半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：DS9601D8 编号：C5795658

封装：DFN2x2-8L

品牌：DSTECH(奥简科技)

60V耐压，高PSRR，超低功耗，驱动两个N-MOSFET

5+
￥1.0311
50+
￥0.7993
150+
￥0.6999
500+
￥0.576

有货

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型号：NCP81155MNTXG 编号：C173765

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81155 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动降压或降压-升压应用中的高压侧和低压侧电源 MOSFET。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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9000+
￥1.181595
18000+
￥1.17095
27000+
￥1.14966

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型号：DO6288T 编号：C42386243

封装：TSSOP-20

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

5+
￥1.5262
50+
￥1.3204
150+
￥1.2322
500+
￥1.1221
3000+
￥1.0731
6000+
￥1.0437

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型号：TF2003M-TAH 编号：C5223669

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

栅极驱动IC@@高压200V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.35
30+
￥2.08
100+
￥1.74

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型号：DGD05473FN-7 编号：C189752

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD05473是一款高频栅极驱动器，能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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1+
￥3.78
10+
￥2.95
30+
￥2.6

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型号：TF1388M-TGH 编号：C6387929

封装：SOIC-20

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：三相/半桥中压250V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.87
10+
￥3.78
30+
￥3.71
100+
￥3.65

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型号：FD6288T 编号：C97683

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片

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1+
￥4.9
10+
￥3.8
30+
￥3.25
100+
￥2.71
500+
￥2.38
1000+
￥2.21

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型号：TF2108A-TAU 编号：C6387926

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.128 ￥6.41
10+
￥4.16 ￥5.2
30+
￥3.68 ￥4.6
100+
￥3.2 ￥4
500+
￥2.912 ￥3.64
1000+
￥2.76 ￥3.45

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型号：UCC27712QDRQ1 编号：C2677057

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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1+
￥5.94
10+
￥4.73
30+
￥4.13
100+
￥3.53

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型号：TF2108A-3AS 编号：C6387923

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.04 ￥7.55
10+
￥5.032 ￥6.29
50+
￥4.48 ￥5.6
100+
￥3.856 ￥4.82
500+
￥3.576 ￥4.47
1000+
￥3.448 ￥4.31

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型号：IR2153PBF 编号：C2983

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动集成电路，可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。

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1+
￥6.08
10+
￥4.84
50+
￥4.22

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型号：LM5109BQNGTRQ1 编号：C2876136

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥7.3
10+
￥5.97
30+
￥5.25
100+
￥4.43

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型号：UCC27201DRMR 编号：C2677220

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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1+
￥7.42
10+
￥6.12
30+
￥5.41

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型号：TF21084A-3BS 编号：C6387918

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥8.168 ￥10.21
10+
￥6.968 ￥8.71
25+
￥6.216 ￥7.77
100+
￥5.44 ￥6.8
500+
￥5.088 ￥6.36
1000+
￥4.936 ￥6.17

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型号：NCP252160MNTWG 编号：C892300

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP252160将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC - DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP252160集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

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1+
￥8.952 ￥18.65
10+
￥6.0458 ￥15.91
30+
￥3.976 ￥14.2
100+
￥3.486 ￥12.45
500+
￥3.2648 ￥11.66
1000+
￥3.1696 ￥11.32

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型号：TF21084A-TUU 编号：C6387928

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相,死区可调,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥9.2204 ￥10.36
10+
￥7.6807 ￥8.63
50+
￥6.8352 ￥7.68
100+
￥5.8829 ￥6.61
500+
￥5.4557 ￥6.13
1000+
￥5.2599 ￥5.91

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型号：TF21814-3BS 编号：C6387919

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：高低边高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥9.8 ￥12.25
10+
￥8.352 ￥10.44
25+
￥7.448 ￥9.31
100+
￥6.52 ￥8.15
500+
￥6.104 ￥7.63
1000+
￥5.92 ￥7.4

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型号：UCC21540ADWKR 编号：C5216343

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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1+
￥9.91
10+
￥8.15
30+
￥7.19

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型号：2EDF7275FXUMA1 编号：C2677065

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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1+
￥10.95
10+
￥9.29
30+
￥8.24
100+
￥7.18

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型号：DGD2304S8-13 编号：C460710

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2304是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2304的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2304逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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1+
￥11.13
10+
￥9.38
30+
￥8.41
100+
￥7.32

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型号：STDRIVE101 编号：C2969847

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

STDRIVE101是一款低压栅极驱动器，适用于驱动三相无刷电机。它是一款单芯片，带有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌电流/拉电流）

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1+
￥11.55
10+
￥9.69
30+
￥8.53

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型号：UCC21225ANPLR 编号：C2863036

封装：VLGA-13(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

UCC21225A 是一款隔离式双通道栅极驱动器，采用 5mm x 5mm LGA-13 封装，源极峰值电流为 4A，灌极峰值电流为 6A。它旨在驱动功率晶体管，工作频率高达 5MHz，具有同类最佳的传播延迟和脉冲宽度失真性能。输入侧与两个输出驱动器之间通过 2.5kVRMS 隔离屏障进行隔离，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为 100V/ns

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1+
￥13.36
10+
￥11.25
30+
￥9.93

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型号：UCC21530QDWKRQ1 编号：C2872827

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的汽车类 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125

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1+
￥16.36
10+
￥14.44
30+
￥13.46

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型号：MP1923GS-Z 编号：C6306878

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

1+
￥20.727
50+
￥18.1054
100+
￥16.4669

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型号：DRV8714SQRHARQ1 编号：C3019560

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

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1+
￥22.38
10+
￥19.1
30+
￥17.15
100+
￥15.17

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型号：1ED3124MC12HXUMA1 编号：C17365056

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器