半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

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型号：IR2110S-MNS 编号：C47967293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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￥1.86

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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型号：TF21814M-TUH 编号：C42441425

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相600V, 高速栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥6.37
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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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￥6.46
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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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￥3.64

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型号：BD16950EFV-CE2 编号：C2676964

封装：HTSSOP-24-EP-5.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

BD16950EFV是一款符合AEC Q100汽车级标准的双通道半桥栅极驱动器，由外部MCU通过16位串行外设接口（SPI）进行控制。通过独立控制低端和高端N沟道MOSFET，可实现多种MCU控制模式。该驱动器具备可编程驱动电流，可调节转换速率，以满足电磁干扰（EMI）和功耗要求

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型号：LMG1205YFXR 编号：C2653814

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器

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￥9.66
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￥8.13
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￥7.17
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型号：HIP2211FR8Z-T 编号：C22412213

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥12.17
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￥9.02
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￥7.21

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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥12.27
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￥10.14
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￥8.96

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型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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￥15.97
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￥13.4
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￥11.78
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￥10.13

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型号：EG2304 编号：C5346627

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

高压600v半桥MOS管驱动芯片

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￥1.1933
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￥0.9773
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￥0.8964
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型号：SLM2103SCA-13GTR 编号：C461469

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

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￥1.4246
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￥0.9422
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￥0.7616

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型号：DOS2103 编号：C52140043

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.7325
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￥1.3696
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￥0.8818

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型号：U3215C 编号：C20626026

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

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￥1.8013
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￥1.3981
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￥1.2253

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型号：SLM2101SCA-13GTR 编号：C461468

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:160/220 ns, DT:NA, MT:60ns

数据手册

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￥1.9039
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￥1.2702
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￥1.033

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型号：IRS2003STRPBF-JSM 编号：C7432831

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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￥2.0664 ￥2.296
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￥1.62261 ￥1.8029
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￥1.43235 ￥1.5915
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￥1.19502 ￥1.3278
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￥1.08936 ￥1.2104
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￥1.026 ￥1.14

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型号：EG2153 编号：C2987446

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2153是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个振荡器，形成一款多功能，更加安全的功率驱动芯片。CT管脚具有保护关断功能，可以用一个电压信号使驱动器停止输出。VDD上电低于开启电压时，输出低电平，超过开启阈值，驱动器就能稳定的频率振荡。

数据手册

5+
￥2.2488
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￥1.7499
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￥1.536
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￥1.2692

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型号：SDH2106U 编号：C44606232

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2106U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.73
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￥2.13
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￥1.54

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型号：COS2184S 编号：C42377824

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥2.32

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型号：NCP5106ADR2G-JSM 编号：C44606286

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.25
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￥2.61
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￥2.28
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￥1.96

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型号：TF2011M-TAH 编号：C5372145

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

中压200V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥3.68
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￥3.28
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￥3.09
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￥2.89
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￥2.77

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型号：FAN73832MX-JSM 编号：C7498966

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

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￥3.834 ￥4.26
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￥3.06 ￥3.4
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￥2.673 ￥2.97
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￥2.286 ￥2.54
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￥2.052 ￥2.28
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￥1.935 ￥2.15

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型号：TF2136M-TLH 编号：C2683765

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥3.91
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￥3.18
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￥2.81
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￥2.2
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￥1.98

有货

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型号：IR2110-MNS 编号：C47967292

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

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￥4.05
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￥3.57
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￥2.82
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￥2.67

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型号：FAN3278TMX 编号：C903510

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3278是一款双通道1.5A栅极驱动器，针对在电压轨道最高值为27V的电机控制应用中驱动一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET进行了优化。内部电路将加在外部MOSFET栅极上的电压限制在最大值13V。驱动器具有TTL输入限制，提供逻辑输入的缓冲和电平转换。内部电路防止输出开关器件在V

数据手册

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￥5.89
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￥5.29
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￥4.96
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￥4.59
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￥4.43
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￥4.35

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.941 ￥5.49
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