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UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

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型号：EG2136 编号：C480663

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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型号：IRS2153DSTRPBF 编号：C2987

封装：SOIC-8

600V，自激振荡的半桥式驱动IC

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型号：IRS25752LTRPBF 编号：C538346

封装：SOT-23-6

IRS25752是一款高端单通道栅极驱动IC，具备600V阻断和电平转换能力。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS25752具有较宽的VCC电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或 -VS开关环境下具有出色的抗干扰能力

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型号：TC1413EOA 编号：C636858

封装：SOIC-8-150mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1413/TC1413N 是 3A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁。当接地引脚出现最高 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：UCC57142ADBVR 编号：C49659956

封装：SOT-23-6

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型号：1EDI20I12AF 编号：C533014

封装：DSO-8

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：IRS2181STRPBF 编号：C67284

封装：SOIC-8

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：MP1911GTL-Z 编号：C7231518

封装：SOT-583

品牌：MPS(芯源)

是一个H桥驱动器，工作电源电压范围为2.5V至16V，可根据逻辑控制提供高达1A的输出电流。H桥由四个N沟道功率MOSFET和一个内部电荷泵组成，用于产生所需的栅极驱动电压。由两个输入引脚IN1和IN2控制，两个开/关输入决定输出模式：正向、反向、滑行或制动。当IN1和IN2拉高时，应用制动以停止驱动器。当IN1和IN2拉低时，可实现非常低的待机电路电流。具备完整的保护功能，包括过流保护（OCP）、短路保护（SCP）、欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP）。仅需最少数量的现成标准外部组件，采用SOT583封装。

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型号：COS4421DT 编号：C46552823

封装：DIP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单反相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO及过温保护功能

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型号：NCP5104DR2G 编号：C153763

封装：SOIC-8

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

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型号：1EDI40I12AF 编号：C533022

封装：DSO-8

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：L6494LD 编号：C2965455

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：IX4427N 编号：C1549438

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收1.5A的峰值电流，上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与TTL和CMOS兼容，并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间使其适用于高频和高功率应用。

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型号：UCC27201DRMR 编号：C2677220

封装：VSON-8-EP(4x4)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：DGD2181S8-13 编号：C460704

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2181是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：FAN3278TMX 编号：C903510

封装：SOIC-8

FAN3278是一款双通道1.5A栅极驱动器，针对在电压轨道最高值为27V的电机控制应用中驱动一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET进行了优化。内部电路将加在外部MOSFET栅极上的电压限制在最大值13V。驱动器具有TTL输入限制，提供逻辑输入的缓冲和电平转换。内部电路防止输出开关器件在V

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型号：MIC4605-1YM-TR 编号：C628051

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：TC1411NCPA 编号：C640712

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1411/TC1411N 是 1A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。当接地引脚出现高达 5V 的任意极性噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：L6395D 编号：C1549486

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078

封装：VSON-8(4x4)

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。

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型号：IRS4426STRPBF 编号：C370786

封装：SOIC-8

IRS4426/IRS4427/IRS4428 是低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容

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型号：FAD7191M1X 编号：C603189

封装：SOP-14

FAD7191 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。FAD7191 采用 14-SOP 封装,具有单独的信号和电源接地可用于在高功率应用中实现更高抗扰性，高电压应用中必要的充分间距和漏电距离，以及用于关断冗余目的的启用引脚。

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型号：LM5114AMFX/S7003103 编号：C5218786

封装：SOT-23-6

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：NCP81074ADR2G 编号：C603800

封装：SOIC-8

NCP81074 是一款单沟道、低压侧 MOSFET 驱动器，能够源/汲最高 10A 的电流。此驱动器可在米勒平坦区提供 7A 峰值电流，克服了开关器件使用 MOSFET 的米勒效应。分割输出配置实现了调节导通和关断摆率的能力。该系列零件采用 SOIC8 和 2mm x 2mm DFN 封装。

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型号：SLM21364CF-DG 编号：C6071552

封装：SOP-28W

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM21364 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：DRV8162DGSR 编号：C46377302

封装：VSSOP-20

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型号：SIC639CD-T1-GE3 编号：C2653466

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC639 是为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC639 采用威世（Vishay）专有的 5 mm×5 mm MLP 封装，使电压调节器设计能够每相提供高达 50 A 的连续电流。内部功率 MOSFET 采用了最先进的第四代 TrenchFET 技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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型号：IR2117STRPBF 编号：C2975

封装：SOIC-8-150mil