半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV7535DBR2G 编号：C603996

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

NCV7535 是一款单片 SPI控制的 H 桥预驱动器，提供对于直流电机的控制。由于 SPI 接口，它包含了汽车系统中使用的增强功能集。因此这是一个高度集成的方案。

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1+
￥12.7181 ￥14.29
10+
￥10.3964 ￥13.16
30+
￥8.5905 ￥12.45
100+
￥8.0868 ￥11.72
500+
￥7.866 ￥11.4
1000+
￥7.7625 ￥11.25

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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

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￥16.5
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￥13.87
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￥12.22

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型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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1+
￥33.48
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￥28.87
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￥26.13
100+
￥19.6224 ￥23.36
500+
￥18.5472 ￥22.08
1000+
￥18.06 ￥21.5

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型号：MP87190GMJTH-Z 编号：C22236903

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP87190是一款集成了内部功率MOSFET和栅极驱动器的单片半桥。在较宽的输入电压（VIN）供电范围内，它可实现高达90A的连续输出电流（IOUT）。Quiet Switcher™技术（QST）采用了一种专有电路设计，这种设计只有在单片架构中才能实现，可抑制电压振铃

1+
￥36.7843
50+
￥35.1999
100+
￥31.9508

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型号：LMG5200MOFR 编号：C2680255

封装：QFM-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

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1+
￥55.28
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￥47.2
30+
￥42.28

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型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

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1+
￥87.26
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￥83.11
30+
￥75.91

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型号：LMG3422R050RQZR 编号：C5218881

封装：VQFN-54(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

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1+
￥121.73
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￥115.45
30+
￥104.58

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型号：U2115C 编号：C41374691

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.6186
50+
￥0.489
150+
￥0.4242
500+
￥0.3756

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型号：SLM2009CA-DG 编号：C3001941

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑,DT:120ns,高低边欠压保护

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5+
￥0.9133
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￥0.7117
150+
￥0.6253
500+
￥0.5175

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型号：FD2607S 编号：C5187177

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2607S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2607S内置VCC欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2607S内置防直通保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

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5+
￥1.6109
50+
￥1.277
150+
￥1.1339
500+
￥0.9554

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型号：IRS2001STRPBF-JSM 编号：C19673774

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V，死区时间：100ns，电机驱动

1+
￥1.632 ￥2.04
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￥1.592 ￥1.99
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￥1.56 ￥1.95
100+
￥1.536 ￥1.92

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型号：LM5109AMAX-JSM 编号：C7432826

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向驱动配置 LM5109A是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

5+
￥1.92096 ￥2.1344
50+
￥1.51272 ￥1.6808
150+
￥1.33776 ￥1.4864
500+
￥1.03851 ￥1.1539
2500+
￥0.94131 ￥1.0459
4000+
￥0.8829 ￥0.981

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型号：IRS2008STRPBF-JSM 编号：C18194972

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.16 ￥2.7
10+
￥2.112 ￥2.64
30+
￥2.08 ￥2.6
100+
￥2.048 ￥2.56

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型号：SDH2103U 编号：C44606285

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2103U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2103U采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.71
10+
￥2.1
30+
￥1.84
100+
￥1.52

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型号：TFB0503-NHP 编号：C7436032

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥2.73
10+
￥2.67
30+
￥2.63
100+
￥2.59

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型号：NCP3420DR2G 编号：C154600

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 30 ns，转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内，可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压，以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时，两个驱动器输出都为低电平，而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。

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1+
￥2.88
10+
￥2.25
30+
￥1.98
100+
￥1.64

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型号：TFB0527-NHP 编号：C7436034

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.12
10+
￥3.05
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￥3
100+
￥2.96

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型号：IRS2103STRPBF 编号：C2958

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥3.45
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￥2.75
30+
￥2.44
100+
￥2.07
500+
￥1.9

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型号：IR25606STRPBF-JSM 编号：C41421795

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥4.28
10+
￥3.41
30+
￥2.98
100+
￥2.55

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型号：UCC27710DR-JSM 编号：C7498965

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

1+
￥4.44 ￥5.55
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￥3.576 ￥4.47
30+
￥3.144 ￥3.93
100+
￥2.712 ￥3.39
500+
￥2.456 ￥3.07
1000+
￥2.32 ￥2.9

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型号：UCC27714DR-JSM 编号：C7498956

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥4.5828 ￥6.03
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￥3.724 ￥4.9
30+
￥3.2984 ￥4.34
100+
￥2.8804 ￥3.79
500+
￥2.4244 ￥3.19
1000+
￥2.2952 ￥3.02

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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

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1+
￥6.13
10+
￥4.88
30+
￥4.25
100+
￥3.62

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型号：FAN7382MX 编号：C128796

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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1+
￥6.26
10+
￥5.13
30+
￥4.5
100+
￥3.8
500+
￥3.49

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型号：IRS2153DSTRPBF 编号：C2987

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，自激振荡的半桥式驱动IC

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1+
￥6.33
10+
￥5.2
30+
￥4.59
100+
￥3.89
500+
￥3.58

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型号：CSD95377Q4M 编号：C553139

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

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1+
￥6.85
10+
￥5.66
30+
￥5.01
100+
￥3.97

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型号：UCC27710DR 编号：C2676981

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

数据手册

1+
￥9.25
10+
￥7.66
30+
￥6.64
100+
￥5.65

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型号：SIC632ACD-T1-GE3 编号：C2653473

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC632和SiC632A是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC632和SiC632A采用威世（Vishay）专有的5 mm × 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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1+
￥9.29
10+
￥7.6
30+
￥6.68
100+
￥5.5174 ￥5.63
500+
￥5.0666 ￥5.17
1000+
￥4.8608 ￥4.96

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型号：L6387ED013TR 编号：C234211

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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1+
￥9.73
10+
￥7.94
30+
￥6.96

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型号：DRV8328ARUYR 编号：C3681415

封装：WQFN-28(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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1+
￥11.34
10+
￥9.57
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￥8.47
100+
￥7.34

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型号：UCC27301ADR 编号：C41558418

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

数据手册

1+
￥11.39
10+
￥9.61
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￥8.5
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