半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2110STRPBF-JSM 编号：C5804621

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.9755 ￥7.03
10+
￥4.794 ￥5.64
30+
￥4.199 ￥4.94
100+
￥3.6125 ￥4.25
500+
￥3.1535 ￥3.71
1000+
￥2.975 ￥3.5

有货

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型号：6EDL04I06PT-JSM 编号：C17701726

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥5.176 ￥6.47
10+
￥4.192 ￥5.24
30+
￥3.704 ￥4.63
100+
￥3.112 ￥3.89
500+
￥2.824 ￥3.53
1000+
￥2.672 ￥3.34

有货

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型号：LM5101AMX/NOPB 编号：C575559

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.24
10+
￥4.23
30+
￥3.72
100+
￥3.21
500+
￥2.91
1000+
￥2.76

有货

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型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥4.6
30+
￥4.01
100+
￥3.43
500+
￥3.11
1000+
￥2.93

有货

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.13
30+
￥4.49
100+
￥3.86
500+
￥3.48
1000+
￥3.29

有货

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型号：GBI7A54SMAR 编号：C28324637

封装：ESOP-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

1+
￥6.46
10+
￥5.29
30+
￥4.65
100+
￥3.92
500+
￥3.6
1000+
￥3.45

有货

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型号：TF21844M-TUH 编号：C2981475

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥6.706 ￥9.58
10+
￥6.139 ￥8.77
30+
￥5.782 ￥8.26
100+
￥5.411 ￥7.73
500+
￥5.25 ￥7.5
1000+
￥5.173 ￥7.39

有货

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型号：UCC27714DR 编号：C473332

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UCC27714 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.81
10+
￥5.59
30+
￥4.93
100+
￥4.18
500+
￥3.84
1000+
￥3.69

有货

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型号：UCC27201ADR 编号：C913823

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥7.06
10+
￥5.83
30+
￥5.15
100+
￥4.39
500+
￥3.95
1000+
￥3.79

有货

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型号：KP85302SGA 编号：C17701717

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥0.67545 ￥0.711
50+
￥0.526015 ￥0.5537
150+
￥0.451345 ￥0.4751
500+
￥0.395295 ￥0.4161
2500+
￥0.39235 ￥0.413
4000+
￥0.370025 ￥0.3895

有货

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型号：RT9624AZS 编号：C167520

封装：SOP-8

品牌：RICHTEK(立锜)

驱动两个N-MOSFET,DC-DC转换

数据手册

5+
￥1.9845
50+
￥1.5461
150+
￥1.3582
500+
￥1.0977
2500+
￥0.9934
5000+
￥0.9307

有货

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

1+
￥3.996 ￥4.44
10+
￥3.213 ￥3.57
30+
￥2.826 ￥3.14
100+
￥2.439 ￥2.71
500+
￥2.214 ￥2.46
1000+
￥2.088 ￥2.32

有货

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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.996 ￥4.44
10+
￥3.213 ￥3.57
30+
￥2.826 ￥3.14
100+
￥2.439 ￥2.71
500+
￥2.214 ￥2.46
1000+
￥2.088 ￥2.32

有货

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型号：LM5106SDX/NOPB 编号：C544463

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥4.42
10+
￥3.96
30+
￥3.71
100+
￥3.43
500+
￥3.3
1000+
￥3.24

有货

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型号：FAN7391MX-JSM 编号：C7498991

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.176 ￥6.47
10+
￥4.672 ￥5.84
30+
￥4.4 ￥5.5
100+
￥4.088 ￥5.11
500+
￥3.944 ￥4.93
1000+
￥3.88 ￥4.85

有货

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型号：UCC27211AQDDARQ1 编号：C485921

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

数据手册

1+
￥5.33
10+
￥4.29
30+
￥3.78
100+
￥3.23
500+
￥2.93
1000+
￥2.77

有货

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型号：IR2184STRPBF 编号：C2995

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥5.47
10+
￥4.44
30+
￥3.93
100+
￥3.08
500+
￥2.77
1000+
￥2.62

有货

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

1+
￥6.46
10+
￥5.29
30+
￥4.65
100+
￥3.92
500+
￥3.6
1000+
￥3.45

有货

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型号：GBI7A54NMAR 编号：C28324638

封装：DFN-8L-EP(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

1+
￥6.77
10+
￥5.6
30+
￥4.96
100+
￥4.23
500+
￥3.91
1000+
￥3.76

有货

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型号：IR2109STRPBF 编号：C2966

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥7.23
10+
￥5.97
30+
￥5.28
100+
￥4.24
500+
￥3.89
1000+
￥3.73

有货

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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

数据手册

1+
￥8.25
10+
￥7.09
30+
￥6.45
100+
￥5.73
500+
￥3.57
1000+
￥3.43

有货

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型号：DRV8305NQPHPRQ1 编号：C701780

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

数据手册

1+
￥21.73
10+
￥18.42
30+
￥16.57
100+
￥14.57
500+
￥13.65

有货

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型号：LMG1210RVRR 编号：C2677136

封装：WQFN-19-EP(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥22.52
10+
￥19.08
30+
￥17.04
100+
￥14.98

有货

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型号：1ED3321MC12NXUMA1 编号：C17453854

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器