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封装：MSOP-16-EP

LTC7000A/LTC7000A - 1是一款快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达135V的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其能够无限期保持导通状态。其强大的驱动器能够以极短的转换时间轻松驱动大栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在由外部定时电容设定的一段时间后关闭开关。经过一段冷却时间后，LTC7000A/LTC7000A - 1会自动重试。LTC7000A/LTC7000A - 1采用热增强型16引脚MSOP封装。

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￥68.191 ￥70.3
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￥64.8251 ￥66.83
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￥58.9954 ￥60.82
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￥53.9126 ￥55.58

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型号：LT1166CS8#PBF 编号：C662913

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种偏置生成系统，用于控制高功率放大器中的AB类输出电流。当与外部晶体管连接时，该电路成为单位增益电压跟随器。适用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除了所有静态电流调整和关键晶体管匹配。使用该系统的多个输出级可以并联以获得更高的输出电流。热失控问题得到解决，因为偏置系统通过使用一个小的外部检测电阻来感应每个功率晶体管中的电流。一个高速调节器环路控制施加到每个功率器件的驱动量。该系统可以由一对电阻或电流源偏置，并且由于它作用于输出晶体管的驱动电压，因此可以在任何电源电压下工作。

数据手册

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￥71.78
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￥61.86
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￥55.81

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型号：LTC3901EGN#TRPBF 编号：C687087

封装：SSOP-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

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￥83.41
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￥79.53
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￥72.82

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型号：SLM2003ECA-DG 编号：C2943125

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns,MT:60ns

数据手册

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￥0.584
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￥0.4564
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￥0.3925
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￥0.3446

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型号：NSG3020 编号：C41414485

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.8/1.2A

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￥0.7114
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￥0.5624
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￥0.4878
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￥0.432
2500+
￥0.3872

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型号：NSG3024 编号：C49023241

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG3024是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOP8封装，可以在 -40°C 至 125°C 温度范围内工作。

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￥0.7491
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￥0.5955
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￥0.5187

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型号：DOS27517 编号：C52140037

封装：SOT-23-5

品牌：DOINGTER(杜因特)

单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。

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￥0.8257
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￥0.6577
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￥0.5107

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型号：NSG6000R 编号：C41414487

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

高速风筒专用芯片 NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥0.8429
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￥0.6663
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￥0.578
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￥0.5118

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型号：NSG44272 编号：C41414508

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN&EN)、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

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￥0.8577
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￥0.749
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￥0.7024
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￥0.6443

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型号：XJNG2103 编号：C43244363

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达200V。采用SOP8封装，可以在-40°C 至 125°C 温度范围内工作。

5+
￥0.8614
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￥0.6848
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￥0.5964
500+
￥0.5302

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型号：NSG6004 编号：C46473169

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG6004是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

5+
￥1.0354
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￥0.8954
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￥0.8353
500+
￥0.7604

有货

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型号：DOS2003 编号：C52140044

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥1.155
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￥0.9131
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￥0.8094

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型号：COS44273 编号：C7525174

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥1.2906
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￥1.0134
150+
￥0.8946
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￥0.7464
3000+
￥0.6804
6000+
￥0.6408

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型号：NSG6398 编号：C46473170

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG6398是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP8封装，可以在 -40 °C至125 °C温度范围内工作。

5+
￥1.3389
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￥1.1578
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￥1.0801
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￥0.9833

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型号：OB2101HCPA 编号：C22379554

封装：SOP-8

品牌：OB(昂宝)

OB2101H是一款单片式单相半桥栅极驱动IC，专为高压、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计，可在高达650V的电压下工作。OB2101H采用高压工艺和共模噪声消除技术，可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行，并且两个输出通道具备内部死区时间，可避免交叉导通。

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￥1.4087
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￥1.1537
500+
￥1.0583
2500+
￥1.0158
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￥0.9903

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型号：NSG2105 编号：C46473171

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。采用SOP8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

5+
￥1.518
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￥1.3297
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￥1.2489
500+
￥1.1482

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型号：NSG27527 编号：C41414521

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道、四输入（INA.B+&INA.B-）、拉/灌电流：4/4A

5+
￥1.601
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￥1.3981
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￥1.3112
500+
￥1.2027

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型号：NSG27519 编号：C41414513

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

单通道、双输入（IN+&EN)、拉/灌电流：4/4A，输入耐受低至-10V

5+
￥1.6856
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￥1.3236
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￥1.1684

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型号：HP3000-AD000-HD08R 编号：C22394787

封装：DFN-8L(2x2)

品牌：Hynetek(慧能泰)

HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为 22 ns），可改善系统的死区时间，优化控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。通道数:2 输出电流:5 A 输入电压（最小）:4.5 V 输入电压（最大）:30 V 工作温度范围：-40 到 150 ℃ 输入负向耐压：-12 V

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￥1.7031
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￥1.3251
150+
￥1.1631

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型号：NSG2023 编号：C7463259

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

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￥1.72
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￥1.5
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￥1.41
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￥1.29
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￥1.24
1000+
￥1.21

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型号：NSG2304 编号：C7421065

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

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￥1.95
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￥1.7
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￥1.6
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￥1.47
500+
￥1.41

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型号：HX4426-S 编号：C19186052

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX4426/4427/4428系列双路低端MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，具有高效的功率利用率和高可靠性。这些驱动器可将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，输出电压在正电源或地的25 mV范围内摆动。HX4426/4427/4428驱动器有三种配置：双路反相、双路同相以及一路反相加一路同相输出

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￥2.09079 ￥2.3231
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￥1.64169 ￥1.8241
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￥1.44927 ￥1.6103
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￥1.20915 ￥1.3435
2500+
￥1.10223 ￥1.2247
5000+
￥1.03806 ￥1.1534

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型号：HX4428-S 编号：C19186054

封装：SOP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性