半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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1+
￥28.1588 ￥34.34
10+
￥24.3786 ￥29.73
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￥22.1318 ￥26.99
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￥19.8604 ￥24.22
500+
￥18.8108 ￥22.94
1000+
￥18.3352 ￥22.36

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型号：UCC27212DPRR 编号：C2677326

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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￥29
10+
￥25.11
30+
￥22.8

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型号：DRV8343SPHPRQ1 编号：C2879411

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

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1+
￥38.77
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￥32.88
30+
￥29.78

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型号：LMG1210RVRT 编号：C2862667

封装：WQFN-19(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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1+
￥40.53
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￥34.99
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￥31.61

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型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

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1+
￥90.93
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￥86.77
30+
￥79.58

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型号：U2103C 编号：C41374693

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥1.2975
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￥1.0187
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￥0.8992
500+
￥0.7501

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型号：SLM2103SCA-13GTR 编号：C461469

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

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￥1.8543
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￥1.4259
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￥1.2423
500+
￥1.0133

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型号：TF2003M-TAH 编号：C5223669

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

栅极驱动IC@@高压200V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥2.98
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￥2.35
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￥2.08
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￥1.74

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型号：COS21844S 编号：C42377825

封装：SOP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动，10V-20V 电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥4.01
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￥3.56
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￥3.33
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￥3.11
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￥2.97
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￥2.9

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型号：LM2105DR 编号：C21316176

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

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￥4.33
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￥3.47
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￥3.04
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￥2.61

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型号：UCC27712QDRQ1 编号：C2677057

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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￥5.94
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￥4.73
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￥4.13
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￥3.53

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型号：TF1388M-TGH 编号：C6387929

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：三相/半桥中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.61
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￥5.46
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￥4.83
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￥4.11

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型号：CA-IS3222BW 编号：C20598898

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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￥6.8
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￥5.53
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￥4.84
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￥4.05

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型号：DRV2625YFFR 编号：C553134

封装：DSBGA-9

品牌：TI(德州仪器)

DRV2625 具有波形库、自动谐振跟踪和低功耗的 ERM/LRA 触觉驱动器

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￥8.72
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￥7.24
30+
￥6.43
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￥5.52

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型号：UCC27710DR 编号：C2676981

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

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1+
￥9.06
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￥7.47
30+
￥6.44
100+
￥5.46

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型号：TPS28225DRBR 编号：C2676914

封装：SON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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1+
￥11.7
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￥10.42
30+
￥9.51
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￥8.69

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型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥12.19
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￥10.21
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￥8.96
100+
￥7.69

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型号：MP1921HS-A-LF-Z 编号：C7304239

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1921A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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￥12.2888
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￥11.2237
100+
￥9.9129

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型号：UCC27211DDAR 编号：C141980

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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1+
￥13.06
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￥11.11
30+
￥9.88

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型号：TF21364M-TLH 编号：C2683766

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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1+
￥13.167 ￥14.63
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￥11.277 ￥12.53
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￥10.089 ￥11.21
100+
￥8.244 ￥9.16
500+
￥7.695 ￥8.55
1500+
￥7.461 ￥8.29

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型号：UCC21222QDRQ1 编号：C1848357

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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1+
￥13.9
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￥11.79
30+
￥10.22

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型号：UCC21225ANPLR 编号：C2863036

封装：VLGA-13(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

UCC21225A 是一款隔离式双通道栅极驱动器，采用 5mm x 5mm LGA-13 封装，源极峰值电流为 4A，灌极峰值电流为 6A。它旨在驱动功率晶体管，工作频率高达 5MHz，具有同类最佳的传播延迟和脉冲宽度失真性能。输入侧与两个输出驱动器之间通过 2.5kVRMS 隔离屏障进行隔离，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为 100V/ns

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1+
￥15.4
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￥13.15
30+
￥11.74
100+
￥10.29

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型号：UCC27211DPRR 编号：C2677328

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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1+
￥15.79
10+
￥14.15
30+
￥12.99
100+
￥11.94

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型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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1+
￥15.97
10+
￥13.4
30+
￥11.78
100+
￥10.13

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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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1+
￥16.13
10+
￥14.07
30+
￥12.78

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型号：MP1918GQE-Z 编号：C7545022

封装：QFN-14(3x3)

品牌：MPS(芯源)

是一款100V半桥驱动器，用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓（GaN）FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端（HS）和低端（LS）脉冲宽度调制（PWM）输入，为高端驱动器电压提供自举技术，可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压，从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出，允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力，可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14（3mmx3mm）封装。