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首页 > 热门关键词 > 半桥电机驱动
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NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器,其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计,用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟
数据手册
  • 单价:

    ¥13.71996 / 个
LM5100A 具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器
数据手册
  • 单价:

    ¥9.932385 / 个
LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器
数据手册
  • 单价:

    ¥15.63192 / 个
4-A、600V 半桥栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125
数据手册
  • 单价:

    ¥12.013924 / 个
CSD95373BQ5M 45A 同步降压 NexFET™ 智能功率级
数据手册
  • 单价:

    ¥14.374095 / 个
LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN
数据手册
  • 单价:

    ¥78.426502 / 个
LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN
数据手册
  • 单价:

    ¥64.41984 / 个
高压高侧和低侧2 A栅极驱动器
数据手册
  • 单价:

    ¥6.861155 / 个
是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚负电压高达 -11 VDC(VCC = 15V)的瞬态电压下保持逻辑运行。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,其工作电压高达650V。
  • 1+

    ¥5.28
  • 10+

    ¥5.15
  • 30+

    ¥5.06
  • 100+

    ¥4.97
  • 订货
  • 带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.84
    • 10+

      ¥7.34
    • 30+

      ¥6.51
    • 100+

      ¥5.58
    • 500+

      ¥5.17
    • 1000+

      ¥4.98
  • 订货
  • 高压高侧和低侧驱动器
    数据手册
    • 10+

      ¥30.115698
    • 100+

      ¥25.982171
    • 1000+

      ¥23.915407
    高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
    数据手册
    • 15+

      ¥24.63731
    • 100+

      ¥21.255718
    • 1000+

      ¥19.564923
    HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当,额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制,匹配时间为13ns
    数据手册
    • 单价:

      ¥23.994534 / 个
    带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥11.59093 / 个
    MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器,具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出,以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间,从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通
    • 100+

      ¥7.5488
    • 200+

      ¥7.414
    • 500+

      ¥7.2792
    带电流感应的三IGBT/MOS驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥14.516796 / 个
    2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    数据手册
    • 1+

      ¥13.22
    • 10+

      ¥11.47
    • 30+

      ¥10.38
    • 100+

      ¥8.92
    • 500+

      ¥8.41
    • 1000+

      ¥8.19
  • 订货
  • 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥14.404263 / 个
    高压高侧和低侧2 A栅极驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥13.27893 / 个
    NCP5304 是一款高压功率门极驱动器驱动器,提供两种输出,用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 个独立输入,带交叉导通保护。
    数据手册
    • 单价:

      ¥6.29508 / 个
    • 1+

      ¥16.22
    • 10+

      ¥13.84
    • 30+

      ¥12.35
    • 100+

      ¥10.83
    • 500+

      ¥10.14
    • 1000+

      ¥9.84
  • 订货
  • 半桥栅极驱动器 是单芯片半桥栅极驱动器,适用于N沟道功率MOSFET或IGBT。 高端(浮动)部分设计为可承受高达600 V的电压轨。 逻辑输入与CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于与微控制器/DSP接口。
    数据手册
    • 10+

      ¥6.4125
    • 100+

      ¥6.175
    • 200+

      ¥5.7
    • 1000+

      ¥5.4625
    • 2000+

      ¥5.32
    FAN73892是一款单片式三相半桥栅极驱动IC,专为高压、高速驱动最高工作电压达 +600 V的MOSFET和IGBT而设计。仙童(Fairchild)的高压工艺和共模噪声消除技术可确保高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。
    数据手册
    • 单价:

      ¥11.21148 / 个
    带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器
    数据手册
    • 单价:

      ¥18.7164 / 个
    MIC4103和MIC4104是高频、100V半桥MOSFET驱动器,与MIC4100和MIC4101驱动器相比,具有更快的关断特性。它们的特点是传播延迟时间仅24ns,驱动器下降时间仅6ns。低端和高端栅极驱动器可独立控制,匹配度在3ns以内(典型值)
    数据手册
    • 100+

      ¥11.5584
    • 200+

      ¥11.352
    • 500+

      ¥11.1456
    L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端(浮动)部分设计用于承受高达600 V的电压轨
    数据手册
    • 1+

      ¥25.1
    • 10+

      ¥24.58
    • 30+

      ¥24.24
    • 100+

      ¥22.81
  • 订货
  • 具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器
    • 单价:

      ¥27.908259 / 个
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