半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN-8(3x3)

NCP81062 是一款高性能 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测特性即使在轻型负载条件下可能实现一个高能效方案。预 OVP 特性有助于在高压侧 FET 发生短路时保护负载。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到预 OVP 或 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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￥2.3
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￥2.02
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￥1.9
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￥1.76
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型号：DGD2103MS8-13 编号：C460691

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥2.82
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￥1.8473 ￥2.03
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型号：LM2101DR 编号：C34080678

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。

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￥3.28
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￥3.14
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型号：ZH639D0JT 编号：C41371521

封装：TSSOP-20

品牌：Semiment(赛卓)

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￥3.29
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型号：IR25602STRPBF 编号：C537635

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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￥3.41
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￥2.34
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型号：IRS2004STRPBF 编号：C78066

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥3.56
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型号：SL27501SE 编号：C22446793

封装：SOIC-8-EP

品牌：Slkor(萨科微)

SL27501是一款4A单通道高速智能驱动器，能够高效，安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以在高dv / dt下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护，并降低电源设备和系统元件损坏的风险。

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￥3.576 ￥4.47
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￥3.488 ￥4.36
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￥3.432 ￥4.29
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￥3.376 ￥4.22

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型号：SLM2184SCA-13GTR 编号：C883213

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，IN正,SD负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS

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￥3.75
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￥2.66
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型号：TF21064-3BS 编号：C6387917

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边，高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.04 ￥7.55
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￥5.032 ￥6.29
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￥4.48 ￥5.6
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￥3.856 ￥4.82
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￥3.448 ￥4.31

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型号：LM5109BSDX/NOPB 编号：C910385

封装：WSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥6.3
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￥5.03
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￥4.39

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型号：TF21064M-TUH 编号：C3034732

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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1+
￥6.32
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￥5.11
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型号：NCV57200DR2G 编号：C904655

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电，也可通过自举技术由低端电源供电

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￥6.66
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￥5.97
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￥5.59
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￥5.16
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￥4.97
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￥4.89

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型号：L6498DTR 编号：C500658

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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￥7.47
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￥6.32
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￥5.75

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型号：FAN7380MX 编号：C890848

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7380是单片半桥栅极驱动IC，可以驱动工作电压最高达+600V的MOSFET和IGBT。高压工艺和共模噪声消除技术可使高端驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高端栅极驱动器的工作电压在VBS=15V时高达Vs=-9.8V(典型值)。

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￥7.77
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￥6.36
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￥5.59
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型号：L6494LD 编号：C2965455

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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￥8.3108 ￥10.52
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￥7.0932 ￥10.28
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￥5.8882 ￥9.98

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型号：UCC27201ADDAR 编号：C2653809

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥9.17
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￥7.57
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￥6.68

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型号：TF23892M-TLH 编号：C2958769

封装：SOIC-28

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.19
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￥7.75
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型号：UCC27311ADRCR 编号：C42349194

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27311A 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27311A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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1+
￥9.79
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￥9.56
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￥9.41

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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1+
￥10.11
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￥8.33
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￥7.35

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型号：UCC21220ADR 编号：C2878025

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ，借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns，所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能，这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性，适用于多种电源应用。

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1+
￥12.02
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￥10.2
30+
￥9.07
100+
￥7.9

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型号：DGD2190MS8-13 编号：C460708

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2190M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2190M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD2190M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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1+
￥14.76
10+
￥12.38
30+
￥10.89
100+
￥9.37

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型号：UCC21330BQDRQ1 编号：C34414221

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

通用型：双低侧、双高侧或半桥驱动器，符合 AEC - Q100 标准，测试结果如下： - 器件温度等级 1 - 结温范围：-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度（CMTI）大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定（UVLO）选项 - 开关参数： - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断，用于电源排序。

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1+
￥15.79
10+
￥13.26
30+
￥11.67
100+
￥10.05

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型号：1ED3121MU12H 编号：C530922

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

1+
￥17.07
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￥14.36
30+
￥12.66
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￥10.93

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型号：MP1924AHS-LF-Z 编号：C5675613

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

1+
￥18.0235
50+
￥16.2212
100+
￥14.5007

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型号：MP86920GLV-Z 编号：C6675180

封装：LGA-27(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP86920 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感，集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27（4mmx5mm）封装。

1+
￥20.8909
50+
￥19.4162
100+
￥15.4838

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型号：MPQ6626GF-AEC1-Z 编号：C5776047

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

MPQ6626 是一款 6 通道半桥 DMOS 输出驱动器，集成了功率 MOSFET。输入电压范围为 5.5V 至 40V，输出电流能力高达 0.8A。MPQ6626 的六个半桥可通过标准串行数据接口单独控制，并具备多种诊断功能。该器件在待机模式下的静态电流极低。全面保护功能包括短路保护（SCP）、欠压保护（UVP）和热关断。MPQ6626 仅需少量易于获取的标准外部元件。它采用 TSSOP - 28 EP 封装。

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￥21.0547
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￥18.9247
100+
￥17.2862

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型号：NCP51810AMNTWG 编号：C2902266

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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