半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

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￥77.74
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￥66.32
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￥59.36
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￥53.53

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型号：GR3115 编号：C18164497

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

GR3115是一款高性价比的半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。

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￥0.7142
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￥0.5711
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￥0.4996
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￥0.4459
2500+
￥0.403
4000+
￥0.3816

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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

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￥1.63917 ￥1.8213
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￥1.27629 ￥1.4181
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￥1.12077 ￥1.2453
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￥0.92673 ￥1.0297
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￥0.89073 ￥0.9897
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￥0.8388 ￥0.932

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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

数据手册

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￥2.1328
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￥1.6533
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￥1.4477
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￥1.1913
2500+
￥1.0771
5000+
￥1.0086

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型号：LF2304NTR-JSM 编号：C17701713

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2304N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.169 ￥2.41
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￥1.926 ￥2.14
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￥1.809 ￥2.01
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￥1.683 ￥1.87
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￥1.611 ￥1.79
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￥1.575 ￥1.75

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

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￥2.71
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￥2.38
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￥2.22
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￥2.06
500+
￥1.96
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￥1.91

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

数据手册

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￥8.36
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￥6.85
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￥6.01
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￥5.07
500+
￥4.65

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

数据手册

1+
￥12.07
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￥11.09
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￥10.48
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￥8.68
500+
￥8.39
1000+
￥8.27

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

数据手册

1+
￥14.07
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￥12.2
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￥11.03
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￥7.59
500+
￥7.05
1000+
￥6.81

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型号：DRV8323RHRGZR 编号：C543035

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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￥14.15
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￥11.93
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￥10.17
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￥8.75
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￥8.1

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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

数据手册

1+
￥17.84
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￥16.9
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￥16.35
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￥15.78
500+
￥15.52
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￥15.4

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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

1+
￥22.29
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￥21.28
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￥20.69
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￥18.28
500+
￥18
1000+
￥17.88

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型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

5+
￥0.7249
50+
￥0.5809
150+
￥0.5089
500+
￥0.4549
2500+
￥0.4117
4000+
￥0.39

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型号：TF2003M-TR-JSM 编号：C7432830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥1.332 ￥1.48
10+
￥1.305 ￥1.45
30+
￥1.287 ￥1.43
100+
￥1.26 ￥1.4

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型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

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5+
￥1.364
50+
￥1.0701
150+
￥0.9441
500+
￥0.7869
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

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型号：EG2124 编号：C2856308

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

5+
￥1.4241
50+
￥1.2351
150+
￥1.1541
500+
￥1.08
2500+
￥1.035
4000+
￥1.008

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型号：U2103S 编号：C17701705

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 U2103S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥1.764 ￥1.96
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￥1.539 ￥1.71
30+
￥1.44 ￥1.6
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￥1.314 ￥1.46
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￥1.296 ￥1.44
1000+
￥1.26 ￥1.4

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型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

5+
￥2.3911
50+
￥1.9036
150+
￥1.6946
500+
￥1.2423
2500+
￥1.1263

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型号：DO6288Q 编号：C42386238

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

1+
￥2.58
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￥2.02
30+
￥1.78
100+
￥1.47
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

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型号：TF2104M-TAH 编号：C2683754

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.94
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￥2.33
30+
￥2.07
100+
￥1.75
500+
￥1.47
1000+
￥1.39

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型号：LM5109BMAX-JSM 编号：C7432827

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向，高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

1+
￥2.975 ￥3.5
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￥2.2865 ￥2.69
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￥1.9975 ￥2.35
100+
￥1.632 ￥1.92
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￥1.4705 ￥1.73
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￥1.3685 ￥1.61

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型号：EG2186 编号：C20416237

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V，低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-4/4A，采用SOP8 封装。

1+
￥3.19
10+
￥2.46
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￥2.15
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￥1.76
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￥1.67
1000+
￥1.57

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型号：HG6288LQ/TR 编号：C49518603

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

1+
￥3.41
10+
￥2.76
30+
￥2.44
100+
￥2.12
500+
￥1.92
1000+
￥1.83

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型号：EG2183Q 编号：C48580026

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

1+
￥3.47
10+
￥2.74
30+
￥2.43
100+
￥2.04
500+
￥1.87
1000+
￥1.77

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

1+
￥4.26
10+
￥3.4
30+
￥2.97
100+
￥2.55
500+
￥2.29
1000+
￥2.16

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型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

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