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NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

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型号：IRS21531DSTRPBF 编号：C538293

封装：SOIC-8

基于流行的IR2153自振荡半桥栅极驱动器IC，采用更先进的硅平台，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。通过栅极驱动器的低di/dt峰值实现抗噪性。

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型号：TPS2812PWR 编号：C2873018

封装：TSSOP-8

TPS2812 具有内部稳压器的 2A/2A 双路栅极驱动器

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型号：UCC27524AQDRQ1 编号：C544585

封装：SOIC-8

UCC27524A-Q1 具有负输入电压能力的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

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型号：FAN3224TUMX-F085 编号：C903491

封装：SOIC-8

FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠电压锁闭功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：LM5107SD/NOPB 编号：C2653795

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：L6494LD 编号：C2965455

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：UCC37321DR 编号：C2677180

封装：SOIC-8

具有反相输入、分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC 0 to 70

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型号：TC4426AEOA 编号：C636878

封装：SOIC-8

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型号：UCC27322QDGNRQ1 编号：C2861686

封装：HVSSOP-8-EP-0.65mm

高速驱动器在业界通用引脚排列中提供9A峰值驱动电流。这些驱动器可以为由于高dV/dt转换而需要极端米勒电流的系统驱动较大的MOSFET。这样无需额外的外部电路，并且可以替换多个元件，以减少空间，降低设计复杂性和组装成本。提供两种标准逻辑选项：反相和同相

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型号：MC34152DG 编号：C236137

封装：SOIC-8

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：1EDI05I12AF 编号：C530949

封装：DSO-8

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：UCC27537DBVT 编号：C2877709

封装：SOT-23-5

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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型号：MIC4417YM4-TR 编号：C625793

封装：SOT-143

设计用于在低端开关应用中，通过与TTL兼容的控制信号来切换N沟道增强型MOSFET。具有短延迟和高峰值电流，可产生精确的边沿和快速的上升、下降时间。采用微型4引脚SOT-143封装，占用空间小。由+4.5V至+18V的电源电压供电。导通状态下的驱动输出电压近似等于电源电压（无内部稳压器或钳位电路）。高电源电压（如10V）适用于标准N沟道MOSFET；低电源电压（如5V）适用于逻辑电平N沟道MOSFET。在低端配置中，驱动器可控制一个MOSFET，该MOSFET可切换高达其额定值的任何电压。提供SOT-143封装，额定环境温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：MIC4605-2YM-TR 编号：C628052

封装：SOIC-8

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控半桥输出，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高电源效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声同时开启两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大限度提高系统效率

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型号：LM5114AMFX/S7003103 编号：C5218786

封装：SOT-23-6

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：IRS21864STRPBF 编号：C538312

封装：SOIC-14

IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：MIC4605-1YMT-TR 编号：C621919

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：NCV8412ADDR2G 编号：C2902156

封装：SOIC-8

NCV8412是一款三端保护型低边智能分立FET。其保护功能包括Δ热关断、过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件还可通过栅极引脚提供故障指示

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型号：TPS2814PWR 编号：C130058

封装：TSSOP-8

TPS2814 具有 2 个与门输入（每个输出各一个）的 2A/2A 双路栅极驱动器

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型号：MCP14A0151T-E/CH 编号：C625307

封装：SOT-23-6

高速MOSFET驱动器能够在单4.5V至18V电源供电下提供高达1.5A的峰值电流。反相（MCP14A0151）或同相（MCP14A0152）单通道输出可直接由TTL或CMOS（2V至18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A0151/2系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，以使MCP14A0151/2的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成的上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。此外，MCP14A0151/2器件具有独立的接地引脚（A_GND和GND），可在对电平敏感的输入/使能引脚与推挽输出级的快速大电流转换之间实现更好的噪声隔离。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们可以承受高达500 mA的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达1.75 kV（HBM）和200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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型号：FAN7191MX-F085 编号：C604977

封装：SOIC-8

FAN7191_F085 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。

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型号：TC4428AEPA 编号：C640793

封装：PDIP-8

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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型号：LM27222MX/NOPB 编号：C2653801

封装：SOIC-8

LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器

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型号：TC1411NEOA713 编号：C624887

封装：SOIC-8

TC1411/TC1411N是1A的CMOS缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁。当接地引脚出现高达5V的任一极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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型号：NCV57084DR2G 编号：C5206728

封装：SOIC-8

NCx57084是一款大电流单通道IGBT栅极驱动器，具备2.5 kVrms内部电流隔离功能，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。该驱动器在窄体SOIC - 8封装中集成了带软关断功能的DESAT短路保护和故障报告功能。

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型号：IR2111SPBF 编号：C2970

封装：SOIC-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)