高压半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥2.66
30+
￥2.34
100+
￥1.94

有货

立即购买

型号：IRS2004STRPBF 编号：C78066

封装：SOIC-8

IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.91
30+
￥2.59
100+
￥2.27

有货

立即购买

型号：EG1165S 编号：C2987435

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压半桥 PWM 控制芯片，内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能，非常适合高压大功率场合应用，配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入。

数据手册

1+
￥4.99
10+
￥4.02
50+
￥3.53
100+
￥3.05

有货

立即购买

型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

数据手册

1+
￥21.99
10+
￥18.65
30+
￥16.66
100+
￥14.66

有货

立即购买

型号：COS2181STRPBF 编号：C7501651

封装：SOP-8

高低边半桥驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥3.4
10+
￥2.75
30+
￥2.42
100+
￥2.1
500+
￥1.9
1000+
￥1.8

有货

立即购买

型号：COS21844S 编号：C42377825

封装：SOP-14

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥4.01
10+
￥3.56
30+
￥3.33
100+
￥3.11
500+
￥2.97
1000+
￥2.9

有货

立即购买

型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥4.52
10+
￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.79
500+
￥2.54
1000+
￥2.4

有货

立即购买

型号：EG2136 编号：C480663

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

数据手册

1+
￥5.92
10+
￥4.75
26+
￥4.21

有货

立即购买

型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

数据手册

1+
￥34.22
10+
￥29.32
30+
￥26.41
100+
￥21.5832 ￥23.46
500+
￥20.332 ￥22.1
1000+
￥19.7708 ￥21.49

有货

立即购买

型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8

IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.81
30+
￥2.47
100+
￥1.95

有货

立即购买

型号：LTC7060EMSE#TRPBF 编号：C3717110

封装：MSOP-12-EP

LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

1+
￥30.4
10+
￥25.96
30+
￥23.32

有货

立即购买

型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

数据手册

1+
￥32.5858 ￥39.26
10+
￥31.872 ￥38.4
37+
￥31.3989 ￥37.83
111+
￥30.9175 ￥37.25

有货

立即购买

型号：NSG2181 编号：C7421058

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

1+
￥3.154 ￥3.32
10+
￥2.793 ￥2.94
30+
￥2.622 ￥2.76
100+
￥2.4415 ￥2.57
500+
￥2.337 ￥2.46
1000+
￥2.2895 ￥2.41

有货

立即购买

型号：IR25606STRPBF 编号：C537639

封装：SOIC-8

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥7.1064 ￥8.46
10+
￥6.1198 ￥8.27
30+
￥5.216 ￥8.15
100+
￥5.1392 ￥8.03

有货

立即购买

型号：IR2183PBF 编号：C537608

封装：PDIP-8

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥49.198 ￥72.35
10+
￥36.3196 ￥62.62
30+
￥25.9968 ￥54.16
100+
￥23.6112 ￥49.19

有货

立即购买

型号：COS21834S 编号：C42411193

封装：SOP-14

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥2.95
10+
￥2.88
30+
￥2.84
100+
￥2.79

有货

立即购买

型号：IRS2184SPBF 编号：C1549306

封装：SOIC-8

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥16.75
10+
￥16.36
30+
￥16.1

有货

立即购买

型号：LTC7061EMSE#PBF 编号：C3717111

封装：MSOP-12-EP

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。

1+
￥33.78
10+
￥33
30+
￥32.48

有货

立即购买

型号：LTC7060HMSE#PBF 编号：C690112

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

数据手册

1+
￥35.38
10+
￥34.45
30+
￥33.83

有货

立即购买

型号：GR8853AJG 编号：C436826

封装：DIP-8

品牌：Grenergy(南京绿芯)

GR8853A是一款高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器，具备高端和低端参考输出通道。其采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。前端配备一个可编程振荡器，类似于555定时器

数据手册

1+
￥4.03
10+
￥3.25
50+
￥2.85
100+
￥2.46
500+
￥2.23
1000+
￥2.11

有货

立即购买

型号：IR2184SPBF 编号：C537610

封装：SOIC-8

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥19.64
10+
￥19.16
30+
￥18.84

有货

立即购买

型号：TM2123-SOP8-TA2402C 编号：C51026294

封装：SOP-8

品牌：TM(天微)

TM2123 是一款具有VCC欠压保护和输入高低侧信号互锁功能的高压半桥驱动芯片，内置VCC欠压保护电路可防止功率管工作在过低的电压下，提高效率。同时内置输入高低侧信号互锁电路可防止功率管上下桥臂发生直通，有效保护高压功率器件。设计该芯片主要用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。适用于电动自行车、马达驱动、电动工具等电机驱动类产品。本产品性能优良，质量可靠。

5+
￥0.4909
50+
￥0.48
200+
￥0.4727
500+
￥0.4654

有货

立即购买

型号：U3116C 编号：C20626025

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.7704
50+
￥0.6024
150+
￥0.5184
500+
￥0.4554
2500+
￥0.405
4000+
￥0.3798

订货

我要订货

型号：IR21094SPBF 编号：C537551

封装：SOIC-14

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥13.6
10+
￥11.15
30+
￥9.62

有货

立即购买

型号：IR21531SPBF 编号：C537595

封装：SOIC-8

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

数据手册

1+
￥15.4
10+
￥15.02
30+
￥14.76

有货

立即购买

型号：IR2153SPBF 编号：C537596

封装：SOIC-8

IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出

数据手册

1+
￥16.23
10+
￥13.65
30+
￥12.04

有货

立即购买

型号：IR2109PBF 编号：C537552

封装：PDIP-8

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥18.03
10+
￥17.6
30+
￥16.43

有货

立即购买

型号：LTC7060JMSE#PBF 编号：C690116

封装：MSOP-12-EP-0.65mm