半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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1+
￥39.29
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￥33.59
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￥30.11

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型号：DS9601D8 编号：C5795658

封装：DFN2x2-8L

品牌：DSTECH(奥简科技)

60V耐压，高PSRR，超低功耗，驱动两个N-MOSFET

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￥1.0311
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￥0.7993
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￥0.6999

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型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

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￥1.51587 ￥1.6843
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￥1.19835 ￥1.3315
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￥1.06227 ￥1.1803
500+
￥0.89253 ￥0.9917
2500+
￥0.81693 ￥0.9077
5000+
￥0.77157 ￥0.8573

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型号：DO6288T 编号：C42386243

封装：TSSOP-20

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

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￥1.5262
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￥1.3204
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￥1.2322
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￥1.1221
3000+
￥1.0731
6000+
￥1.0437

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型号：SLM2101SCA-13GTR 编号：C461468

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:160/220 ns, DT:NA, MT:60ns

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5+
￥1.91
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￥1.465
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￥1.2742

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型号：COS2184S 编号：C42377824

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥3.21
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￥2.85
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￥2.67
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￥2.49
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￥2.38
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￥2.32

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型号：ZH639D0JT 编号：C41371521

封装：TSSOP-20

品牌：Semiment(赛卓)

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￥3.23
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￥2.52
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￥2.22
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￥1.84
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￥1.67
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型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8

IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

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￥3.48
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￥2.81
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￥2.47
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￥1.95

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型号：DGD2110S16-13 编号：C460698

封装：SOP-16-300mil

品牌：DIODES(美台)

DGD2110 和 DGD2113 是高压/高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端输出。高端驱动器具备浮动电源，可在高达 500V/600V 的电压下工作。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配为 10ns（最大值）/20ns（最大值），支持高频操作

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￥4.2035 ￥12.01
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￥2.8025 ￥11.21
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￥1.6065 ￥10.71
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￥1.53 ￥10.2
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￥1.4955 ￥9.97
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￥1.4805 ￥9.87

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型号：TF2108A-TAU 编号：C6387926

封装：SOIC-8

高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.184 ￥6.48
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￥4.216 ￥5.27
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￥3.736 ￥4.67
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￥3.256 ￥4.07
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￥2.968 ￥3.71
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￥2.816 ￥3.52

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型号：FAN7382MX 编号：C128796

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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￥6.07
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￥4.97
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￥4.36
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￥3.68
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￥3.37

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型号：TF2108A-3AS 编号：C6387923

封装：PDIP-8

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.096 ￥7.62
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￥5.088 ￥6.36
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￥4.536 ￥5.67
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￥3.912 ￥4.89
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￥3.632 ￥4.54
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￥3.504 ￥4.38

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型号：TF21064-3BS 编号：C6387917

封装：PDIP-14

驱动配置：高低边，高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.096 ￥7.62
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￥4.536 ￥5.67
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型号：SL27501SE 编号：C22446793

封装：SOIC-8-EP

品牌：Slkor(萨科微)

SL27501是一款4A单通道高速智能驱动器，能够高效，安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以在高dv / dt下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护，并降低电源设备和系统元件损坏的风险。

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￥6.112 ￥7.64
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￥5.048 ￥6.31
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￥4.464 ￥5.58
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￥3.8 ￥4.75
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￥3.512 ￥4.39
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￥3.376 ￥4.22

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型号：TF21084A-3BS 编号：C6387918

封装：PDIP-14

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥8.216 ￥10.27
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￥7.016 ￥8.77
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￥6.256 ￥7.82
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￥5.488 ￥6.86
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￥5.136 ￥6.42
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￥4.984 ￥6.23

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型号：TF21084A-TUU 编号：C6387928

封装：SOIC-14

高压600V,单相,死区可调,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.2204 ￥10.36
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￥7.6807 ￥8.63
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￥6.8352 ￥7.68
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￥5.8829 ￥6.61
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￥5.4557 ￥6.13
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￥5.2599 ￥5.91

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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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￥9.43
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￥7.8
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￥6.91
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￥5.58
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￥5.13

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型号：UCC27311ADRCR 编号：C42349194

封装：VSON-10-EP(3x3)

UCC27311A 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27311A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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￥9.7
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￥9.47
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￥9.32

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型号：IR2183STRPBF 编号：C2653806

封装：SOIC-8

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥9.73
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￥8.07
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￥7.15
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￥6.12

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型号：TF21814-3BS 编号：C6387919

封装：PDIP-14

驱动配置：高低边高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.864 ￥12.33
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￥8.416 ￥10.52
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￥7.512 ￥9.39
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￥6.584 ￥8.23
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￥6.168 ￥7.71
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￥5.984 ￥7.48

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型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860

封装：VSON-10(3x3)

是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

1+
￥10.28
10+
￥8.51
30+
￥7.53
100+
￥6.43

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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥10.46
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￥8.66
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￥7.67

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型号：2ED21084S06JXUMA1 编号：C3655642

封装：SOIC-14

2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力，在 VS 引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V 的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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￥10.95
10+
￥9.3
30+
￥8.26

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型号：UCC27284DRCT 编号：C5218838

封装：VSON-10(3x3)

一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。输入与电源电压无关，与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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1+
￥12.36
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￥10.5
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￥9.33

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型号：TC1412NEOA 编号：C636855

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC1412/TC1412N 是 2A 的 CMOS 缓冲器/驱动器。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闭锁现象。当接地引脚出现高达 5V 的任一种极性的噪声尖峰时，它们不会受到损坏

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1+
￥13.3076 ￥17.51
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￥9.8604 ￥14.94
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￥7.4704 ￥13.34
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￥6.5464 ￥11.69
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￥6.132 ￥10.95
1000+
￥5.9472 ￥10.62

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型号：STDRIVE101 编号：C2969847

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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1+
￥14.53
10+
￥12.19
30+
￥10.72

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型号：DGD2190MS8-13 编号：C460708

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2190M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2190M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD2190M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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1+
￥14.76
10+
￥12.38
30+
￥10.89

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型号：MP1923GS-Z 编号：C6306878

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

1+
￥20.727
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￥18.1054
100+
￥16.4669

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型号：DRV8705HQRHBRQ1 编号：C2871884

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

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1+
￥21.02
10+
￥20.49
30+
￥20.14

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型号：UCC20520DWR 编号：C2863035

封装：SOIC-16-300mil