MOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

4.5A，4.5V-25V，双同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带使能，UVLO及过温保护功能

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￥2.62
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￥2.02
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￥1.76
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￥1.44
2500+
￥1.29
4000+
￥1.2

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型号：DRV2624YFFR 编号：C881487

封装：DSBGA-9

DRV2624 具有波形存储器、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.08
30+
￥1.84

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型号：COS4425SR 编号：C5306798

封装：SOP-8

4A，4.5V-25V，同反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

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￥2.86
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￥2.24
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￥1.97
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￥1.64
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

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型号：NSG5109 编号：C53190621

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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￥3.1635 ￥3.33
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￥2.4985 ￥2.63
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￥2.2135 ￥2.33
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￥1.862 ￥1.96
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￥1.7005 ￥1.79
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￥1.6055 ￥1.69

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型号：COS4423SR 编号：C5307863

封装：SOP-8

4A，4.5V-25V，双反相，双高速低功耗MOSFET低边驱动器

数据手册

1+
￥3.23
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￥2.58
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￥1.94
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￥1.65

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型号：NSG2153DP 编号：C46473162

封装：DIP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压（1/6thVCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)DP 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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￥3.344 ￥3.52
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￥2.679 ￥2.82
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￥2.3465 ￥2.47
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￥2.0235 ￥2.13
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￥1.824 ￥1.92
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￥1.729 ￥1.82

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型号：XL2110PBF 编号：C22397796

封装：DIP-14

品牌：XINLUDA(信路达)

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥3.49
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￥2.74
25+
￥2.42

有货

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型号：NSG21844 编号：C41414498

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、集成SD功能,拉/灌电流：4/4A

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￥3.496 ￥3.68
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￥3.1065 ￥3.27
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￥2.907 ￥3.06
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￥2.717 ￥2.86
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￥2.603 ￥2.74
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￥2.5365 ￥2.67

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型号：UCC27523DGNR 编号：C781807

封装：HVSSOP-8

UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MOSFET 驱动器

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1+
￥3.5
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￥3.42
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￥3.36
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￥3.31

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型号：XL2113SPBF 编号：C22397801

封装：SOP-16-300mil

品牌：XINLUDA(信路达)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

1+
￥3.55
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￥2.86
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￥2.51
100+
￥2.17

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型号：UCC27511ADBVT 编号：C2676984

封装：SOT-23-6

具有 5V UVLO、分离输出和 5V 输入电压处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SOT-23 -40 to 140

数据手册

1+
￥3.72
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￥2.97
30+
￥2.6

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型号：DGD05473FN-7 编号：C189752

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD05473是一款高频栅极驱动器，能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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1+
￥3.78
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￥2.95
30+
￥2.6

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型号：FAN3100CMPX 编号：C890687

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供TTL（FAN3100T）或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。

数据手册

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￥3.9285 ￥4.05
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￥3.4365 ￥3.95
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￥2.9953 ￥3.89
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￥2.9491 ￥3.83

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型号：COS21844S 编号：C42377825

封装：SOP-14

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥4.01
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￥3.56
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￥3.33
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￥3.11
500+
￥2.97
1000+
￥2.9

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型号：IR2113STRPBF 编号：C5261050

封装：SOW-16

品牌：Tokmas(托克马斯)

高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥4.1952 ￥4.56
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￥3.3948 ￥3.69
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￥2.9992 ￥3.26
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￥2.6036 ￥2.83
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￥2.2632 ￥2.46
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￥2.1344 ￥2.32

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型号：HX34152-P 编号：C41399178

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

HX34152-P是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的电力使用和高可靠性。

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￥4.392 ￥4.88
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￥3.537 ￥3.93
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￥3.114 ￥3.46
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￥2.682 ￥2.98
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￥2.43 ￥2.7
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￥2.304 ￥2.56

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型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥4.52
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￥3.65
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￥3.22
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￥2.79
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￥2.54
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￥2.4

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型号：1EDN7512G 编号：C533028

封装：DFN-6(3x3)

1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET，支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和氮化镓（GaN）功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容（CMOS 3.3 V），输入电压范围为-5 V至+20 V

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1+
￥4.57
10+
￥4.1
30+
￥3.84
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￥3.54

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型号：IRS2301STRPBF 编号：C520632

封装：SOIC-8

IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥4.58
10+
￥3.71
30+
￥3.28

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型号：DRV8300NRGER 编号：C3655266

封装：VQFN-24(4x4)

DRV8300 具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器

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1+
￥5.38
10+
￥4.32
30+
￥3.78
100+
￥3.25

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型号：IRS10752LTRPBF 编号：C126923

封装：SOT-23-6

IRS10752是一款高端单通道栅极驱动IC，具备100V阻断和电平转换能力。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS10752具有较宽的VCC电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或 -VS开关环境中具有出色的抗干扰能力

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1+
￥5.44
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￥4.33
30+
￥3.78
100+
￥3.23

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型号：EG2136 编号：C480663

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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1+
￥5.92
10+
￥4.75
26+
￥4.21

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型号：CSD95379Q3MT 编号：C2863273

封装：VSON-10-EP(3.3x3.3)

CSD95379Q3M 同步降压 NexFE 功率级，CSD95379Q3M

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1+
￥6.02
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￥5.88
30+
￥5.79

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型号：VNN3NV04PTR-E 编号：C443999

封装：SOT-223-4

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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￥6.44
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￥5.32
30+
￥4.71

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型号：UCC44273DBVR 编号：C22427645

封装：SOT-23-5

数据手册

1+
￥6.47
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￥5.34
30+
￥4.73

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型号：UCC27524A1QDGNRQ1 编号：C2677103

封装：HVSSOP-8

具有 5V UVLO 和负输入电压处理能力的汽车 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140

数据手册

1+
￥6.79
10+
￥5.6
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￥4.95
100+
￥4.21

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型号：1ED44173N01BXTSA1 编号：C1513367

封装：SOT-23-6

1ED44173N01B是一款低压功率MOSFET同相栅极驱动器。采用专有的抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容

数据手册

1+
￥6.87
10+
￥5.66
30+
￥5
100+
￥4.05
500+
￥3.71

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型号：LM5114BSDX/NOPB 编号：C2677166

封装：WSON-6-EP(3x3)