半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.149 ￥5.42
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￥4.199 ￥4.42
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￥2.565 ￥2.7

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥7.18
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￥5.96
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￥5.28
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￥3.61

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型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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型号：IRS2113STR(UMW) 编号：C20623178

封装：SOP-16-300mil

IRS2113STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：NCP5106BDR2G 编号：C67861

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

数据手册

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￥5.42
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￥2.73

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型号：FAN73932MX-JSM 编号：C7466371

封装：SOP-8

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

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￥6.29 ￥7.4
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￥3.638 ￥4.28

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型号：IR2184STRPBF 编号：C2995

封装：SOIC-8

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥3.39

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型号：IR2153STRPBF 编号：C79666

封装：SOIC-8

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能，可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度相同，使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V，显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

数据手册

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￥7.77
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￥6.67
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￥6.13
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￥4.87
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￥4.38

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型号：IR2085STRPbF 编号：C50124

封装：SOIC-8

IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC，非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC，可通过选择RT和CT来设置，其中fOSC = 1/(2*RT*CT)

数据手册

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￥18.17
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￥15.23
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￥13.38
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￥10.27

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

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￥37.25
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￥32.41
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￥29.46
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￥26.98

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型号：IRS2004STR(UMW) 编号：C20623199

封装：SOP-8

IRS2004S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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￥1.297
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￥1.0623
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2500+
￥0.9353
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型号：IRS2008STR(UMW) 编号：C20623198

封装：SOP-8

IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，最低可至3.3V

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￥1.369
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￥1.1955
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￥0.9871
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￥0.9623

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型号：6288T-MNS 编号：C49424412

封装：TSSOP-20

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:MOSFET；IGBT 工作电压:4V~18V 上升时间:35ns 描述：三相高低侧功率驱动芯片

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￥1.712
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4000+
￥1.1022

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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

数据手册

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￥2.5778
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￥1.9982
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￥1.7498
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￥1.4399
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￥1.3019
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￥1.2191

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型号：IRS21814STR(UMW) 编号：C20623187

封装：SOP-14

IRS21814STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥3.46
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￥2.72
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￥2.4
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￥2
500+
￥1.83
1000+
￥1.72

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型号：IR21531STRPBF 编号：C2985

封装：SOIC-8

IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本，它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比，IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同，从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V，抗噪性能得到了显著改善。最后，特别关注了最大化器件的抗闩锁能力，并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。

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￥4.73
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￥4.25
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￥3.99
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￥3.5

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型号：IR21844STRPBF-JSM 编号：C7498952

封装：SOP-14

单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.218 ￥8.02
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￥5.922 ￥6.58
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￥5.211 ￥5.79
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￥4.41 ￥4.9
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￥4.32 ￥4.8
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￥4.158 ￥4.62

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型号：LM5101AMX/NOPB 编号：C575559

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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￥8.3
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￥6.98
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￥5.43
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￥4.9

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型号：DRV8350HRTVR 编号：C2150774

封装：WQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

数据手册

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￥25.72
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￥21.89
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￥19.61
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￥17.3
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￥16.23
1000+
￥15.76

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型号：SLM2005ECA-DG 编号：C5298378

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

数据手册

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￥1.5402
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￥1.2126
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￥1.0722
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￥0.897
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￥0.8905
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￥0.8437

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型号：6288Q-MNS 编号：C49424413

封装：QFN-24(4x4)

品牌：minos(迈诺斯)

负载类型:MOSFET；IGBT 灌电流:1.3A 拉电流:1.0A 工作电压:5V~18V 描述：三相高低侧功率驱动芯片

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￥2.1656
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￥1.712
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￥1.5176
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￥1.275
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￥1.167
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￥1.1022

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型号：TF2104M-TAH 编号：C2683754

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.6
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￥2.06
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￥1.83
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￥1.55
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￥1.23

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型号：IRS2304STRPBF-JSM 编号：C17701708

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动

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￥3.213 ￥3.78
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￥2.5755 ￥3.03
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￥2.261 ￥2.66
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￥1.938 ￥2.28
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￥1.751 ￥2.06
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￥1.6575 ￥1.95

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型号：JSM6287T 编号：C49450285

封装：TSSOP-20

250V三相高低侧功率驱动芯片高侧同相低侧反相步进/伺服电机、电动工具等 FD6287T

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￥3.26
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￥2.55
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￥2.25
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￥1.87
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￥1.7
1000+
￥1.6

有货

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型号：UCC27282DR-JSM 编号：C19673777

封装：SOP-8

250V，死区时间：250ns，半桥式驱动器电机驱动

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￥3.424 ￥4.28
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￥2.728 ￥3.41
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￥2.384 ￥2.98
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￥2.04 ￥2.55
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￥1.968 ￥2.46
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￥1.856 ￥2.32

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型号：IRS21867-MNS 编号：C52941369

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流(IOL):4A 描述：这是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，广泛应用于电机驱动、逆变器、电源转换等领域

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￥3.44
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￥2.79
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￥2.47
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￥2.14
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￥1.95
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￥1.85

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型号：GBI7A54NMAR 编号：C28324638

封装：DFN-8L-EP(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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￥6.46
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￥5.29
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￥4.65
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￥3.92
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￥3.6
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￥3.45

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型号：2EDS8265H 编号：C533091

封装：SOIC-16-300mil

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

数据手册

1+
￥6.92
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￥5.66
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￥5.04
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￥3.63
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￥3.44

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型号：TF2190M-TAH 编号：C2917161

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥8.05
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￥6.68
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￥5.93
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￥4.88
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￥4.51
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￥4.34

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型号：IR2110PBF 编号：C2967

封装：DIP-14