半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRS21844STRPBF-JSM 编号：C7498968

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥9.1675 ￥9.65
10+
￥7.6285 ￥8.03
30+
￥6.783 ￥7.14
100+
￥5.8235 ￥6.13
500+
￥5.4055 ￥5.69
1000+
￥5.206 ￥5.48

有货

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

数据手册

1+
￥12.0714 ￥12.98
10+
￥9.9185 ￥11.95
30+
￥8.2563 ￥11.31
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￥7.7745 ￥10.65
500+
￥7.5555 ￥10.35
1000+
￥7.4606 ￥10.22

有货

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

1+
￥13.8043 ￥18.91
10+
￥10.1682 ￥16.14
30+
￥7.632 ￥14.4
100+
￥6.6886 ￥12.62
500+
￥6.2646 ￥11.82
1000+
￥6.0791 ￥11.47

有货

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型号：DRV8244HQDGQRQ1 编号：C6183904

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

1+
￥30.26
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￥26.98
30+
￥24.89
100+
￥22.86

有货

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型号：LT1158ISW#TRPBF 编号：C662899

封装：SO-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

数据手册

1+
￥56.0032 ￥65.12
10+
￥55.2636 ￥64.26
30+
￥53.9736 ￥62.76
100+
￥52.847 ￥61.45

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型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310

封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)

品牌：TI(德州仪器)

集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。

数据手册

1+
￥93.98
10+
￥85.2
30+
￥82.01

有货

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型号：U3115E 编号：C22398250

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥0.7886
50+
￥0.6942
150+
￥0.6537
500+
￥0.6033

有货

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型号：U3116C 编号：C20626025

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥1.1085
50+
￥0.862
150+
￥0.7564

有货

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型号：EG2304 编号：C5346627

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

高压600v半桥MOS管驱动芯片

数据手册

5+
￥1.1933
50+
￥1.0421
150+
￥0.9773
500+
￥0.8964
2500+
￥0.8604

有货

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型号：EG3014S 编号：C7501754

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3014S 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3014S 高端的工作电压可达80V，Vcc 的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8 封装。

5+
￥1.3068
50+
￥1.0346
150+
￥0.918
500+
￥0.7724

有货

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型号：EG2204 编号：C20416239

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2204是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2204高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

有货

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型号：EG6388 编号：C20416245

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG6388是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG6388高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±0.5/0.9A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
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￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

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型号：LM5109AMAX-JSM 编号：C7432826

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向驱动配置 LM5109A是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

5+
￥1.92096 ￥2.1344
50+
￥1.51272 ￥1.6808
150+
￥1.33776 ￥1.4864
500+
￥1.03851 ￥1.1539
2500+
￥0.94131 ￥1.0459
4000+
￥0.8829 ￥0.981

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型号：DOS2106 编号：C52140041

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.1175
50+
￥1.6739
150+
￥1.4839
500+
￥1.2467
2500+
￥1.1411

有货

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型号：FAN7380MX-JSM 编号：C17701710

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 FAN7380是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.184 ￥2.73
10+
￥1.936 ￥2.42
30+
￥1.816 ￥2.27
100+
￥1.688 ￥2.11
500+
￥1.616 ￥2.02
1000+
￥1.584 ￥1.98

有货

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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥3.23
10+
￥2.51
30+
￥2.2
100+
￥1.81
500+
￥1.64

有货

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型号：NCP5106ADR2G-JSM 编号：C44606286

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.29
10+
￥2.64
30+
￥2.32
100+
￥2

有货

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型号：IR25606STRPBF-JSM 编号：C41421795

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥4.28
10+
￥3.41
30+
￥2.98
100+
￥2.55

有货

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型号：NSG5183 编号：C52975935

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

1+
￥4.44
10+
￥3.6
30+
￥3.18
100+
￥2.76
500+
￥2.51
1000+
￥2.38

有货

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型号：FAN7392N-MNS 编号：C47967294

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

1+
￥4.55
10+
￥3.68
25+
￥3.25
100+
￥2.82
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

有货

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型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

数据手册

1+
￥4.8762 ￥7.74
10+
￥3.7259 ￥7.03
30+
￥2.8552 ￥6.64
100+
￥2.666 ￥6.2
500+
￥2.5843 ￥6.01
1000+
￥2.5456 ￥5.92

有货

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型号：LM5106SD/NOPB 编号：C2876328

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.5242 ￥8.37
10+
￥4.3176 ￥7.71
30+
￥3.3534 ￥7.29
100+
￥3.1602 ￥6.87
500+
￥3.0728 ￥6.68
1000+
￥3.0314 ￥6.59

有货

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型号：TF21084-TUH 编号：C2683762

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥6.33
10+
￥5.7
30+
￥5.36
100+
￥4.97

有货

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.426 ￥7.14
10+
￥5.823 ￥6.47
30+
￥5.49 ￥6.1
100+
￥5.112 ￥5.68
500+
￥4.941 ￥5.49
1000+
￥4.869 ￥5.41

有货

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型号：IR21364STRPBF-JSM 编号：C17701724

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥7.072 ￥8.32
10+
￥5.848 ￥6.88
30+
￥5.1765 ￥6.09
100+
￥4.42 ￥5.2
500+
￥4.08 ￥4.8
1000+
￥3.927 ￥4.62

有货

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型号：TF21834M-TUH 编号：C5382739

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥7.128 ￥7.92
10+
￥6.561 ￥7.29
30+
￥6.201 ￥6.89
100+
￥5.841 ￥6.49
500+
￥5.679 ￥6.31
1000+
￥5.607 ￥6.23

有货

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型号：IR2010STRPBF 编号：C114890

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200V的N沟道功率MOSFET或IGBT。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现坚固的单片结构。

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