MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IX4340NTR 编号：C7588209

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IX4340 是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端各自能够提供和吸收 5A 的峰值电流，最大额定电压为 20V。在大电流应用中，两个输出端可并联使用

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￥3.99
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￥3.51
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￥3.27
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￥3.03

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型号：NSG6000R 编号：C41414487

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

高速风筒专用芯片 NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥0.434245 ￥0.4571
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￥0.424175 ￥0.4465
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￥0.41743 ￥0.4394
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￥0.410685 ￥0.4323

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型号：SLM2003ECA-DG 编号：C2943125

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns,MT:60ns

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￥0.584
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￥0.4564
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￥0.3925
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￥0.3446

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型号：NSG3023 编号：C46473167

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG3023 是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG3023 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS 或LSTTL 逻辑输出电平。NSG3023 其浮动通道可用于驱动高压侧N 沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG3023采用SOP8封装，可以在 -40 °C 至 125 °C 温度范围内工作。

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￥0.68951 ￥0.7258
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￥0.537415 ￥0.5657
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￥0.46132 ￥0.4856
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￥0.40432 ￥0.4256
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￥0.35872 ￥0.3776
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￥0.33592 ￥0.3536

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型号：SiLM27524NCA-DG 编号：C41433637

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27524N系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SiLM27524N采用的设计从本质上减少了直通电流，能够为容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极小，典型值为18 ns。在12V VDD电源供电时，SiLM27524N的源极峰值驱动电流能力为4.5 A，漏极峰值驱动电流能力为5.5 A

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￥0.8017
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￥0.783
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￥0.7705

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型号：LN8322SR-G 编号：C3008046

封装：SOP-8

品牌：natlinear(南麟)

LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL的输出。

数据手册

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￥0.8269
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￥0.5533
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2500+
￥0.4302

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型号：DOS2101 编号：C52140042

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。

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￥0.9302
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￥0.9094
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￥0.8956
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型号：NSG27527 编号：C41414521

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道、四输入（INA.B+&INA.B-）、拉/灌电流：4/4A

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￥1.13088 ￥1.1904
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￥1.104375 ￥1.1625
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￥1.06913 ￥1.1254

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型号：COS44273 编号：C7525174

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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￥0.7464
3000+
￥0.6804
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￥0.6408

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型号：UCC27517ADB(TOKMAS) 编号：C7525406

封装：TSOT-23-5

品牌：Tokmas(托克马斯)

栅极驱动IC 驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A

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型号：DGD05463M10-13 编号：C6021630

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器接口

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￥1.9462 ￥5.26

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型号：UCC27512DRSR 编号：C2676916

封装：DFN-6-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

采用 SON 封装、具有 5V UVLO 和分离输出的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SON -40 to 140

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￥2.35
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型号：RS8802HXK 编号：C20611883

封装：SOIC-8

品牌：RUNIC(润石)

RS8802 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。RS8802 采用了从本质上降低直通电流的设计，能够为容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，典型传播延迟极小，仅为 13ns。RS8802 能够处理 -4V 的输入电压

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型号：UCC27524D 编号：C544760

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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型号：NSG6021 编号：C41414502

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥2.679 ￥2.82
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￥1.33 ￥1.4

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型号：NSG6022 编号：C52975932

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥2.793 ￥2.94
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型号：NSG6025 编号：C52975933

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥2.793 ￥2.94
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型号：XLN7392N 编号：C52148191

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

栅极驱动芯片

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￥3.15
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￥2.47
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￥1.56

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型号：NSG2183 编号：C41414496

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥2.2895 ￥2.41

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型号：IRS2304STRPBF 编号：C82060

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

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￥1.21

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型号：XLN7392MX 编号：C52148192

封装：SOP-16W

品牌：XINLUDA(信路达)

栅极驱动芯片

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￥3.39
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￥2.65
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￥1.95
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￥1.78
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￥1.67

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型号：COS2181STRPBF 编号：C7501651

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5A峰值拉/灌电流

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￥3.4
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￥2.75
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￥2.42
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￥1.9
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￥1.8

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型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

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￥3.48
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￥2.81
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￥2.47
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￥1.95

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型号：COS2113STRPBF 编号：C7501649

封装：WSOP-16-300mil

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5峰值拉/灌电流

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￥2.04
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￥1.86
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￥1.75

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型号：TCK401G,LF 编号：C7360692

封装：WCSPE-6(0.8x1.2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK401G和TCK402G是28V高输入电压的外部FET驱动IC。它们具有较宽的输入电压范围，采用小尺寸封装WCSP6E（0.8mm x 1.2mm，厚度：0.55mm）的压摆率控制驱动器。此外，通过使用外部串联FET，在开关关闭时，它们可以阻断反向电流。因此，它们适用于如电池充电应用等电源管理选择器。

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￥3.61
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￥2.88
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￥2.51
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￥2.15
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￥1.93

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型号：EG2334 编号：C2987448

封装：SOP-20-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2334高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用SOP20封装。

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￥4.08
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￥2.83

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型号：UCC27444DR 编号：C35949002

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27444是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和GaN电源开关。UCC27444的典型峰值驱动强度为4A，这有助于缩短电源开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟（典型值为18ns），可改善系统的死区时间优化，控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。

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