半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

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￥7.39
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型号：L6494LD 编号：C2965455

封装：SO-14

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：UCC27201DRMR 编号：C2677220

封装：VSON-8-EP(4x4)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：DGD2181S8-13 编号：C460704

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2181是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥6.063 ￥6.45
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型号：FAN3278TMX 编号：C903510

封装：SOIC-8

FAN3278是一款双通道1.5A栅极驱动器，针对在电压轨道最高值为27V的电机控制应用中驱动一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET进行了优化。内部电路将加在外部MOSFET栅极上的电压限制在最大值13V。驱动器具有TTL输入限制，提供逻辑输入的缓冲和电平转换。内部电路防止输出开关器件在V

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型号：MIC4605-1YM-TR 编号：C628051

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：L6395D 编号：C1549486

封装：SO-8

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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￥9.0552 ￥16.17
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￥6.3434 ￥13.79
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型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078

封装：VSON-8(4x4)

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。

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型号：IR21834STRPBF 编号：C537607

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：L6392D 编号：C1549314

封装：SO-14

L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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￥12.2616 ￥17.03
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￥9.0086 ￥14.53
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型号：UCC27282DRCT 编号：C2676968

封装：VSON-10-EP(3x3)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

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￥10.73
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型号：UCC27201ADRCT 编号：C2876550

封装：VSON-9-EP(3x3)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥13.1105 ￥20.17
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型号：MP1907AGQ-Z 编号：C6096968

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP1907A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配在5ns以内。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出低电平

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￥13.9273
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型号：UCC21330BQDRQ1 编号：C34414221

封装：SOIC-16

通用型：双低侧、双高侧或半桥驱动器，符合 AEC - Q100 标准，测试结果如下： - 器件温度等级 1 - 结温范围：-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度（CMTI）大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定（UVLO）选项 - 开关参数： - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断，用于电源排序。

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型号：NCV7544MWTXG 编号：C895779

封装：QFN-32-EP(5x5)

NCV7544可编程四通道半桥MOSFET预驱动器是用于驱动逻辑电平NMOS FET的FLEXMOS汽车级产品系列之一。该产品可通过串行SPI和CMOS兼容并行输入的组合进行控制。内部上电复位可实现受控上电

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￥16.606 ￥18.05
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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)

65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

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型号：UCC21220DR 编号：C2878023

封装：SOIC-16

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ，借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns，所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能，这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性，适用于多种电源应用。

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￥17.75
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型号：UCC21530DWKR 编号：C2677139

封装：SOIC-14P-300mil

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

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￥18
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￥13.57

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型号：LM5109BQNGTTQ1 编号：C2677100

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥15.72
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￥13.85

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型号：Mp6528GR-Z 编号：C1884680

封装：QFN-28-EP(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6528 是一款专为 H 桥驱动应用设计的栅极驱动 IC。它能够驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥，耐压高达 60V。MP6528 集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端 MOSFET 驱动器生成电源电压

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￥21.3005
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￥20.8909
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￥17.1223

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型号：STDRIVEG600TR 编号：C3655710

封装：SO-16

GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器

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￥25.44
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￥21.98
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￥19.92

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型号：NCV7720DQAR2G 编号：C904664

封装：SSOP-24-EP-150mil

NCV7720 Deca是一款十通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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￥26.23
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￥22.22
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￥17.42

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型号：IR2130STRPBF 编号：C16675

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，三相桥驱动IC

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￥27.84
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￥23.67
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￥21.19

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型号：NCV7724DQBR2G 编号：C2902155

封装：SSOP-24-EP-150mil

NCV7724B是一款八通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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￥33.348 ￥55.58
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￥24.07 ￥48.14
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￥17.444 ￥43.61
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￥15.924 ￥39.81

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型号：ADUM4221ARIZ-RL 编号：C1512921

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式半桥栅极驱动器，具有可调停滞时间，4A输出

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￥38.64
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￥34.99

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型号：UCC21521CDWR 编号：C189707

封装：SOIC-16-300mil

UCC21521 具有使能端的 4A/6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器

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￥39.37
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￥35.53

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型号：LTC4444HMS8E-5#TRPBF 编号：C688581

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一个高频高压栅极驱动器，可在同步 DC/DC 转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压高达 100V。这个强大的驱动器可降低高栅极电容 MOSFET 的开关损耗。配置为两个独立电源输入。高端输入逻辑信号在内部电平转换为自举电源，该电源可在高于地 114V 的电压下工作。包含欠压锁定电路，激活时可禁用外部 MOSFET。自适应直通保护可防止两个 MOSFET 同时导通。

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￥60.18
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￥52.1
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￥47.18

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型号：LTC4446EMS8E#PBF 编号：C688589

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4446是一款高频高压栅极驱动器，可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A，下拉输出阻抗为1.2Ω

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￥60.59
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￥52.22
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型号：LMG3100R044VBER 编号：C42715446

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.5)