4839
500+
￥1.2467
2500+
￥1.1411

有货

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型号：G2061 编号：C7421052

封装：TSSOP-20

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.5/1.8A

1+
￥2.2325 ￥2.35
10+
￥1.729 ￥1.82
30+
￥1.52 ￥1.6
100+
￥1.2445 ￥1.31
500+
￥1.1305 ￥1.19
1000+
￥1.0545 ￥1.11

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型号：HX34152-S 编号：C41399167

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34152-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

1+
￥2.385 ￥2.65
10+
￥2.115 ￥2.35
30+
￥1.98 ￥2.2
100+
￥1.845 ￥2.05
500+
￥1.764 ￥1.96
1000+
￥1.728 ￥1.92

有货

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型号：SL27525 编号：C2690327

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

双通道4A的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP -8封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

数据手册

1+
￥2.408 ￥3.01
10+
￥1.888 ￥2.36
30+
￥1.664 ￥2.08
100+
￥1.384 ￥1.73
500+
￥1.256 ￥1.57
1000+
￥1.184 ￥1.48

有货

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型号：TPK21E4US5 编号：C51939654

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

该设备是一款紧凑型栅极驱动器，可出色替代 NPN 和 PNP 分立驱动器（缓冲电路）解决方案。适用于 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件（如 GaN），适合高速应用。其不对称的 4A 峰值源电流和 8A 峰值灌电流可增强对寄生米勒导通效应的免疫力。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性可增强瞬态抗扰度。

1+
￥2.5688 ￥3.38
10+
￥2.0596 ￥2.71
30+
￥1.8012 ￥2.37
100+
￥1.5504 ￥2.04
500+
￥1.3984 ￥1.84
1000+
￥1.3224 ￥1.74

有货

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型号：TC4427AVOA713 编号：C5804605

封装：SOIC-8

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.7115 ￥3.19
10+
￥2.159 ￥2.54
30+
￥1.887 ￥2.22
100+
￥1.615 ￥1.9
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.3685 ￥1.61

有货

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型号：NCP5106BDR2G-JSM 编号：C44606283

封装：SOP-8