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MCP1401/02 是高速 MOSFET 驱动器，能够提供 500 mA 的峰值电流。反相或同相单通道输出可直接由 TTL 或 CMOS（3V 至 18V）控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用

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型号：IRS2301STRPBF 编号：C520632

封装：SOIC-8

IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：1EDN7512G 编号：C533028

封装：DFN-6(3x3)

1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET，支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和氮化镓（GaN）功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容（CMOS 3.3 V），输入电压范围为-5 V至+20 V

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型号：FD6636S 编号：C840086

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6636S是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达 +600V 电压下工作。

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型号：LM5109BQNGTRQ1 编号：C2876136

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：FAN3224TUMX-F085 编号：C903491

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠电压锁闭功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：UCC27611DRVR 编号：C5218780

封装：WSON-6(2x2)

UCC27611是一款针对5V驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式GaNFET进行寻址。驱动电压VREF被内部线性稳压器精确稳压至5V。UCC27611提供4A拉电流和6A灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。

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型号：UCC37321DR 编号：C2677180

封装：SOIC-8

具有反相输入、分离输出和使能功能的 9A/9A 单通道栅极驱动器 8-SOIC 0 to 70

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型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：LM5111-2M/NOPB 编号：C132015

封装：SOIC-8

LM5111 具有高电平或低电平有效输出 4V UVLO 的 5A/3A 双通道栅极驱动器

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型号：UCC27519AQDBVRQ1 编号：C2870531

封装：SOT-23-5

具有 5V UVLO、使能功能和 CMOS 输入的汽车类 4A/4A 单通道栅极驱动器 5-SOT-23 -40 to 125

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型号：IRS21864STRPBF 编号：C538312

封装：SOIC-14

IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：6EDL04I06PT 编号：C533113

封装：SO-28-300mil

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：LM5112MY/NOPB 编号：C115281

封装：MSOP-8-EP

LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器

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型号：TC4420EOA 编号：C68314

封装：SOIC-8

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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型号：LM5114BMFX/NOPB 编号：C2677165

封装：SOT-23-6

LM5114 具有 4V UVLO 和分离输出的 7.6A/1.3A 单通道栅极驱动器

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型号：TPS2814PWR 编号：C130058

封装：TSSOP-8

TPS2814 具有 2 个与门输入（每个输出各一个）的 2A/2A 双路栅极驱动器

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型号：2EDF9275FXUMA1 编号：C1870161

封装：SOIC-16

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

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型号：UCC27302ADRCR 编号：C50092311

封装：VSON-10(3x3)

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型号：NCV7535DBR2G 编号：C603996

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

NCV7535 是一款单片 SPI控制的 H 桥预驱动器，提供对于直流电机的控制。由于 SPI 接口，它包含了汽车系统中使用的增强功能集。因此这是一个高度集成的方案。

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型号：UCC27735QDRQ1 编号：C51955933

封装：SOIC-14

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型号：LM27222MX/NOPB 编号：C2653801

封装：SOIC-8

LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器

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型号：MP1924HS-LF-Z 编号：C6595398

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

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型号：MP1907AGQ-Z 编号：C6096968

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配在5ns以内。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出低电平

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型号：2EDB9259YXUMA1 编号：C17432716

封装：DSO-14

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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型号：TC4426EOA 编号：C27201

封装：SOIC-8

TC4426/TC4427/TC4428器件是早先TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进型。在MOSFET的门极充放电时，TC4426/TC4427/TC4428器件具有匹配的上升和下降时间。在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有很好的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达5V的干扰峰值（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件能够接受强行返回至输出的高达500mA的反向电流（无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部引脚都是完全静电放电（Electrostatic Discharge, ESD）保护的，能够承受至多4kV的静电。TC4426/TC4427/TC4428 MOSFET驱动器，能够在30ns之内，轻松地对1000pF的门极电容进行充电/放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗，确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态也不会影响期望状态。其他兼容的驱动器是TC4426A/TC4427A/TC4428A系列器件。TC4426A/TC4427A/TC4428A器件，除了具有与TC4426/TC4427/TC4428器件类似的匹配上升和下降时间之外，还具有匹配的输入到输出的上升和下降延时时间。

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型号：TLF11251EPXUMA1 编号：C1518701

封装：HTSSOP-14-EP

是一款带有集成驱动器和电平转换器的2.5A半桥。它在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成，以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑，并确保其在指定范围内的电源电压下工作。

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型号：LM5060Q1MMX/NOPB 编号：C206490

封装：VSSOP-10-0.5mm

LM5060-Q1 汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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型号：TC4420CPA 编号：C48733

封装：PDIP-8