半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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1+
￥21.5
10+
￥18.4
30+
￥16.55
100+
￥13.99
500+
￥13.13
1000+
￥12.75

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型号：ADUM5230ARWZ-RL 编号：C206739

封装：SOIC-16-300mil

隔离半桥驱动器，集成高端电源

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1+
￥55.35
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￥48.05
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￥39.8

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型号：SL2004 编号：C20539710

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥2.104 ￥2.63
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￥1.656 ￥2.07
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￥1.464 ￥1.83
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￥1.216 ￥1.52
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￥1.112 ￥1.39
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￥1.048 ￥1.31

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型号：IRS2113STRPBF-JSM 编号：C5804617

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥3.9525 ￥4.65
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￥3.859 ￥4.54
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￥3.791 ￥4.46
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￥3.7315 ￥4.39

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型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860

封装：VSON-10(3x3)

是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

单价：
￥5.09 / 个

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型号：TPS28225DR 编号：C52897

封装：SOIC-8

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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1+
￥5.23
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￥4.2
30+
￥3.68
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￥3.16

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型号：UCC27211DR 编号：C2871979

封装：SOIC-8

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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1+
￥8.79
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￥7.74
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型号：IR2010STRPBF 编号：C114890

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200V的N沟道功率MOSFET或IGBT。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现坚固的单片结构。

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￥9.79
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￥8.27
30+
￥7.31
100+
￥5.99
500+
￥5.55
1000+
￥5.36

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型号：TPS28225DRBR 编号：C2676914

封装：SON-8-EP(3x3)

TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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1+
￥11.02
10+
￥9.74
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￥8.84
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￥8.01

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型号：IR21834STRPBF 编号：C537607

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥11.73
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￥9.9
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￥8.75
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￥7.58
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￥7.05

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型号：NCV7535DBR2G 编号：C603996

封装：TSSOP-20

NCV7535 是一款单片 SPI控制的 H 桥预驱动器，提供对于直流电机的控制。由于 SPI 接口，它包含了汽车系统中使用的增强功能集。因此这是一个高度集成的方案。

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1+
￥12.7181 ￥14.29
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￥10.3964 ￥13.16
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￥8.5905 ￥12.45
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￥8.0868 ￥11.72
500+
￥7.866 ￥11.4
1000+
￥7.7625 ￥11.25

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型号：DRV8770RGER 编号：C3655708

封装：VQFN-24(4x4)

DRV8770 100V H 桥栅极驱动器

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1+
￥16.5
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￥13.87
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￥12.22

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型号：LTC4449EDCB#TRPBF 编号：C688593

封装：DFN-8-EP(2x3)

LTC4449是一款高频栅极驱动器，专为驱动同步DC/DC转换器中的两个N沟道MOSFET而设计。强大的轨到轨驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4449的输入逻辑采用独立电源，以匹配控制器IC的信号摆幅

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1+
￥33.48
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￥28.87
30+
￥26.13
100+
￥19.6224 ￥23.36
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￥18.5472 ￥22.08
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￥18.06 ￥21.5

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型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

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1+
￥87.26
10+
￥83.11
30+
￥75.91

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型号：LMG3422R050RQZR 编号：C5218881

封装：VQFN-54(12x12)

LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

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1+
￥121.73
10+
￥115.45
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型号：U2115C 编号：C41374691

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥0.6186
50+
￥0.489
150+
￥0.4242
500+
￥0.3756

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型号：NCP3420DR2G 编号：C154600

封装：SOIC-8

NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 30 ns，转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内，可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压，以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时，两个驱动器输出都为低电平，而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。

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1+
￥2.88
10+
￥2.25
30+
￥1.98
100+
￥1.64

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型号：FAN7382MX 编号：C128796

封装：SOIC-8

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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1+
￥6.26
10+
￥5.13
30+
￥4.5
100+
￥3.8
500+
￥3.49

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型号：CA-IS3222BW 编号：C20598898

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

1+
￥7.34
10+
￥5.97
30+
￥5.22
100+
￥4.36

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型号：UCC27710DR 编号：C2676981

封装：SOIC-8

具有互锁功能的 0.5A/1.0A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

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1+
￥9.25
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￥7.66
30+
￥6.64
100+
￥5.65

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型号：L6387ED013TR 编号：C234211

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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1+
￥9.73
10+
￥7.94
30+
￥6.96

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

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1+
￥12.67
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￥10.5924 ￥11.64
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￥8.91 ￥11
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￥7.3872 ￥9.12
500+
￥7.1523 ￥8.83
1000+
￥7.047 ￥8.7

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型号：TF21364M-TLH 编号：C2683766

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥14.63
10+
￥12.53
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￥11.21
100+
￥9.16

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型号：DRV8328BRUYR 编号：C5218864

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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￥18.15
10+
￥15.24
30+
￥13.42
100+
￥11.55

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型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP