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具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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单价：
￥13.56588 / 个

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型号：IR2104SPBF 编号：C5204801

封装：SOIC-8

IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥2.92
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￥2.85
30+
￥2.8
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￥2.75

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型号：UCC27211D 编号：C1549388

封装：SOIC-8

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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单价：
￥14.29596 / 个

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型号：LM5104M 编号：C3655540

封装：SOIC-8

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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￥18.99
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￥16.25
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￥14.63
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型号：UCC27211DRMT 编号：C181442

封装：VSON-8(4x4)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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￥6.78
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￥6.6

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型号：IR3598MTRPBF 编号：C537687

封装：QFN-16-EP(3x3)

单16引脚QFN封装的双MOSFET驱动器降压转换器驱动器，输入电压4.0至13.2Vdc 多模式操作，可将驱动器配置为双路或倍压/交错模式驱动器

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10+
￥4.797698
100+
￥4.620005
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￥4.26462
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￥4.086928
2000+
￥3.980312

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型号：EG2123A 编号：C2929092

封装：TSSOP-20

三相独立半桥驱动芯片 EG2123A是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2123A高端的工作电压可达260V，低端VCC的电源电压范围宽7V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+0.8A/-1.2A，采用TSSOP20和QFN20封装。

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5+
￥1.9746
50+
￥1.5663
150+
￥1.3914
500+
￥1.0994
2500+
￥1.0021
4000+
￥0.9438

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型号：EG3013 编号：C81710

封装：SOP-8

大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片，半桥驱动芯片， MOSFET驱动器

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1+
￥1.1935
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￥0.928
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￥0.8141
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￥0.6721
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￥0.6089
1000+
￥0.5673

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型号：EG3012 编号：C81709

封装：SOP-8

大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片，静态电流：4.5mA

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5+
￥1.2527
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￥0.9805
150+
￥0.8639
500+
￥0.7184
3000+
￥0.6869
6000+
￥0.648

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型号：EG3014 编号：C81711

封装：SOP-8

大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片，静态电流：4.5mA

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￥1.2575
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￥0.9852
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￥0.8685
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￥0.7229
2500+
￥0.6873
4000+
￥0.6484

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型号：EG3013 编号：C405257

封装：SO-8

EG3013是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3013高端的工作电压可达100V，Vcc的电源电压范围宽4.5V ~ 30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

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1+
￥1.27
10+
￥0.9978
30+
￥0.8812
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￥0.7517
500+
￥0.6869
1000+
￥0.648

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型号：EG2134 编号：C480662

封装：QFN-24-EP(4x4)

EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1.2A/-1.4A，采用TSSOP20和QFN24封装。

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1+
￥1.68
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￥1.64
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￥1.61
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￥1.59

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型号：EG5620 编号：C2987462

封装：MSOP-10

EG5620是一款高性价比的带S D功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区可调电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG5620高端的工作电压可达100V，低端VCC的电源电压范围宽5V~20V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，S D内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-1.6/2.5A，采用MSOP10封装。

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1+
￥2.44
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￥1.92
30+
￥1.69
100+
￥1.41
500+
￥1.29
1000+
￥1.21

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型号：LM5107MA/NOPB 编号：C132096

封装：SOIC-8

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥8.694778 / 个

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型号：LM5101M/NOPB 编号：C205472

封装：SOIC-8

LM5101 高压高侧和低侧栅极驱动器

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单价：
￥15.578765 / 个

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型号：2EDF7275K 编号：C533062

封装：LGA-13

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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1+
￥6.88
10+
￥6.72
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￥6.62
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￥6.51

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型号：IR2110STRPBF 编号：C5261051

封装：SOW-16

品牌：Tokmas(托克马斯)

高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥6.93
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￥5.68
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￥5.05
100+
￥4.43
500+
￥3.45
1500+
￥3.25

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型号：UCC27211DDA 编号：C1549290

封装：SO-8-EP

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单价：
￥14.29596 / 个

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型号：FS276AQ 编号：C5126661

封装：QFN-17L(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FS276AQ是一款600V/7A的高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块，内置2个快恢复功率MOS管和高压半桥栅极驱动电路，主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。

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1+
￥8.41
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￥7.02
30+
￥6.26
260+
￥5.39
520+
￥5.01
1040+
￥4.83

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型号：2EDF7275K 编号：C2975252

封装：TFLGA-13