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封装：DIP-8

IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题，使驱动器几乎不会发生闩锁

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型号：UCC27332QDGNRQ1 编号：C33328035

封装：HVSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

是单通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和GaN功率开关。典型峰值驱动强度为9A，可减少功率开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。小传播延迟通过改善系统的死区时间优化、脉冲宽度利用率、控制环路响应和瞬态性能，产生更好的功率级效率。可处理输入上的 -5V，提高了具有适度接地反弹的系统的稳健性

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型号：LM5112Q1SDX/NOPB 编号：C2676985

封装：WSON-6-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5112-Q1 具有 4V UVLO 和专用输入接地的汽车类 7A/3A 单通道栅极驱动器

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型号：SIC654ACD-T1-GE3 编号：C1852093

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

是一款针对同步降压应用进行优化的高频集成功率级，可提供高电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。采用专有5mm×5mm MLP封装，可使稳压器设计每相提供高达50A的连续电流。内部功率MOSFET采用最新TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关和用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与各种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5V和3.3V PWM逻辑。该器件还支持PS4模式，以降低系统待机状态下的功耗。提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提高系统监测和可靠性。

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型号：TC4427EUA 编号：C636892

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：ISL55110IRZ-T 编号：C2680304

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

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型号：MCP14A1202-E/SN 编号：C635882

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14A1201/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 12.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A1201）和同相（MCP14A1202）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A1201/2 系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效使能引脚可拉低，以使 MCP14A1201/2 的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们能够承受高达 500 mA 的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达 2 kV（HBM）和 200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：CSD95490Q5MC 编号：C468252

封装：VSON-12-EP(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95490Q5MC 采用 DualCool 封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

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型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125

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型号：1ED3121MU12H 编号：C530922

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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型号：SIC533CD-T1-GE3 编号：C3655156

封装：MLP4535-22L(3.5x4.5)

品牌：VISHAY(威世)

是一种为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用4.5mm×3.5mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达35A的连续电流。内部功率MOSFET采用先进的第四代TrenchFET技术，可显著降低开关和传导损耗。集成了先进的MOSFET栅极驱动器IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举肖特基二极管和零电流检测功能，可提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM和5V PWM逻辑。包含用户可选的二极管仿真模式（ZCD_EN#），以提高轻载性能。该器件还支持PS4模式，以在系统处于待机状态时降低功耗。

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型号：UCC29002DR 编号：C702439

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC29002 高级 8 引脚负载共享控制器

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型号：1ED3241MC12HXUMA1 编号：C17535489

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED32xx系列是采用DSO - 8 300 mil封装的一组单通道电气隔离驱动IC。这些驱动IC的典型峰值输出电流最高可达18 A。该系列产品采用了两级压摆率控制（2L - SRC）技术

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型号：MP1924AHR-LF-Z 编号：C3654838

封装：QFN-10(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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型号：MCP14A0602-E/SN 编号：C635874

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14A0601/2 器件是高速 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 6.0A 的峰值电流。有两种输出配置可供选择：反相（MCP14A0601）和同相（MCP14A0602）。这些器件具有低直通电流、快速的上升和下降时间以及匹配的传播延迟，非常适合高开关频率应用

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型号：DRV8304SRHAR 编号：C1849480

封装：VQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8304 具有电流分流放大器的 40V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：TC4427VPA 编号：C640791

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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型号：UCC27302ADRCR 编号：C50092311

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：MP6543GL-Z 编号：C5288780

封装：QFN-24(3x4)

品牌：MPS(芯源)

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型号：SIC789CD-T1-GE3 编号：C467919

封装：MLP66-40

品牌：VISHAY(威世)

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型号：IR2101PBF 编号：C2955

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：UCC37323P 编号：C1549493

封装：PDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

具有反相输入的 4A/4A 双通道栅极驱动器 8-PDIP 0 to 70

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型号：MIC4129YME 编号：C144359

封装：SOIC-8-EP

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4120和MIC4129 MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4129是反相驱动器，而MIC4120是非反相驱动器。这些驱动器能够提供6A（峰值）输出，并且可以驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：MP18024HN-LF-Z 编号：C6992699

封装：SOICE-8

品牌：MPS(芯源)

MP18024是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时强制输出为低电平。集成的自举二极管可减少外部元件数量。

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型号：UCD7201PWPR 编号：C2677349

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

具有单个公共电流感应的数字控制兼容双低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器 14-HTSSOP -40 to 105

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型号：TC4452VOA 编号：C636906

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

单输出MOSFET驱动器。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。具有匹配的输出上升和下降时间，以及匹配的前沿和后沿传播延迟时间。此外，这些器件的交叉导通电流非常低，可降低器件的总体功耗

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型号：NCP51561DADWR2G 编号：C5206740

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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型号：MIC4102YM-TR 编号：C628004

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款高频100V半桥MOSFET驱动IC，具有内部抗直通保护功能。低侧和高侧栅极驱动器由一个输入信号控制。采用自适应抗直通电路，优化开关转换以实现最高效率。单输入控制降低了系统复杂性，简化了整体设计。还具有低侧驱动禁用引脚，可在非同步降压模式下工作，能在存在偏置电压的应用中启动而不会拉低输出电压。低侧和高侧电源的欠压保护会使输出为低电平。片上自举二极管消除了其他驱动IC所需的分立二极管。采用SOIC-8L封装，结工作范围为-40℃至 + 125℃。

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型号：LTC7003EMSE#TRPBF 编号：C690098

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 60V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，驱动器会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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￥24.1912 ￥27.49
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￥23.6368 ￥26.86
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￥22.8888 ￥26.01

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型号：ADP3650JCPZ-RL 编号：C659215

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP3650 是一款双路高压 MOSFET 驱动器，专为驱动非隔离同步降压电源转换器中的两个 N 沟道 MOSFET（即两个开关）而优化。每个驱动器能够驱动 3000 pF 的负载，传播延迟为 45 ns，转换时间为 25 ns。其中一个驱动器可采用自举方式，并设计用于处理与浮动高端栅极驱动器相关的高电压转换速率

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