半桥电机驱动_厂家_价格_品牌_库存

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单价：
￥1.00488 / 个

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型号：NCP5901MNTBG 编号：C154811

封装：DFN-8(2x2)

NCP5901 是一款高性能双 MOSFET 驱动器，经过优化，可驱动同步降压转换器的高压侧和低压侧电源 MOSFET 门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。在 OVP 下检测到门极驱动器故障、发生 UVLO 时，双向 EN 引脚能够向控制器提供故障信号。另外，当电源电压低时，欠压锁定功能保证了输出为低电平。

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￥1.1988 / 个

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型号：DGD0636MS28-13 编号：C460683

封装：SO-28-300mil

品牌：DIODES(美台)

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￥12.235616 / 个

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型号：LB1867M-TLM-H 编号：C899604

封装：LSOP-14-175mil

1+
￥179.218
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￥176.28
50+
￥168.935
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￥164.528
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￥161.59

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型号：NCP81080MNTBG 编号：C603806

封装：DFN-8(2x2)

NCP81080是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动半桥N沟道MOSFET而优化。NCP81080采用自举技术，确保高端功率开关的正常驱动。高浮动顶部驱动器设计可承受高达180 V的HB电压。

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￥4.16328 / 个

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型号：NCP81080DR2G 编号：C603805

封装：SOIC-8

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1+
￥4.93
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￥4.82
30+
￥4.76
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￥4.69

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型号：MIC4605-2YMT-T5 编号：C633061

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

1+
￥5.84
10+
￥4.72
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￥4.16
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￥3.61
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￥3.27
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￥3.1

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型号：FAN73833MX 编号：C457721

封装：SOP-8

FAN73833 是半桥栅极驱动 IC，用于驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +600 V。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高端驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路允许高侧驱动器的工作偏置电压达 V

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￥5.469 / 个

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型号：IRS2308STRPBF 编号：C152382

封装：SOIC-8

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10+
￥5.4
100+
￥5.2
200+
￥4.8
1000+
￥4.6
2000+
￥4.48

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型号：IRS21091STRPBF 编号：C538264

封装：SOIC-8

IRS21091是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥8.905
50+
￥8.22
100+
￥8.083
500+
￥7.809
1000+
￥7.672

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型号：IR2111PBF 编号：C371087

封装：PDIP-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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10+
￥49.116896
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￥42.375362
1000+
￥39.004594

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型号：NCP5111DR2G 编号：C184093

封装：SOIC-8

NCP5111 是一款高电压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。

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10+
￥3.84426
100+
￥3.70188
200+
￥3.41712
1000+
￥3.27474
2000+
￥3.189312

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型号：IRS2183STRPBF 编号：C538305

封装：SOIC-8

IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。

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1+
￥8.177
50+
￥7.548
100+
￥7.4222
500+
￥7.1706
1000+
￥7.0448

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型号：IRS2304SPBF 编号：C68271

封装：SOIC-8

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥8.57
10+
￥8.36
30+
￥8.21
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￥8.07

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型号：MCP14A0152T-E/CH 编号：C625309

封装：SOT-23-6

高速MOSFET驱动器能够在单4.5V至18V电源供电下提供高达1.5A的峰值电流。反相（MCP14A0151）或同相（MCP14A0152）单通道输出可直接由TTL或CMOS（2V至18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A0151/2系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，以使MCP14A0151/2的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成的上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。此外，MCP14A0151/2器件具有独立的接地引脚（A_GND和GND），可在对电平敏感的输入/使能引脚与推挽输出级的快速大电流转换之间实现更好的噪声隔离。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们可以承受高达500 mA的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达1.75 kV（HBM）和200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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100+
￥6.776
200+
￥6.655
500+
￥6.534

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型号：IRS2008STRPBF 编号：C194307

封装：SOIC-8

半桥驱动

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50+
￥12.584373
200+
￥10.559687
500+
￥8.769909
1000+
￥7.382832

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型号：MIC4604YMT-TR 编号：C515515

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

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1+
￥9.11
10+
￥8.91
30+
￥8.78
100+
￥8.64

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型号：NCV5705BDR2G 编号：C904652

封装：SOIC-8

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￥5.10948 / 个

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型号：MIC4604YM-TR 编号：C628050

封装：SOIC-8

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有39 ns的快速传播延迟时间和20 ns的驱动上升/下降时间（针对1 nF电容负载）。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制，具有TTL输入阈值，包含一个高压内部二极管，有助于对高侧栅极驱动自举电容充电。一款强大、高速且低功耗的电平转换器可向高侧输出提供清晰的电平转换。其稳定的操作确保输出不受电源干扰、HS低于地电位的振铃或HS高速电压转换的影响。低侧和高侧驱动器均具备欠压保护功能。有8引脚SOIC封装和10引脚2.5 mm × 2.5 mm TDFN封装两种类型，两种封装的工作结温范围均为 -40°C至 +125°C。

10+
￥4.32332
20+
￥4.24878
30+
￥4.17424

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型号：IR2102SPBF 编号：C152189

封装：SOIC-8

高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动

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1+
￥11.11
10+
￥10.88
30+
￥10.73
100+
￥10.58

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型号：MCP14628-E/MF 编号：C132555

封装：TDFN-8-EP(3x3)

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1+
￥11.87
10+
￥11.27
30+
￥10.87
100+
￥10.04

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型号：FAN7391MX 编号：C604980

封装：SOIC-14

FAN7391 是单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 V

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1+
￥7.54
50+
￥6.96
100+
￥6.844
500+
￥6.612
1000+
￥6.496

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型号：2ED21824S06JXUMA1 编号：C3655751

封装：SOIC-14

1+
￥12.6
10+
￥12.31
30+
￥12.12
100+
￥11.93

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型号：IR21531PBF 编号：C2984

封装：PDIP-8

MOS管驱动器芯片

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1+
￥12.69
10+
￥12.41
30+
￥12.23
100+
￥12.04

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型号：2ED2109S06F 编号：C533046

封装：DSO-8