mos管驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSG0462U 编号：C6274824

封装：SOP-16-150mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。

5+
￥0.81415 ￥0.857
50+
￥0.711075 ￥0.7485
150+
￥0.666805 ￥0.7019
500+
￥0.61161 ￥0.6438
2500+
￥0.5871 ￥0.618
4000+
￥0.572375 ￥0.6025

有货

立即购买

型号：NSG2005 编号：C7421054

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.81453 ￥0.8574
50+
￥0.71136 ￥0.7488
150+
￥0.66709 ￥0.7022
500+
￥0.611895 ￥0.6441
2500+
￥0.587385 ￥0.6183
4000+
￥0.572565 ￥0.6027

有货

立即购买

型号：DOS27517 编号：C52140037

封装：SOT-23-5

品牌：DOINGTER(杜因特)

单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。

5+
￥0.8257
50+
￥0.6577
150+
￥0.5737
500+
￥0.5107

有货

立即购买

型号：SLM2009CA-DG 编号：C3001941

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑,DT:120ns,高低边欠压保护

数据手册

5+
￥0.9133
50+
￥0.7117
150+
￥0.6253
500+
￥0.5175

有货

立即购买

型号：FD2103S 编号：C5187182

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2103C&S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。

数据手册

5+
￥1.0125
50+
￥0.7678
150+
￥0.6454

有货

立即购买

型号：NSG2003 编号：C41414480

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥1.15368 ￥1.2144
50+
￥0.905825 ￥0.9535
150+
￥0.79971 ￥0.8418
500+
￥0.667185 ￥0.7023
2500+
￥0.60819 ￥0.6402
4000+
￥0.572755 ￥0.6029

有货

立即购买

型号：EG2302 编号：C5346626

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个500K上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.1825
50+
￥1.0313
150+
￥0.9665
500+
￥0.8856

有货

立即购买

型号：EG3014S 编号：C7501754

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3014S 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3014S 高端的工作电压可达80V，Vcc 的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8 封装。