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首页 > 热门关键词 > 半桥电机驱动
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TLE94106ES是一款具备保护功能的六路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风与空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载
数据手册
  • 1+

    ¥9.04
  • 10+

    ¥8.22
  • 30+

    ¥7.71
  • 100+

    ¥7.19
  • 有货
  • MP1907是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道可独立控制,且延时匹配误差小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能,在电源供电不足时会强制其输出为低电平
    • 1+

      ¥15.1561
    • 50+

      ¥12.8622
    • 100+

      ¥11.7153
    • 500+

      ¥9.6672
    • 1000+

      ¥7.5371
    • 3000+

      ¥6.8817
  • 有货
  • 1ED312xMU12F(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚,它们可提供高达14.0 A的典型输出电流;若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路,则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V的微控制器
    • 1+

      ¥17.87
    • 10+

      ¥15.19
    • 30+

      ¥13.59
    • 100+

      ¥11.98
  • 有货
  • TLE94112ES是一款带保护功能的12通道半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从3路输出到12路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器可用于顺序或并行驱动直流电机负载。正转(顺时针)、反转(逆时针)、制动和高阻抗等运行模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备短路、开路负载、电源故障和过温检测等诊断功能。结合其低静态电流特性,该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的散热性能,可减少PCB板空间和成本。
    • 1+

      ¥21.04
    • 10+

      ¥18.01
    • 30+

      ¥16.21
    • 100+

      ¥14.38
  • 有货
  • DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥22.81
    • 10+

      ¥19.58
    • 30+

      ¥17.67
    • 100+

      ¥15.73
  • 有货
  • LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥22.82
    • 10+

      ¥22.09
    • 30+

      ¥21.66
    • 100+

      ¥19.74
  • 有货
  • 1ED31xxMC12H(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥24.37
    • 10+

      ¥20.65
    • 30+

      ¥18.44
    • 100+

      ¥16.21
  • 有货
  • LTC4449是一款高频栅极驱动器,专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源,以匹配控制器IC的信号摆幅
    数据手册
    • 1+

      ¥28.1588 ¥34.34
    • 10+

      ¥24.3786 ¥29.73
    • 30+

      ¥22.1318 ¥26.99
    • 100+

      ¥19.8604 ¥24.22
    • 500+

      ¥18.8108 ¥22.94
    • 1000+

      ¥18.3352 ¥22.36
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥29
    • 10+

      ¥25.11
    • 30+

      ¥22.8
  • 有货
  • DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥38.77
    • 10+

      ¥32.88
    • 30+

      ¥29.78
  • 有货
  • LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥40.53
    • 10+

      ¥34.99
    • 30+

      ¥31.61
  • 有货
  • LMG5200 80V GaN 半桥功率级
    数据手册
    • 1+

      ¥73.94
    • 10+

      ¥64.25
    • 30+

      ¥58.35
  • 有货
  • [↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V(绝对最大值)的高压(HV)轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中,片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时,也能维持自举电容的电荷
    数据手册
    • 1+

      ¥90.93
    • 10+

      ¥86.77
    • 30+

      ¥79.58
  • 有货
  • 待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD内建了一个500K上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3/0.6A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1233
    • 50+

      ¥0.9721
    • 150+

      ¥0.9073
    • 500+

      ¥0.8264
  • 有货
  • U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行,是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
    • 5+

      ¥1.2975
    • 50+

      ¥1.0187
    • 150+

      ¥0.8992
    • 500+

      ¥0.7501
  • 有货
  • FD2607S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2607S内置VCC欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。FD2607S内置防直通保护和死区时间,防止功率管发生直通,有效防止半桥功率器件损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6109
    • 50+

      ¥1.277
    • 150+

      ¥1.1339
    • 500+

      ¥0.9554
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI正LI负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns, MT:60ns
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8543
    • 50+

      ¥1.4259
    • 150+

      ¥1.2423
    • 500+

      ¥1.0133
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 TF2103M是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 5+

      ¥1.928 ¥2.41
    • 50+

      ¥1.528 ¥1.91
    • 150+

      ¥1.352 ¥1.69
    • 500+

      ¥1.136 ¥1.42
    • 2500+

      ¥1.04 ¥1.3
    • 4000+

      ¥0.984 ¥1.23
  • 有货
  • EG2153是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,内部集成了高压半桥驱动电路和一个振荡器,形成一款多功能,更加安全的功率驱动芯片。CT管脚具有保护关断功能,可以用一个电压信号使驱动器停止输出。VDD上电低于开启电压时,输出低电平,超过开启阈值,驱动器就能稳定的频率振荡。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2138
    • 50+

      ¥1.7149
    • 150+

      ¥1.501
    • 500+

      ¥1.2342
  • 有货
  • 250V,死区时间:100ns,电机驱动
    • 1+

      ¥2.397 ¥2.82
    • 10+

      ¥1.887 ¥2.22
    • 30+

      ¥1.666 ¥1.96
    • 100+

      ¥1.3855 ¥1.63
    • 500+

      ¥1.2665 ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.19 ¥1.4
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 LF2103N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 10+

      ¥1.998 ¥2.22
    • 30+

      ¥1.764 ¥1.96
    • 100+

      ¥1.467 ¥1.63
    • 500+

      ¥1.341 ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.26 ¥1.4
  • 有货
  • 单相桥驱动,高同低反,逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.728 ¥3.41
    • 10+

      ¥2.208 ¥2.76
    • 30+

      ¥1.952 ¥2.44
    • 100+

      ¥1.696 ¥2.12
    • 500+

      ¥1.536 ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.464 ¥1.83
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 TF2304M是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥2.8985 ¥3.41
    • 10+

      ¥2.346 ¥2.76
    • 30+

      ¥2.074 ¥2.44
    • 100+

      ¥1.802 ¥2.12
    • 500+

      ¥1.632 ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.5555 ¥1.83
  • 有货
  • 栅极驱动IC@@高压200V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥2.98
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.08
    • 100+

      ¥1.74
  • 有货
  • 电机驱动,逆变器驱动 DGD2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
    • 1+

      ¥3.006 ¥3.34
    • 10+

      ¥2.421 ¥2.69
    • 30+

      ¥2.133 ¥2.37
    • 100+

      ¥1.836 ¥2.04
    • 500+

      ¥1.665 ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.575 ¥1.75
  • 有货
  • 250V,死区时间:100ns,电机驱动
    • 1+

      ¥3.272 ¥4.09
    • 10+

      ¥2.648 ¥3.31
    • 30+

      ¥2.336 ¥2.92
    • 100+

      ¥2.032 ¥2.54
    • 500+

      ¥1.848 ¥2.31
    • 1000+

      ¥1.752 ¥2.19
  • 有货
  • IRS2103S 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥3.64 ¥4.55
    • 10+

      ¥2.944 ¥3.68
    • 30+

      ¥2.6 ¥3.25
    • 100+

      ¥2.256 ¥2.82
    • 500+

      ¥2.048 ¥2.56
    • 1000+

      ¥1.944 ¥2.43
  • 有货
  • 具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动,带关断和可编程死区时间控制功能
    • 1+

      ¥3.834 ¥4.26
    • 10+

      ¥3.06 ¥3.4
    • 30+

      ¥2.673 ¥2.97
    • 100+

      ¥2.286 ¥2.54
    • 500+

      ¥2.052 ¥2.28
    • 1000+

      ¥1.935 ¥2.15
  • 有货
  • 高低边半桥驱动,10V-20V 电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.56
    • 30+

      ¥3.33
    • 100+

      ¥3.11
    • 500+

      ¥2.97
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • 高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景
    • 1+

      ¥4.05
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.89
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.28
  • 有货
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