半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

DGD05473是一款高频栅极驱动器，能够驱动n沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥3.78
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￥2.95
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￥2.6
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型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

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￥4.44
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型号：COS2113PBF 编号：C7501648

封装：DIP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5峰值拉/灌电流

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￥4.53
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型号：DGD0507AFN-7 编号：C2676972

封装：DFN3030-10-EP

特性：50V浮动高端驱动器，可在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET。 1.5A源电流/2.0A灌电流输出能力。内置自举二极管。高端和低端驱动器具有欠压锁定功能。典型延迟匹配为5ns。典型传播延迟为20ns。应用：DC-DC转换器。电机控制

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￥4.6176 ￥5.92
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型号：IRS2181STRPBF 编号：C67284

封装：SOIC-8

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：LM5108DRCT 编号：C2677092

封装：VSON-10-EP(3x3)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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型号：CA-IS3222CK-Q1 编号：C20598918

封装：SOIC-14-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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型号：DGD2003S8-13 编号：C460686

封装：SO-8

DGD2003是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2003的高端在自举操作中可切换至200V。DGD2003的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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￥7.6169 ￥12.91
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￥5.3998 ￥11.02
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型号：Pai8233C-S1R 编号：C6807638

封装：SOIC-16

品牌：2Pai Semi(荣湃)

双低端、双高端或半桥模式栅极驱动器

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￥8.09
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型号：DGD2184MS8-13 编号：C2677193

封装：SO-8

DGD2184M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2184M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2184M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥8.4854 ￥14.63
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￥7.0224 ￥14.63
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型号：NCV5703CDR2G 编号：C904651

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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￥9.4944 ￥11.04
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型号：DGD2005S8-13 编号：C460687

封装：SO-8

DGD2005是一款中压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。高压处理技术使DGD2005的高端在自举操作中可切换至200V。高端和低端驱动器之间的传播延迟匹配最大为30ns，可实现高频开关

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￥9.5733 ￥9.67
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型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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￥9.61
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型号：UCC27201AQDDARQ1 编号：C2869408

封装：SO-8

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 125

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型号：MCP14A0151T-E/MAY 编号：C625308

封装：DFN-6(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高速MOSFET驱动器能够在单4.5V至18V电源供电下提供高达1.5A的峰值电流。反相（MCP14A0151）或同相（MCP14A0152）单通道输出可直接由TTL或CMOS（2V至18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A0151/2系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，以使MCP14A0151/2的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成的上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。此外，MCP14A0151/2器件具有独立的接地引脚（A_GND和GND），可在对电平敏感的输入/使能引脚与推挽输出级的快速大电流转换之间实现更好的噪声隔离。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们可以承受高达500 mA的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达1.75 kV（HBM）和200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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￥10.4656 ￥16.88
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￥7.488 ￥14.4
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￥5.397 ￥12.85
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￥4.7334 ￥11.27
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￥4.3008 ￥10.24

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型号：UCC27200DR 编号：C181973

封装：SOIC-8

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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型号：MIC4600YML-TR 编号：C621918

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4600是一款28V半桥MOSFET驱动器，适用于机顶盒、网关、路由器、计算机外设、电信和网络设备等对成本敏感且需要高性能的应用。MIC4600的电源电压范围为4.5V至28V。它内置线性稳压器，可提供稳定的5V电压为MOSFET栅极驱动器供电，开关频率最高可达1.5 MHz

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￥10.7322 ￥17.31
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￥8.8036 ￥16.93
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￥6.8964 ￥16.42

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型号：DGD05463FN-7 编号：C3655812

封装：WDFN3030-10

DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥10.97
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￥9.31
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￥8.28
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型号：FAD6263M1X 编号：C903463

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

FAD6263是一款高压半桥栅极驱动IC，可提供2个互补输出，用于以半桥配置驱动功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保正确驱动高端功率开关。该驱动器使用单输入工作

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￥11.362 ￥12.35
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￥9.8974 ￥12.07
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￥8.5608 ￥11.89
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￥8.4312 ￥11.71

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型号：ADUM7223ACCZ-RL7 编号：C206815

封装：LGA-13(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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￥12.74
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￥12.48
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型号：IR21084STRPBF 编号：C537547

封装：SOIC-14

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥14.56
10+
￥12.36
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型号：2EDL23I06PJXUMA1 编号：C2676931

封装：DSO-14

2EDL系列器件可在半桥配置中控制最大阻断电压为+600 V的MOS晶体管或IGBT等功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受能力，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象

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￥14.65
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￥12.39
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￥10.97
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￥9.52

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型号：DRV8328CRUYR 编号：C5218865

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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￥15.1
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￥12.62
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￥11.08

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型号：UCC21331CQDRQ1 编号：C33864209

封装：SOIC-16

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，该器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

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￥16.73
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￥14.78
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￥13.79

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型号：2ED2182S06FXUMA1 编号：C1850289

封装：DSO-8

2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时，仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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￥16.93
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￥14.37
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￥12.76

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型号：UCC27301AQDRCRQ1 编号：C42295981

封装：VSON-10(3x3)

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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￥17.14
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￥16.71
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￥16.42

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型号：1ED3121MU12H 编号：C530922

封装：DSO-8