高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：EG1163S 编号：C480648

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1163是一款高压大电流降压型DC-DC电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能，非常适合高压大电流场合应用，配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输入。

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型号：IRS2302SPBF 编号：C538315

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IR21094SPBF 编号：C537551

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR2153SPBF 编号：C537596

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：3236(4)ESA 编号：C782184

封装：SOIC-28-300mil

品牌：VP(中芯集成)

3236(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有3个独立高压通道和3个独立低压通道，高低通道搭配用于3相驱动。采用HVIC工艺可将600V高压器件和低压模块集成在一个芯片中。逻辑信号输入端兼容CMOS或LSTTL输出信号，最低适合3.3V逻辑信号。

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￥1.4849 ￥4.79
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型号：NSG2181 编号：C7421058

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：IR25606STRPBF 编号：C537639

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：IRS2304PBF 编号：C538317

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：IR21531SPBF 编号：C537595

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

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型号：IR2111SPBF 编号：C2970

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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型号：LTC7060JMSE#PBF 编号：C690116

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：LTC7061EMSE#PBF 编号：C3717111

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。

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型号：ADUM6132ARWZ-RL 编号：C661389

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

是一种隔离半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供，不仅为高端输出供电，还为常用的外部缓冲电路供电，消除了与外部电源配置（如自举电路）相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V，具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板（PCB）布局期间，必须特别注意以满足排放标准。

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型号：NSG2027 编号：C41414484

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：4/4A、集成自举二极管（180ohm）

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￥1.79
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型号：3553DEPA 编号：C336591

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3553DEPA 3553 是一种高压、高速的整流器控制芯片，内部集成了一个前置振荡器、高压半桥驱动电路和功率MOSFET，形成一款多功能，更加安全的整流器控制芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电压超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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￥4.0545 ￥4.77
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型号：IRS2111SPBF 编号：C538274

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容

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￥9.01
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型号：IR2109SPBF 编号：C537553

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥15.51
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30+
￥14.94

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型号：TLE4207GXUMA2 编号：C2653558

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE4207G是一款受保护的双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件采用英飞凌双极高压功率技术DOPL制造。

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￥25.39

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型号：IR2304PBF 编号：C520669

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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￥7.97
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￥7.69

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型号：IR21844PBF 编号：C2992

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥55.73
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￥48.28
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型号：AiP2163SA8.TB 编号：C52260123

封装：SOP-8

品牌：I-CORE(中微爱芯)

90V高压半桥驱动电路

5+
￥1.1309
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￥0.8941
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￥0.7925

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型号：3201ESA/T 编号：C2684797

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

3201/3202 是一款高压、高速MOSFET 和IGBT 驱动芯片，具有独立的高压侧和低压侧输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS 输出或者LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V。

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5+
￥1.901
50+
￥1.523
150+
￥1.361

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型号：IMP3201ESA/T 编号：C72885

封装：SOP-8

品牌：IMP(日银IMP微电子)

600V，高压、高速 MOSFET和IGBT 驱动器

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1+
￥1.7799
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￥1.4017
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￥1.2396

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型号：IRS2109STRPBF 编号：C538270

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2109/IRS21094 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V

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￥5.31
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￥5.17
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型号：IRS21091STRPBF 编号：C538264

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21091是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥8.905
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￥8.22
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￥8.083
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￥7.809
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￥7.672

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型号：NCV7708FDQR2G 编号：C603998

封装：SSOP-24-NB-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV7708F 是一款全保护型六路半桥驱动器，特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置，也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。

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1+
￥16.48
10+
￥16.11
30+
￥15.87
100+
￥15.63

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型号：ADUM6132ARWZ 编号：C661388

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

是一种隔离半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供，不仅为高端输出供电，还为常用的外部缓冲电路供电，消除了与外部电源配置（如自举电路）相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V，具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板（PCB）布局期间，必须特别注意以满足排放标准。

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100+
￥63.69
1000+
￥61.953

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型号：AiP2164SA8.TB 编号：C52260124

封装：SOP-8

品牌：I-CORE(中微爱芯)

250V高压半桥驱动电路

5+
￥1.4678
50+
￥1.1604
200+
￥1.0286
500+
￥0.8642
2500+
￥0.791
5000+
￥0.7471

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型号：KT9-200-249 编号：C7526365

封装：-

品牌：KENTA(克恩达)

单价：
￥5776.03 / 台

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