半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-16-300mil

一个输入引脚同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET。独特的自适应保护功能可防止直通电流，消除了两个MOSFET的匹配要求，大大简化了高效电机控制和开关调节器系统的设计。连续电流限制环路可调节顶部功率MOSFET中的短路电流，只要MOSFET的VDS不超过1.2V，就允许更高的启动电流。通过将故障输出返回到使能输入，在发生故障时将自动关闭，并在内部上拉电流对使能电容重新充电时重试。片上电荷泵在需要时开启，以连续导通顶部N沟道MOSFET。特殊电路确保在PWM和直流操作之间的转换过程中，顶部栅极驱动能安全维持。在较高电源电压下工作时，栅源电压内部限制为14.5V。

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￥54.35
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￥51.74
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￥50.15

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型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

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￥0.71019 ￥0.7891
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￥0.69201 ￥0.7689
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￥0.67995 ￥0.7555
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￥0.6678 ￥0.742

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型号：SLM2014CA-DG 编号：C5127147

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

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￥0.7645
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￥0.7473
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型号：LN8322SR-G 编号：C3008046

封装：SOP-8

品牌：natlinear(南麟)

LN8322是一款可驱动高端和低端N沟道MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH、DRVL的输出。

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￥0.8269
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￥0.6445
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￥0.5533
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2500+
￥0.4302

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型号：SLM2106SCA-13GTR 编号：C461471

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

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￥2.6
10+
￥2.07
30+
￥1.84
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型号：COS2181STRPBF 编号：C7501651

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5A峰值拉/灌电流

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￥3.4
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￥2.75
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￥2.42
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￥2.1
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￥1.9
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￥1.8

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型号：COS21844S 编号：C42377825

封装：SOP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥4.01
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￥3.56
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￥3.33
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型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥4.52
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￥2.54
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￥2.4

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型号：IRS2301STRPBF 编号：C520632

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥4.58
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￥3.71
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型号：CA-IS3221BK-Q1 编号：C20598917

封装：SOIC-14-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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￥7.34
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￥5.22

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型号：NCP5104DR2G 编号：C153763

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

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￥7.36
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￥6.1
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￥5.42
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￥3.87
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型号：MIC4605-1YM-TR 编号：C628051

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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￥7.93
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￥6.59
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￥5.85
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型号：LM5107SD/NOPB 编号：C2653795

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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￥8.14
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型号：FAN7191MX-F085 编号：C604977

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7191_F085 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。

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￥11.5
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￥10.197 ￥10.3
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￥8.5084 ￥9.56
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￥7.5205 ￥8.45
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￥7.387 ￥8.3

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型号：LM27222MX/NOPB 编号：C2653801

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器

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1+
￥11.99
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￥11.68
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￥11.27

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型号：IR2111SPBF 编号：C2970

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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￥12.9948 ￥19.11
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￥11.084 ￥16.3
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￥9.894 ￥14.55
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￥8.67 ￥12.75
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￥8.1192 ￥11.94
1000+
￥7.8812 ￥11.59

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型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥13.2422 ￥18.14
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￥10.7856 ￥17.12
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￥8.7556 ￥16.52
250+
￥8.4323 ￥15.91
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￥8.2839 ￥15.63
1000+
￥8.215 ￥15.5

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型号：UCC21222QDRQ1 编号：C1848357

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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1+
￥13.9
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￥11.79
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￥10.22

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型号：MP1907AGQ-Z 编号：C6096968

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配在5ns以内。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出低电平

1+
￥13.9273
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￥12.8622
100+
￥11.4695

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型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125

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1+
￥16.63
10+
￥16.25
30+
￥15.99

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型号：MP1924AHR-LF-Z 编号：C3654838

封装：QFN-10(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

1+
￥18.0235
50+
￥16.3867
100+
￥14.5007

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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

1+
￥18.9
10+
￥18.42
30+
￥18.1

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型号：MP18024HN-LF-Z 编号：C6992699

封装：SOICE-8

品牌：MPS(芯源)

MP18024是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时强制输出为低电平。集成的自举二极管可减少外部元件数量。

1+
￥21.7101
50+
￥19.779
100+
￥18.2693

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型号：ADP3650JCPZ-RL 编号：C659215

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP3650 是一款双路高压 MOSFET 驱动器，专为驱动非隔离同步降压电源转换器中的两个 N 沟道 MOSFET（即两个开关）而优化。每个驱动器能够驱动 3000 pF 的负载，传播延迟为 45 ns，转换时间为 25 ns。其中一个驱动器可采用自举方式，并设计用于处理与浮动高端栅极驱动器相关的高电压转换速率

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1+
￥25.21
10+
￥21.6
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￥19.45
100+
￥16.2432 ￥17.28
500+
￥15.3032 ￥16.28
1000+
￥14.8802 ￥15.83

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型号：IR2213STRPBF 编号：C495817

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥34.16
10+
￥29.2
30+
￥25.14

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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1+
￥34.22
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￥29.32
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￥26.41
100+
￥21.5832 ￥23.46
500+
￥20.332 ￥22.1
1000+
￥19.7708 ￥21.49

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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1+
￥39.78
10+
￥34.43
30+
￥31.17

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型号：ADUM7234BRZ 编号：C661449

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
￥43.34
10+
￥37.2
30+
￥33.46

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型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

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1+
￥58.24
10+
￥50.16
30+
￥45.24

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型号：SLM2003ECA-DG 编号：C2943125

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns,MT:60ns

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￥0.584
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￥0.4564
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￥0.3925
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