MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：MIC4422ZT 编号：C641328

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4421和MIC4422 MOSFET驱动器坚固耐用、高效且易于使用。MIC4421是反相驱动器，而MIC4422是非反相驱动器。这两个版本均能提供9A（峰值）输出，并且能够驱动大型MOSFET，同时具有更高的安全工作裕量

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型号：1EDC20I12AHXUMA1 编号：C17567116

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：LTC7003HMSE#PBF 编号：C690099

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一种快速高端N沟道MOSFET栅极驱动器，可在高达60V的输入电压下工作。包含一个内部电荷泵，可完全增强外部N沟道MOSFET开关，使其无限期保持导通。强大的驱动器能够以非常短的转换时间轻松驱动大栅极电容，适用于高频开关应用或需要快速导通和/或关断时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会触发故障标志，并在由外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型16引脚MSOP封装。

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型号：L9960TR 编号：C2969939

封装：PowerFSOP-36

品牌：ST(意法半导体)

H桥

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型号：MIC4125YME-TR 编号：C628010

封装：SOIC-8-EP

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：LTC7060EMSE#TRPBF 编号：C3717110

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：LTC4440ES6#TRMPBF 编号：C360774

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

高速、高电压、高端栅极驱动器

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型号：DRV8706HQRHBRQ1 编号：C3681320

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8706-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车级 40V 半桥智能栅极驱动器

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型号：UCC27512MDRSTEP 编号：C2677110

封装：SON-6-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、采用 SON 封装的增强型产品 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SON -55 to 125

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型号：LTC4444EMS8E#TRPBF 编号：C688575

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4444是一款高频高压栅极驱动器，可在同步DC/DC转换器中驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。这款强大的驱动器可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4444配置有两个独立电源输入

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型号：LTC1982ES6#TRMPBF 编号：C580471

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。

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型号：IR2213STRPBF 编号：C495817

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：1ED020I12B2XUMA1 编号：C7431136

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

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型号：TC4424CPA 编号：C640763

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4423/TC4424/TC4425器件是一组3A双输出缓冲器/MOSFET驱动器。该系列器件与TC1426/27/28、TC4426/27/28和TC4426A/27A/28A双1.5A驱动器系列引脚兼容，其闩锁电流额定值提高到1.5A，使其在恶劣电气环境中运行时更加可靠。作为MOSFET驱动器，TC4423/TC4424/TC4425能够在35纳秒内轻松对1800pF的栅极电容进行充电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬变，MOSFET的预期状态也不会受到影响

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型号：LTC4440EMS8E#TRPBF 编号：C688547

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4440是一款高频高端N沟道MOSFET栅极驱动器，设计用于输入电压（V₁ₙ）高达80V的应用。LTC4440还能承受100V的V₁ₙ瞬态电压，并在此期间继续正常工作。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗

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型号：MP86956GMJ-Z 编号：C6595839

封装：LGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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￥38.5867
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型号：MP86956GMJT-Z 编号：C5800439

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86956是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，MP86956可实现70A的连续输出电流。MP86956采用单片IC方案，每相可驱动高达70A的电流。驱动器和MOSFET的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86956的工作频率范围为100kHz至3MHz。MP86956具备多种特性，可简化系统设计。它可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86956非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。该器件提供LGA和TLGA（5mmx6mm）封装。

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：LTC1154CS8#PBF 编号：C674678

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

单高端栅极驱动器允许使用低成本N沟道FET进行高端开关应用。内部电荷泵将栅极驱动电压提升至正电源轨以上，无需外部组件即可完全增强N沟道MOS开关。微功耗运行，待机电流为8μA，工作电流为85μA，可在几乎所有系统中实现最高效率。芯片上包含可编程过流检测。可以添加时间延迟，以防止在高浪涌电流负载上误触发。还提供一个高电平有效关断输入，可直接连接到标准PTC热敏电阻以实现热关断。提供一个开漏输出，用于向微处理器报告开关状态。提供一个低电平有效使能输入，用于成组控制多个开关。

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1+
￥42.812 ￥48.65
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￥41.8176 ￥47.52
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￥41.1576 ￥46.77
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￥40.4976 ￥46.02

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型号：MIC4452ZT 编号：C641342

封装：TO-220-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

CMOS MOSFET驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供12A（峰值）输出，并能驱动大型MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受2.4V至Vs的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达5V而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。该驱动器可替代三个或更多分立元件，减少PCB面积需求，简化产品设计并降低组装成本。现代双极/CMOS/DMOS结构保证无闭锁现象。CMOS/DMOS的轨到轨摆动能力确保在电源上下电时序期间为MOSFET提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行温度低，功耗小，且易于驱动。

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￥43.63
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￥37.58
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￥33.9

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型号：TC4469CPD 编号：C645945

封装：PDIP-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款四输出CMOS缓冲器/MOSFET驱动器，具有1.2A的峰值驱动能力。与其他MOSFET驱动器不同，这些设备的每个输出都有两个输入。输入配置为逻辑门：与非门（TC4467）、与门（TC4468）和与/反相器（TC4469）。可以连续向接地负载提供高达250 mA的电流。这些设备非常适合直接驱动低电流电机，或在H桥配置中驱动MOSFET以实现更高电流的电机驱动。在驱动器上集成逻辑门有助于减少许多设计中的元件数量。非常坚固且高度抗闩锁。它们可以承受地线上高达5V的噪声尖峰，并可以处理驱动器输出上高达0.5A的反向电流。

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1+
￥45.1418 ￥63.58
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￥37.1368 ￥60.88
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￥30.2073 ￥59.23
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￥29.5035 ￥57.85

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型号：LTC7000IMSE#TRPBF 编号：C690081

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

快速150V保护高端NMOS静态开关驱动器

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￥48.85
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￥42.34
30+
￥35.54

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型号：MC33GD3100BEKR2 编号：C20234208

封装：SOIC-32

品牌：NXP(恩智浦)

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￥52.08
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￥50.93
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￥50.16
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￥48.8961 ￥49.39

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型号：L9908TR 编号：C5269538

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级3相电机栅极驱动装置

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￥55.52
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￥47.4
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￥42.45

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型号：LTC7000IMSE#PBF 编号：C581060

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款快速高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，可在高达 135V 的输入电压下工作。它包含一个内部电荷泵，可完全增强外部 N 沟道 MOSFET 开关，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器可以在非常短的转换时间内轻松驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或需要快速开启和/或关闭时间的静态开关应用。当内部比较器检测到开关电流超过预设水平时，会发出故障标志，并在由外部定时电容设置的一段时间后关闭开关。冷却期过后，会自动重试。采用热增强型 16 引脚 MSOP 封装。

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