半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

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￥4.23
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￥3.17
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￥2.79
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￥2.17

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型号：SL2003 编号：C20539709

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥1.86
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型号：LM5109BMAX/NOPB 编号：C116862

封装：SOIC-8

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥2.76
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￥2.17
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￥1.92

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型号：TF2136M-TLH 编号：C2683765

封装：SOIC-28-300mil

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.1
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￥3.37
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￥3.01
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型号：TF21904M-TUH 编号：C2977708

封装：SOIC-14

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.99
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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：LM5104MX/NOPB 编号：C206493

封装：SOIC-8

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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￥17.87
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型号：UCC21530DWK 编号：C2869147

封装：SOIC-14

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125

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￥18.69
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型号：LMG3422R030RQZT 编号：C3655275

封装：VQFN-54(12x12)

LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

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￥108.4
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￥103.64
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型号：U3115S 编号：C400130

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115S/U3116S可在高达+300V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，支持低至3.3V的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通

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￥0.8424
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￥0.7218
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￥0.5905

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型号：U3115C 编号：C19193019

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥1.0061
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型号：U2106C 编号：C19193020

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥1.1776
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型号：IR2101STRPBF(XBLW) 编号：C42395630

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

IR2101S是一款半桥前级驱动IC，能够驱动一对功率器件（IGBT/N-MOSFET）。适用于具有外部自举二极管的典型自举架构。具备UVLO（欠压锁定）和交叉导通防护功能。

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￥2.28 ￥2.4
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型号：IRS2113STRPBF-JSM 编号：C5804617

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥5.151 ￥6.06
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￥3.9695 ￥4.67
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￥3.91 ￥4.6

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型号：L6386ED013TR 编号：C2653797

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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￥5.6573 ￥15.29
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￥3.9312 ￥14.56
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￥2.278 ￥13.4

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型号：CA-IS3222CW 编号：C20598897

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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￥6.8
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型号：TF2181M-TAH 编号：C2885961

封装：SOIC-8

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.48 ￥8.5
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￥3.8192 ￥4.34

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型号：IR2111STRPBF 编号：C520630

封装：SOIC-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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￥7.5409 ￥10.33
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￥5.4054 ￥8.58
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￥4.0386 ￥7.62
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￥3.4609 ￥6.53
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￥2.703 ￥5.1

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥8.76
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型号：2EDF7275FXUMA1 编号：C2677065

封装：DSO-16

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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￥12.23
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￥10.46
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￥9.36
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￥8.23

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型号：LM5105SD/NOPB 编号：C86253

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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￥15.1
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￥12.71
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￥11.22

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型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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￥17.28
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￥14.57
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￥12.87
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￥11.13

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型号：NCP3420DR2G 编号：C154600

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 30 ns，转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内，可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压，以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时，两个驱动器输出都为低电平，而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。

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￥3.45
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￥2.71
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￥2.39
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￥1.99
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￥1.81

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型号：TF2011M-TAH 编号：C5372145

封装：SOIC-8

中压200V, 高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥3.68
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￥3.28
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￥3.09
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￥2.89
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￥2.77

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型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥7.19
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￥5.46
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￥4.77
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￥4.18

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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￥7.49
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￥5.91
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￥5.13
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￥4.35
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￥3.88
1000+
￥3.64

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型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET

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￥8.63
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￥7.71
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￥6.84

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

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￥12.0714 ￥12.98
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￥9.9185 ￥11.95
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￥8.2563 ￥11.31
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￥7.7745 ￥10.65
500+
￥7.5555 ￥10.35
1000+
￥7.4606 ￥10.22

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型号：DRV8244HQDGQRQ1 编号：C6183904

封装：HTSSOP-28