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首页 > 热门关键词 > 高压半桥驱动
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U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
  • 5+

    ¥0.9085
  • 50+

    ¥0.7069
  • 150+

    ¥0.6205
  • 500+

    ¥0.5127
  • 2500+

    ¥0.4647
  • 4000+

    ¥0.4359
  • 订货
  • 相同型号IMP3553DEPA 3553 是一种高压、高速的整流器控制芯片,内部集成了一个前置振荡器、高压半桥驱动电路和功率MOSFET,形成一款多功能,更加安全的整流器控制芯片。管脚CT 具有保护关断功能,可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外,输出脉冲的宽度保持一致,一旦VCC 上电压超过开启阈值,驱动器就能以更加稳定的频率振荡。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.5017 ¥2.69
    • 10+

      ¥2.1829 ¥2.63
    • 50+

      ¥1.8907 ¥2.59
    • 100+

      ¥1.8615 ¥2.55
  • 有货
  • IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥9.01
    • 10+

      ¥8.81
    • 30+

      ¥8.68
  • 有货
  • IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.51
    • 10+

      ¥15.17
    • 30+

      ¥14.94
  • 有货
  • TLE4207G是一款受保护的双半桥驱动器,专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件采用英飞凌双极高压功率技术DOPL制造。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.6
    • 10+

      ¥28.08
    • 30+

      ¥25.39
  • 有货
  • 3236(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有3个独立高压通道和3个独立低压通道,高低通道搭配用于3相驱动。采用HVIC工艺可将600V高压器件和低压模块集成在一个芯片中。逻辑信号输入端兼容CMOS或LSTTL输出信号,最低适合3.3V逻辑信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥4.34
    • 30+

      ¥4.09
    • 100+

      ¥3.81
    • 500+

      ¥3.69
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.97
    • 10+

      ¥7.8
    • 30+

      ¥7.69
  • 有货
  • IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥55.73
    • 10+

      ¥48.28
    • 25+

      ¥43.73
  • 有货
  • U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥0.7561
    • 50+

      ¥0.5977
    • 150+

      ¥0.5185
    • 500+

      ¥0.4591
    • 2500+

      ¥0.4116
    • 4000+

      ¥0.3878
  • 订货
  • U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥0.8019
    • 50+

      ¥0.6339
    • 150+

      ¥0.5499
    • 500+

      ¥0.4869
    • 2500+

      ¥0.4365
    • 4000+

      ¥0.4113
  • 订货
  • U2115D/U2116D可在高达+200V电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计,可将驱动器的交叉导通降至最低
    • 5+

      ¥0.6644
    • 50+

      ¥0.5252
    • 150+

      ¥0.4556
    • 500+

      ¥0.4034
    • 2500+

      ¥0.3617
    • 4000+

      ¥0.3408
  • 订货
  • U2181C可在高达+600V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的直通导通
    • 5+

      ¥2.1119
    • 50+

      ¥1.6583
    • 150+

      ¥1.4639
    • 500+

      ¥1.2214
    • 2500+

      ¥1.1134
    • 4000+

      ¥1.0485
  • 订货
  • 90V高压半桥驱动电路
    • 5+

      ¥0.6072
    • 50+

      ¥0.5937
    • 200+

      ¥0.5846
  • 有货
  • 250V高压半桥驱动电路
    • 5+

      ¥0.7881
    • 50+

      ¥0.7705
    • 200+

      ¥0.7588
  • 有货
  • 3201/3202 是一款高压、高速MOSFET 和IGBT 驱动芯片,具有独立的高压侧和低压侧输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS 输出或者LSTTL 输出兼容,最低可至 3.3V。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.901
    • 50+

      ¥1.523
    • 150+

      ¥1.361
  • 有货
  • IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 10+

      ¥5.7969
    • 100+

      ¥5.5822
    • 200+

      ¥5.1528
    • 1000+

      ¥4.9381
    • 2000+

      ¥4.7234
    NCV7708F 是一款全保护型六路半桥驱动器,特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置,也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。
    数据手册
    • 单价:

      ¥16.2 / 个
    是一种隔离半桥栅极驱动器,采用iCoupler技术,为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供,不仅为高端输出供电,还为常用的外部缓冲电路供电,消除了与外部电源配置(如自举电路)相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V,具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板(PCB)布局期间,必须特别注意以满足排放标准。
    数据手册
    • 单价:

      ¥28.1664 / 个
    是一种隔离半桥栅极驱动器,采用iCoupler技术,为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供,不仅为高端输出供电,还为常用的外部缓冲电路供电,消除了与外部电源配置(如自举电路)相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V,具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板(PCB)布局期间,必须特别注意以满足排放标准。
    数据手册
    • 单价:

      ¥28.1664 / 个
    600V,高压、高速 MOSFET和IGBT 驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.7799
    • 10+

      ¥1.4017
    • 30+

      ¥1.2396
  • 有货
  • NCV7708F 是一款全保护型六路半桥驱动器,特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置,也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。
    数据手册
    • 300+

      ¥14.729
    • 900+

      ¥14.4612
    IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.8
    • 100+

      ¥2.75
  • 订货
  • ULN2003A 高电压、大电流达林顿晶体管阵列
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7084
    • 50+

      ¥0.5598
    • 150+

      ¥0.4834
    • 500+

      ¥0.4204
    • 2500+

      ¥0.3984
    • 5000+

      ¥0.3836
  • 有货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.99
    • 10+

      ¥2.36
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.7444 ¥1.78
    • 500+

      ¥1.4112 ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.372 ¥1.4
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.2
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.16
    • 100+

      ¥1.7945 ¥1.85
    • 500+

      ¥1.5423 ¥1.59
    • 1000+

      ¥1.4938 ¥1.54
  • 有货
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