半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：DGD05463M10-13 编号：C6021630

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器接口

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￥2.0498 ￥5.54
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￥2.0054 ￥5.42
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￥1.9758 ￥5.34
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￥1.9462 ￥5.26

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型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

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￥3.48
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￥2.81
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￥2.47
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￥1.95

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型号：IRS2181STRPBF 编号：C67284

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥6.81
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￥5.66
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￥5.02

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型号：LM5108DRCT 编号：C2677092

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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￥6.82
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￥5.6
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￥4.93

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型号：DGD2005S8-13 编号：C460687

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2005的高端在自举操作中可切换至200V。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配最大为30ns，可实现高频开关

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￥7.1558 ￥9.67
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￥6.8376 ￥9.24

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型号：CA-IS3221BW-Q1 编号：C20598913

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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￥7.44
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￥6.05
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￥5.28

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型号：STDRIVE101TR 编号：C3655697

封装：VFQFPN-24

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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￥7.66
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￥7.49
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型号：UCC21540ADWR 编号：C2878545

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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￥8.04
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￥7.11
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￥6.23

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型号：Pai8233C-S1R 编号：C6807638

封装：SOIC-16

品牌：2Pai Semi(荣湃)

双低端、双高端或半桥模式栅极驱动器

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￥8.09
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￥5.75
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￥4.81
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￥4.39
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￥4.2

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型号：UCC27201AD 编号：C1549352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥9.14
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￥7.48
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￥6.57

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型号：UCC27211ADRMT 编号：C133078

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。

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￥9.43
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￥7.74
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￥6.81

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型号：TPS28225TDRQ1 编号：C2677049

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225-Q1 具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器

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￥11.06
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￥10.77
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型号：UCC21540DWKR 编号：C2865370

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

具有双输入、DT 引脚和 8V UVLO、采用 DW 或 DWK 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125

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￥11.51
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型号：ADUM7223ACCZ-RL7 编号：C206815

封装：LGA-13(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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￥12.28
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￥12.02
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型号：L6392D 编号：C1549314

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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￥13.7943 ￥17.03
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￥6.9357 ￥11.37
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￥6.4904 ￥10.64
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￥6.3013 ￥10.33

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型号：UCC27211DPRR 编号：C2677328

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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￥13.84
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￥11.57
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￥10.15

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型号：LM25101CMAX/NOPB 编号：C2869022

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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￥14.83
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￥14.1
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￥13.67
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￥11.74

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型号：DRV8328CRUYR 编号：C5218865

封装：WQFN-28(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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￥15.34
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￥12.87
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￥11.32
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型号：2EDF7235KXUMA1 编号：C2677067

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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￥15.44
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￥13
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￥11.48

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型号：NCV7544MWTXG 编号：C895779

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7544可编程四通道半桥MOSFET预驱动器是用于驱动逻辑电平NMOS FET的FLEXMOS汽车级产品系列之一。该产品可通过串行SPI和CMOS兼容并行输入的组合进行控制。内部上电复位可实现受控上电

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￥15.63
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￥13.8593 ￥15.23
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￥12.1176 ￥14.96
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￥11.907 ￥14.7

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型号：2ED2182S06FXUMA1 编号：C1850289

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时，仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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1+
￥15.71
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￥13.15
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￥11.55
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￥9.91

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型号：MP6610GJ-Z 编号：C3655224

封装：TSOT-23-8

品牌：MPS(芯源)

MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内，它能够提供高达3A的输出电流。MP6610旨在驱动有刷直流电机、螺线管及其他负载

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￥16.4669
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￥14.255
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￥13.1899

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型号：HIP2210FRTZ 编号：C20350729

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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￥18.41
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￥15.71
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￥14.02
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￥12.29

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型号：IR2101PBF 编号：C2955

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥19.52
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￥16.71
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￥15.04

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型号：UCC21520AQDWRQ1 编号：C2878533

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

具有双输入、禁用引脚、死区时间和 8V UVLO 的汽车类 5.7kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125

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￥21.01
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￥17.98
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￥16.18

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型号：IR2113PBF 编号：C2973

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥21.24
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￥18.19
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￥16.37

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型号：Mp6528GR-Z 编号：C1884680

封装：QFN-28-EP(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6528 是一款专为 H 桥驱动应用设计的栅极驱动 IC。它能够驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥，耐压高达 60V。MP6528 集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端 MOSFET 驱动器生成电源电压

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￥21.3005
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￥20.8909
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￥17.1223

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型号：UCC20520DWR 编号：C2863035

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

是一款隔离式单输入、双通道栅极驱动器，具有4A源极和6A灌极峰值电流。旨在驱动功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET，频率高达5MHz，具有出色的传播延迟和脉冲宽度失真。输入侧与两个输出驱动器通过5.7kV有效值的加强隔离屏障隔离，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离允许最高1500V直流的工作电压

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