半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥24.2
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￥23.66
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型号：LM5107MA/NOPB 编号：C132096

封装：SOIC-8

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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￥4.81
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型号：LM5101M/NOPB 编号：C205472

封装：SOIC-8

LM5101 高压高侧和低侧栅极驱动器

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单价：
￥15.845821 / 个

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型号：2EDF7275K 编号：C533062

封装：LGA-13

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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1+
￥6.88
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￥6.72
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￥6.62
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型号：UCC27211DDA 编号：C1549290

封装：SO-8-EP

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￥6.47
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型号：FS276AQ 编号：C5126661

封装：QFN-17L(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FS276AQ是一款600V/7A的高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块，内置2个快恢复功率MOS管和高压半桥栅极驱动电路，主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。

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￥8.41
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￥7.02
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型号：2EDF7275K 编号：C2975252

封装：TFLGA-13

是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动器IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。针对温度和生产分散性进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更好的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4 A/8 A适用于低阻功率MOSFET，1 A/2 A适用于较高Ron的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）

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1+
￥9.46
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￥7.78
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￥5.81
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￥5.35
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￥5.14

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型号：IR2104PBF 编号：C2959

封装：PDIP-8

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥10.26
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￥8.5
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￥7.53
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￥6.44
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￥5.95
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￥5.73

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型号：TPS28225D 编号：C2864105

封装：SOIC-8

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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1+
￥10.83
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￥9.2
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￥8.17
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￥6.65
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型号：UCC27201ADRMT 编号：C2676934

封装：VSON-8-EP(4x4)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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250+
￥5.0172
500+
￥4.972
750+
￥4.8816

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型号：UCC27211DRMT 编号：C181442

封装：VSON-8(4x4)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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5+
￥6.72
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￥6.6
15+
￥6.54

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型号：SM74104MAX/NOPB 编号：C2677045

封装：SOIC-8

SM74104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥34.64
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￥29.68
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￥26.73
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￥23.75
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￥22.37
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￥21.75

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型号：LM25101CMY/NOPB 编号：C2677008

封装：HVSSOP-8

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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1+
￥42.89
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￥36.94
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￥33.32
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￥30.28

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型号：UCC27212DPRT 编号：C2676917

封装：WSON-10-EP(4x4)

具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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5+
￥72.933946
50+
￥64.067466
500+
￥58.990692

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型号：NCP5901BMNTBG 编号：C393370

封装：TDFN-8L(2x2)

NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能工作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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10+
￥5.4918
100+
￥5.2884
200+
￥4.8816
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￥4.6782
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￥4.4748

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型号：EG2133 编号：C405330

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

同 C190343 为一种料，但是包装形式为盘装。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

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1+
￥2.64
10+
￥2.07
30+
￥1.83
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￥1.52
500+
￥1.39
1000+
￥1.3

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型号：1EDN8550BXTSA1 编号：C19634083

封装：SOT-23-6

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动 IC 的 TDI 系列的一部分。TDI 系列具有全差分输入电路。真正的差分输入 (TDI) 提供出色的共模抗扰度 (CMR)，并消除误触发风险。小封装尺寸可在低端和高端驱动中实现灵活布局。EiceDRIVER 1EDNx550 是一系列高端和低端非隔离式栅极驱动器，其应用范围涵盖通常为隔离式和电平转换驱动器预留的领域，从而带来显著的成本优势。这得益于独特的真正差分输入 (TDI) 级概念。即使输入差分对上存在共模电压，TDI 输入级也能控制驱动器。接地参考 (GND) 和驱动器输入 (IN+、IN-) 之间的共模电压最高可达 ±200 V DC 和 ±400 V AC 峰值。EiceDRIVER 1EDNx550 适用于驱动器和系统接地之间存在不必要电压偏移的任何应用，以及在允许的静态共模范围（最大 ±200 V）内的高端驱动。利用 TDI 的共模电压处理能力，也可以轻松操作需要双极性驱动电压的开关。

1+
￥3.38
10+
￥3.3
30+
￥3.25
100+
￥3.2

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型号：FAN7380MX-OP 编号：C890849

封装：SOIC-8

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7380_OP 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。内部击穿保护电路提供 100ns 死区时间，防止输出开关器件在瞬变期间同时导通。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器的典型源/汲电流分别为 90mA/180mA，适用于荧光灯/紧凑型荧光灯镇流器应用，以及需要低 di/dt 干扰的系统。

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1+
￥5.64
10+
￥4.56
30+
￥4.02
100+
￥3.49
500+
￥3.17
1000+
￥3

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型号：FAN7080M 编号：C3655606

封装：SOIC-8

1+
￥5.75
10+
￥4.65
30+
￥4.1
100+
￥3.55
500+
￥3.23
1000+
￥3.06

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型号：FAN7390AMX1 编号：C903544

封装：SOP-14

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1+
￥14.99
10+
￥12.73
30+
￥11.31
100+
￥9.86
500+
￥9.2
1000+
￥8.92

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型号：FAN73895MX 编号：C899113

封装：SOIC-28-300mil

FAN73895 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压锁定和带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。终止所有六个输出的过电流保护可从外部电流传感电阻产生。提供开漏故障信号来表明发生了过电流或欠电压关闭。当 VDD 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别源汲 350 mA 和 650 mA 电流；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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1+
￥25.43
10+
￥22
30+
￥19.96
100+
￥16.63
500+
￥15.68
1000+
￥15.25

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型号：IRS2301SPBF 编号：C150929

封装：SOIC-8

高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动

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1+
￥8.12
10+
￥6.78
30+
￥6.04
100+
￥5.21
500+
￥4.84
1000+
￥4.67

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型号：IR2184PBF 编号：C2994

封装：PDIP-8

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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10+
￥32.5
50+
￥28.75
100+
￥27.5
1000+
￥26.75

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型号：IR2153DPBF 编号：C520668

封装：PDIP-8

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1+
￥11.9
10+
￥11.63
30+
￥11.45
100+
￥11.27

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型号：IR2136SPBF 编号：C537594

封装：SOIC-28-300mil

IR2136x（J&S）是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专利的HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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单价：
￥34.5 / 个

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型号：HIP2211FBZ-T7A 编号：C1015920

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准HI/LI输入，与瑞萨流行的桥驱动器如HIP2101和ISL2111引脚兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS

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1+
￥27.91
250+
￥10.8
500+
￥10.42
1000+
￥10.24

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型号：IRS2104PBF 编号：C538250

封装：PDIP-8