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封装：TO-220-5

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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型号：COS4422SR 编号：C5175411

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO过温保护功能

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型号：IXDN609SIA 编号：C3036216

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

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型号：MC33151VDR2G 编号：C603251

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：MIC4428YM 编号：C637542

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4426/4427/4428系列是高度可靠的双路低端MOSFET驱动器，采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有低功耗和高效率的特点。这些驱动器将TTL或CMOS输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压可在正电源或地的25 mV范围内摆动。相比之下，类似的双极型器件只能在电源的1V范围内摆动

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型号：IR2010STRPBF 编号：C114890

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200V的N沟道功率MOSFET或IGBT。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现坚固的单片结构。

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型号：1EDC20H12AH 编号：C530940

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：UCC27211DR 编号：C2871979

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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型号：1ED3125MU12FXUMA1 编号：C17662842

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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型号：2ED020I12-FI 编号：C533039

封装：DSO-18

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。

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型号：TD350ETR 编号：C155663

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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型号：LM5110-2MX/NOPB 编号：C962895

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：DRV8328BRUYR 编号：C5218864

封装：WQFN-28(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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型号：AUIRS2181STR 编号：C533513

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2181(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：1ED3123MU12HXUMA1 编号：C17449724

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

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型号：NCV7723DQBR2G 编号：C904666

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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型号：MPQ6528GVE-AEC1-Z 编号：C6097576

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC，可在 5V 至 60V 宽输入电压（VIN）范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源（VREG），自举（BST）电容为高端 MOSFET（HS-FET）驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下，内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护、可调死区时间（DT）控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28（4mmx5mm）封装。

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型号：1ED3491MU12M 编号：C530929

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

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型号：BTM7740G 编号：C75776

封装：SOIC-28

品牌：Infineon(英飞凌)

BTM7740G 是 TrilithIC 系列产品的一员，该系列产品在一个封装中集成了三个芯片：一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚，因此 BTM7740G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTM7740G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造，该技术将低导通电阻（RDSON）的垂直 DMOS 功率级与用于控制、保护和诊断的 CMOS 电路相结合。

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型号：EL7457CLZ-T7 编号：C2653810

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速、同相、四路CMOS驱动器，能够以高达40MHz的时钟速率运行，具有2A的峰值驱动能力和仅3Ω的标称导通电阻。适用于驱动高容性负载，如CCD应用中的存储和垂直时钟。也适用于ATE引脚驱动、电平转换和时钟驱动应用。能够使用单电源或双电源供电，同时使用接地参考输入

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型号：LTC7000EMSE#TRPBF 编号：C690074

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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型号：IXDN630CI 编号：C1524123

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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