半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2113STRPBF-JSM 编号：C5804618

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.149 ￥5.42
10+
￥4.199 ￥4.42
30+
￥3.724 ￥3.92
100+
￥3.249 ￥3.42
500+
￥2.7075 ￥2.85
1000+
￥2.565 ￥2.7

有货

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型号：IRS21814STR(UMW) 编号：C20623187

封装：SOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

IRS21814STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥3.45
10+
￥2.71
30+
￥2.39
100+
￥1.99
500+
￥1.81
1000+
￥1.71

有货

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型号：IR21531STRPBF-JSM 编号：C41421804

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥4.26
10+
￥3.39
30+
￥2.96
100+
￥2.53
500+
￥2.48
1000+
￥2.34

有货

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型号：UCC27282DRCR 编号：C2677035

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥5.51
10+
￥4.4
30+
￥3.85
100+
￥3.24
500+
￥2.91
1000+
￥2.74

有货

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型号：IR2085STRPbF 编号：C50124

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置，其中fOSC = 1/(2*RT*CT)

数据手册

1+
￥18.75
10+
￥15
30+
￥12.66
100+
￥10.26
500+
￥9.17
1000+
￥8.7

有货

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型号：SLM2104SCA-13GTR 编号：C461470

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

数据手册

5+
￥1.4703
50+
￥1.1326
150+
￥0.9879
500+
￥0.8896
2500+
￥0.8092
5000+
￥0.7609

有货

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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

5+
￥1.510595 ￥1.5901
50+
￥1.175435 ￥1.2373
150+
￥1.031795 ￥1.0861
500+
￥0.852625 ￥0.8975
2500+
￥0.826025 ￥0.8695
4000+
￥0.77805 ￥0.819

有货

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型号：IRS2008STR(UMW) 编号：C20623198

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，最低可至3.3V

5+
￥1.9261
50+
￥1.5097
150+
￥1.3313
500+
￥1.1087
2500+
￥1.0095
5000+
￥0.9501

有货

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型号：IRS21864STR(UMW) 编号：C20623186

封装：SOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

IRS21864STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

1+
￥2.49
10+
￥2.21
30+
￥2.07
100+
￥1.93
500+
￥1.85
1000+
￥1.8

有货

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型号：IR2304STRPBF-JSM 编号：C17701715

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.898 ￥3.22
10+
￥2.322 ￥2.58
30+
￥2.025 ￥2.25
100+
￥1.737 ￥1.93
500+
￥1.566 ￥1.74
1000+
￥1.476 ￥1.64

有货

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型号：EG2133 编号：C190343

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

数据手册

1+
￥3.31
10+
￥2.57
30+
￥2.26
100+
￥1.86
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

有货

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型号：DRV8908QPWPRQ1 编号：C3655456

封装：HTSSOP-24

品牌：TI(德州仪器)

DRV8908-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、8 通道半桥电机驱动器

数据手册

1+
￥8.63
10+
￥7.87
30+
￥7.4
100+
￥6.92
500+
￥6.7
1000+
￥6.61

有货

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

1+
￥35.52
10+
￥30.77
30+
￥27.87
100+
￥25.44

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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

数据手册

5+
￥2.1328
50+
￥1.6533
150+
￥1.4477
500+
￥1.1913
2500+
￥1.0771
5000+
￥1.0086

有货

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型号：UCC27714DR(UMW) 编号：C20623188

封装：SOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27714DR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

1+
￥3.04
10+
￥2.39
30+
￥2.1
100+
￥1.75
500+
￥1.6
1000+
￥1.5

有货

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型号：UCC27282DR-JSM 编号：C19673777

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V，死区时间：250ns，半桥式驱动器电机驱动

1+
￥3.44 ￥4.3
10+
￥2.744 ￥3.43
30+
￥2.4 ￥3
100+
￥2.056 ￥2.57
500+
￥1.984 ￥2.48
1000+
￥1.872 ￥2.34

有货

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型号：IRS21867STRPBF-JSM 编号：C7432820

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

1+
￥4.59 ￥5.4
10+
￥3.706 ￥4.36
30+
￥3.264 ￥3.84
100+
￥2.8305 ￥3.33
500+
￥2.363 ￥2.78
1000+
￥2.227 ￥2.62

有货

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型号：IR21531STRPBF 编号：C2985

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本，它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比，IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同，从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V，抗噪性能得到了显著改善。最后，特别关注了最大化器件的抗闩锁能力，并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。