半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：STGAP2SMTR 编号：C2802542

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

电流隔离4 A单重栅极驱动器

数据手册

1+
￥12.08
10+
￥10.38
30+
￥9.45
100+
￥8.39
500+
￥7.41
1000+
￥7.2

有货

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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

数据手册

1+
￥14.83
10+
￥12.89
30+
￥11.67
100+
￥9.07
500+
￥8.5
1000+
￥8.26

有货

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型号：DRV8714SQRVJRQ1 编号：C3655767

封装：VQFN-56(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥33.29
10+
￥29.79
30+
￥27.55
100+
￥25.39

有货

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型号：L6388ED013TR-JSM 编号：C17701712

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥1.24
10+
￥1.21
30+
￥1.19
100+
￥1.17

有货

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型号：HL6288Q 编号：C50331902

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HL(富海微)

耐压最高250V，输出驱动电流1.5A/1.8A，内置 200ns 死区时间，带上下电保护、欠压保护，QFN-24

5+
￥1.949
50+
￥1.5458
150+
￥1.373
500+
￥1.1574
2500+
￥1.0374
6000+
￥0.9797

有货

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型号：HT33153ARZ 编号：C5241940

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测

数据手册

1+
￥2.247 ￥3.21
10+
￥2.205 ￥3.15
30+
￥2.177 ￥3.11
100+
￥2.149 ￥3.07

有货

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型号：UCC27710DR(UMW) 编号：C29780640

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27710 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

5+
￥2.2832
50+
￥1.7928
150+
￥1.5826
500+
￥1.3204
2500+
￥1.2037
5000+
￥1.1336

有货

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型号：DGD21904MS14-13 编号：C526567

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

数据手册

1+
￥3.13
10+
￥2.4
30+
￥2.04
100+
￥1.68
500+
￥1.47
1000+
￥1.35

有货

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型号：NSG2153D 编号：C46473165

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥3.42 ￥3.6
10+
￥2.698 ￥2.84
30+
￥2.394 ￥2.52
100+
￥2.014 ￥2.12
500+
￥1.843 ￥1.94
1000+
￥1.7385 ￥1.83

有货

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型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

品牌：EG(屹晶微)

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

1+
￥4.07
10+
￥3.58
30+
￥3.34
100+
￥3.1
500+
￥2.96
1500+
￥2.88

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型号：TF2184M-TAH 编号：C2917160

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C

数据手册

1+
￥6.26
10+
￥5.69
30+
￥5.37
100+
￥5.02
500+
￥4.13

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型号：SDH2136TR 编号：C7466374

封装：SOP-28

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥8.1795 ￥8.61
10+
￥6.745 ￥7.1
30+
￥5.9565 ￥6.27
100+
￥5.0635 ￥5.33
500+
￥4.788 ￥5.04
1000+
￥4.6075 ￥4.85

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥8.5
10+
￥6.91
30+
￥6.04
100+
￥5.05
500+
￥4.61
1000+
￥4.42

有货

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型号：TF21364M-TR 编号：C17701729

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥9.3245 ￥10.97
10+
￥7.8965 ￥9.29
30+
￥6.9955 ￥8.23
100+
￥6.0775 ￥7.15
500+
￥5.661 ￥6.66
1000+
￥5.4825 ￥6.45

有货

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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

数据手册

1+
￥9.34
10+
￥7.85
30+
￥7.03
100+
￥5.82
500+
￥5.41

有货

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥9.92
10+
￥8.27
30+
￥7.37
100+
￥5.78
500+
￥5.33
1000+
￥5.12

有货

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型号：XJNG2102 编号：C2940736

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

数据手册

5+
￥0.679
50+
￥0.5518
150+
￥0.4882
500+
￥0.4405
2500+
￥0.3865
4000+
￥0.3674

有货

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型号：BDR6300 编号：C5349299

封装：SOP-16

品牌：巴丁微

是一款三相直流无刷驱动芯片。可直接驱动三路 NMOS + PMOS 半桥，电路内部集成了稳定的 5V 输出电源。

数据手册

5+
￥0.793
50+
￥0.6213
150+
￥0.5354
500+
￥0.471
2500+
￥0.4266
4000+
￥0.4008

有货

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型号：U3116S 编号：C400131

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。

数据手册

5+
￥0.9625
50+
￥0.7609
150+
￥0.6745
500+
￥0.5403
2500+
￥0.4923

有货

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型号：PT5606-S 编号：C17701716

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

1+
￥1.9975 ￥2.35
10+
￥1.5725 ￥1.85
30+
￥1.3855 ￥1.63
100+
￥1.156 ￥1.36
500+
￥1.054 ￥1.24
800+
￥0.9945 ￥1.17

有货

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型号：DRV8300NLQ/TR 编号：C50345924

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.95
1000+
￥1.85

有货

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型号：IR2136STRPBF-JSM 编号：C7466365

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥4.44 ￥5.55
10+
￥3.576 ￥4.47
30+
￥3.144 ￥3.93
100+
￥2.712 ￥3.39
500+
￥2.456 ￥3.07
1000+
￥2.32 ￥2.9

有货

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型号：IRS2110STRPBF-JSM 编号：C5804622

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.32 ￥6.65
10+
￥4.392 ￥5.49
30+
￥3.888 ￥4.86
100+
￥3.32 ￥4.15
500+
￥3.064 ￥3.83
1000+
￥2.944 ￥3.68

有货

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型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和高端及低端驱动器，具有独立输入，实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间匹配至1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

数据手册

1+
￥5.68
10+
￥4.56
30+
￥4
100+
￥3.45
500+
￥3.12
1000+
￥2.95

有货

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型号：LM5106MM/NOPB 编号：C544493

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.87
10+
￥5.68
30+
￥5.03
100+
￥4.29
500+
￥3.89
1000+
￥3.74

有货

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型号：AGD8136A-JSM 编号：C7498993

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

1+
￥8.424 ￥9.36
10+
￥6.966 ￥7.74
30+
￥6.165 ￥6.85
100+
￥5.265 ￥5.85
500+
￥4.86 ￥5.4
1000+
￥4.68 ￥5.2

有货

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型号：L6491DTR 编号：C2970144

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

数据手册

1+
￥11.41
10+
￥10.41
30+
￥9.78
100+
￥9.14
500+
￥8.84
1000+
￥8.72

有货

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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

数据手册

1+
￥15.83
10+
￥13.28
30+
￥11.68
100+
￥10.04
500+
￥9.31
1000+
￥8.99

有货

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型号：LM5104MX/NOPB 编号：C206493

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥17.25
10+
￥14.53
30+
￥12.82
100+
￥11.08

有货

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型号：BDR6307B 编号：C20622848

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。

5+
￥0.4662
50+
￥0.4062
150+
￥0.3762
500+
￥0.3537
2500+
￥0.3357
4000+
￥0.3267

有货

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