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首页 > 热门关键词 > 高压半桥驱动
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EG1162是一款高压大电流降压型同步整流DC-DC电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能,非常适合大电流场合应用,尤其5V输出场合。
数据手册
  • 1+

    ¥3.65
  • 10+

    ¥3.24
  • 30+

    ¥3.03
  • 100+

    ¥2.82
  • 500+

    ¥2.59
  • 1000+

    ¥2.52
  • 有货
  • 高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.431 ¥1.59
    • 50+

      ¥1.242 ¥1.38
    • 150+

      ¥1.161 ¥1.29
    • 500+

      ¥1.08 ¥1.2
    • 2500+

      ¥1.035 ¥1.15
    • 4000+

      ¥1.008 ¥1.12
  • 有货
  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.23
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      ¥5.97
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      ¥5.28
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      ¥4.24
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.73
  • 有货
  • 一款高压半桥 PWM 控制芯片,内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能,非常适合高压大功率场合应用,配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.9
    • 10+

      ¥3.08
    • 30+

      ¥2.67
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      ¥2.26
    • 500+

      ¥2.15
    • 1000+

      ¥2.02
  • 有货
  • 半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片,设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率。内置防止直通功能和死区时间,防止功率管发生直通,有效保护功率器件。
    • 5+

      ¥0.7249
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      ¥0.5809
    • 150+

      ¥0.5089
    • 500+

      ¥0.4549
    • 2500+

      ¥0.4117
    • 4000+

      ¥0.39
  • 有货
  • XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.679
    • 50+

      ¥0.5518
    • 150+

      ¥0.4882
    • 500+

      ¥0.4405
    • 2500+

      ¥0.3865
    • 4000+

      ¥0.3674
  • 有货
  • XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8465
    • 50+

      ¥0.6545
    • 150+

      ¥0.5585
    • 500+

      ¥0.4865
  • 有货
  • SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.63
    • 30+

      ¥1.53
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.63
    • 30+

      ¥1.53
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流:4/4A、VSS/COM地隔离
    • 1+

      ¥5.453 ¥5.74
    • 10+

      ¥4.389 ¥4.62
    • 30+

      ¥3.857 ¥4.06
    • 100+

      ¥3.3345 ¥3.51
    • 500+

      ¥3.021 ¥3.18
    • 1000+

      ¥2.8595 ¥3.01
  • 有货
  • U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥0.6529
    • 50+

      ¥0.5089
    • 150+

      ¥0.4369
    • 500+

      ¥0.3829
    • 2500+

      ¥0.3397
  • 有货
  • U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉导通降至最低
    • 5+

      ¥0.7912
    • 50+

      ¥0.6232
    • 150+

      ¥0.5391
    • 500+

      ¥0.4761
    • 2500+

      ¥0.4257
  • 有货
  • 是一款三相高速功率MOSFET驱动器,具有6个通道,最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑输入。此外,采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。为PMOS和NMOS输出10V门电源电压,为了简化PCB设计,集成了一个5V/40mA的LDO,用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑,还集成了热关闭保护。
    • 5+

      ¥0.879415 ¥0.9257
    • 50+

      ¥0.76494 ¥0.8052
    • 150+

      ¥0.715825 ¥0.7535
    • 500+

      ¥0.65455 ¥0.689
    • 2500+

      ¥0.627285 ¥0.6603
    • 5000+

      ¥0.610945 ¥0.6431
  • 有货
  • IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.41
    • 30+

      ¥2.98
    • 100+

      ¥2.55
  • 有货
  • NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟,以及 ?3.5 V 至 +650 V(典型值)共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力,两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.97
    • 10+

      ¥13.4
    • 30+

      ¥11.78
    • 100+

      ¥10.13
  • 有货
  • U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉导通降至最低
    • 5+

      ¥1.8013
    • 50+

      ¥1.3981
    • 150+

      ¥1.2253
  • 有货
  • EG1166是一款集成600V半桥驱动的双管正激电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动、主动同步整流等功能,非常适合高压大电流场合应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥3
    • 100+

      ¥2.8
    • 500+

      ¥2.68
  • 有货
  • 高低边半桥驱动,10V-20V 电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥4.44
    • 10+

      ¥3.57
    • 30+

      ¥3.14
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.32
  • 有货
  • SL2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥2.104 ¥2.63
    • 10+

      ¥1.656 ¥2.07
    • 30+

      ¥1.464 ¥1.83
    • 100+

      ¥1.216 ¥1.52
    • 500+

      ¥1.112 ¥1.39
    • 1000+

      ¥1.048 ¥1.31
  • 有货
  • EG1163是一款高压大电流降压型DC-DC电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能,非常适合高压大电流场合应用,配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输入。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.64
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥2.98
    • 100+

      ¥2.77
  • 有货
  • IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.73
    • 10+

      ¥9.9
    • 30+

      ¥8.75
    • 100+

      ¥7.58
    • 500+

      ¥7.05
  • 有货
  • U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥0.6186
    • 50+

      ¥0.489
    • 150+

      ¥0.4242
    • 500+

      ¥0.3756
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.16 ¥2.7
    • 10+

      ¥2.112 ¥2.64
    • 30+

      ¥2.08 ¥2.6
    • 100+

      ¥2.048 ¥2.56
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.41
    • 30+

      ¥2.98
    • 100+

      ¥2.55
  • 有货
  • EG1612芯片是一款专用于逆变器前级推挽或全桥升压的控制芯片,集成了三路高压半桥驱动器,提供了蓄电池欠压和过压关断、欠压蜂鸣和过流关断保护,输出两路推挽模式的40K-111KHz PWM信号,电压反馈采用了浅闭环稳压模式,能实现最高电压限制,防止空载时电压过高而导致烧MOS管的现象,同时节省了变压器输出的滤波电感,降低整体成本及PCB空间。
    • 1+

      ¥14.18
    • 10+

      ¥12.01
    • 30+

      ¥10.65
  • 有货
  • 驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET,电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET,具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.97
    • 10+

      ¥29.24
    • 30+

      ¥28.76
    • 100+

      ¥27.7046 ¥28.27
  • 有货
  • XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
    • 5+

      ¥0.76076 ¥0.8008
    • 50+

      ¥0.59299 ¥0.6242
    • 150+

      ¥0.509105 ¥0.5359
    • 500+

      ¥0.44612 ¥0.4696
    • 2500+

      ¥0.39577 ¥0.4166
    • 4000+

      ¥0.370595 ¥0.3901
  • 有货
  • 高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥5.128 ¥6.41
    • 10+

      ¥4.16 ¥5.2
    • 30+

      ¥3.68 ¥4.6
    • 100+

      ¥3.2 ¥4
    • 500+

      ¥2.912 ¥3.64
    • 1000+

      ¥2.76 ¥3.45
  • 有货
  • 高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥6.04 ¥7.55
    • 10+

      ¥5.032 ¥6.29
    • 50+

      ¥4.48 ¥5.6
    • 100+

      ¥3.856 ¥4.82
    • 500+

      ¥3.576 ¥4.47
    • 1000+

      ¥3.448 ¥4.31
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    • 1+

      ¥8.168 ¥10.21
    • 10+

      ¥6.968 ¥8.71
    • 25+

      ¥6.216 ¥7.77
    • 100+

      ¥5.44 ¥6.8
    • 500+

      ¥5.088 ¥6.36
    • 1000+

      ¥4.936 ¥6.17
  • 有货
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