半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥10.624 ￥13.28
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￥9.056 ￥11.32
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￥8.072 ￥10.09
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￥7.072 ￥8.84
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￥6.616 ￥8.27
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￥6.416 ￥8.02

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型号：DRV8328ARUYR 编号：C3681415

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

数据手册

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￥11.34
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￥9.57
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￥8.47
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￥7.34

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型号：UCC27301ADR 编号：C41558418

封装：SOIC-8

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

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￥11.39
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￥9.61
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￥8.5
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￥7.36

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

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￥12.67
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￥10.5924 ￥11.64
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￥8.91 ￥11
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￥7.3872 ￥9.12
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￥7.1523 ￥8.83
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￥7.047 ￥8.7

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型号：TF21364M-TLH 编号：C2683766

封装：SOIC-28-300mil

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥14.63
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￥12.53
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￥11.21
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￥9.16

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型号：DRV8328BRUYR 编号：C5218864

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

数据手册

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￥18.15
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￥15.24
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￥13.42
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￥11.55

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型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。

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￥29.97
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￥29.24
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￥28.76
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￥27.7046 ￥28.27

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型号：LTC4442IMS8E#PBF 编号：C688570

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4442是一款高频栅极驱动器，专为在同步降压式DC/DC转换器拓扑结构中驱动两个N沟道MOSFET而设计。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4442的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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￥31.64
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￥27.09
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￥24.39

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型号：TD310IDT 编号：C501103

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

带电流感应的三IGBT/MOS驱动器

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￥35.14
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￥30.27
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￥27.3

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型号：LMG1210RVRT 编号：C2862667

封装：WQFN-19(3x4)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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￥38.66
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￥32.86
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￥29.33

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型号：LMG3410R070RWHR 编号：C2680280

封装：VQFN-32-EP(8x8)

LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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1+
￥91.09
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￥82.58
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￥79.49

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型号：XJNG2102 编号：C48542888

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥0.76076 ￥0.8008
50+
￥0.59299 ￥0.6242
150+
￥0.509105 ￥0.5359
500+
￥0.44612 ￥0.4696
2500+
￥0.39577 ￥0.4166
4000+
￥0.370595 ￥0.3901

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型号：TF2103M-TR 编号：C17701704

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 TF2103M是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥0.992 ￥1.24
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￥0.968 ￥1.21
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￥0.952 ￥1.19
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￥0.936 ￥1.17

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型号：DS9601D8 编号：C5795658

封装：DFN2x2-8L

品牌：DSTECH(奥简科技)

60V耐压，高PSRR，超低功耗，驱动两个N-MOSFET

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￥1.0311
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￥0.7993
150+
￥0.6999
500+
￥0.576

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型号：TF2007M-TR-JSM 编号：C7432828

封装：SOP-8

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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￥1.404 ￥1.56
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￥1.368 ￥1.52
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￥1.35 ￥1.5
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￥1.323 ￥1.47

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型号：DO6288T 编号：C42386243

封装：TSSOP-20

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

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￥1.5262
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￥1.3204
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￥1.2322
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￥1.1221
3000+
￥1.0731
6000+
￥1.0437

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型号：IRS2007STRPBF-JSM 编号：C7432829

封装：SOP-8

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥1.544 ￥1.93
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￥1.504 ￥1.88
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￥1.48 ￥1.85
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￥1.464 ￥1.83

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型号：TF2304M-TR 编号：C17701709

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 TF2304M是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.5725 ￥1.85
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￥1.5385 ￥1.81
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￥1.513 ￥1.78
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￥1.4875 ￥1.75

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型号：IRS26072DSTRPBF-JSM 编号：C44606231

封装：SOP-8

IRS26072D是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.74
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￥1.7
30+
￥1.67

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型号：IRS2103STRPBF-JSM 编号：C17701702

封装：SOP-8

IRS2103S 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.968 ￥2.46
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￥1.92 ￥2.4
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￥1.888 ￥2.36
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￥1.856 ￥2.32

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型号：NCP5109BDR2G-JSM 编号：C19673775

封装：SOP-8

250V，死区时间：100ns，电机驱动

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￥2.397 ￥2.82
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￥1.887 ￥2.22
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￥1.666 ￥1.96
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￥1.3855 ￥1.63
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￥1.2665 ￥1.49
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￥1.19 ￥1.4

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型号：TF2003M-TAH 编号：C5223669

封装：SOIC-8

栅极驱动IC@@高压200V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥2.98
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￥2.35
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￥2.08
100+
￥1.74

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型号：TF21814M-TR-JSM 编号：C7498986

封装：SOP-14

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.704 ￥4.63
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￥3.616 ￥4.52
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￥3.552 ￥4.44
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￥3.488 ￥4.36

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型号：DGD05473FN-7 编号：C189752

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD05473是一款高频栅极驱动器，能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

1+
￥3.78
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￥2.95
30+
￥2.6

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型号：TF1388M-TGH 编号：C6387929

封装：SOIC-20

驱动配置：三相/半桥中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.87
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￥3.78
30+
￥3.71
100+
￥3.65

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型号：LF21844NTR-JSM 编号：C7498951

封装：SOP-14

单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.96 ￥4.4
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￥3.861 ￥4.29
30+
￥3.798 ￥4.22
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￥3.735 ￥4.15

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型号：DOS21867 编号：C52140035

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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￥4.05
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￥3.28
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￥2.89
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￥2.51
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￥2.28
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￥2.17

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型号：TF2113M-TR 编号：C5804623

封装：SOIC-16-300mil

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥4.148 ￥4.88
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￥4.0545 ￥4.77
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￥3.9865 ￥4.69
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￥3.9185 ￥4.61

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型号：1EDN7550B 编号：C533029

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路，逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制，完全独立于驱动器的参考（接地）电位。这消除了误触发的风险，因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势，这是采用 4 引脚封装（开尔文源极连接）、高寄生 PCB 电感（长距离、单层 PCB）、双极栅极驱动的系统常见的问题

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.31
30+
￥2.89
100+
￥2.48
500+
￥2.23

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型号：FAN7393MX-JSM 编号：C7498990

封装：SOP-14