半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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￥17.25
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型号：U3115S 编号：C400130

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115S/U3116S可在高达+300V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，支持低至3.3V的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通

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型号：XJNG2103 编号：C2887735

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

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￥2.66
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型号：IR2106STRPBF 编号：C386354

封装：SOIC-8

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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￥4.27
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型号：L6386ED013TR 编号：C2653797

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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￥5.9631 ￥15.29
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￥5.6784 ￥14.56
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￥5.226 ￥13.4

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型号：TF2181M-TAH 编号：C2885961

封装：SOIC-8

高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.48 ￥8.5
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￥6.2744 ￥7.13
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￥5.6144 ￥6.38
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￥3.8192 ￥4.34

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型号：IR2111STRPBF 编号：C520630

封装：SOIC-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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￥9.0904 ￥10.33
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￥7.5504 ￥8.58
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￥6.7056 ￥7.62
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￥4.488 ￥5.1

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型号：IR2110PBF 编号：C2967

封装：DIP-14

500V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥10.84
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￥9.22
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型号：DRV8334PHPR 编号：C32712900

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

DRV8334 是一款集成式智能栅极驱动器，适用于三相 BLDC 应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8334 使用集成式自举二极管和 GVDD 电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持 0.7mA 至 1A（拉电流）和 2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流。DRV8334 可以采用单电源运行，并具有 4.5V 至 60V 宽输入电压范围。涓流电荷泵支持栅极驱动器实现 100% PWM 占空比控制，并提供外部开关的过驱栅极驱动电压。DRV8334 提供低侧电流检测放大器，用于支持基于电阻器的低侧电流检测。放大器的低失调电压使系统能够实现精密的电机电流测量。DRV8334 集成了各种诊断和保护特性，可实现稳健的电机驱动系统设计，还有助于消除对外部元件的需求。该器件具有高度可配置特性，能够无缝集成到各种系统设计中。

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￥24.4
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￥20.7
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型号：IRS2003STR(UMW) 编号：C20623209

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2003S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.0711
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￥0.9342
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￥0.8755
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型号：TF2304M-TAH 编号：C2683759

封装：SOIC-8

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥2.77
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型号：NCP1393BDR2G 编号：C380792

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节

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￥4.77
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￥3.81
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型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

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￥6.6564 ￥7.74
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￥5.0912 ￥5.92

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型号：NCV7718BDQR2G 编号：C513035

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718B/C由十二个DMOS功率驱动器（六个PMOS高端驱动器和六个NMOS低端驱动器）组成，这些驱动器配置为六个半桥，可实现三个独立的全桥操作。每个输出驱动器的最大直流负载为550 mA，典型浪涌能力为2 A（在VSx = 13.2 V时）。必须严格遵守集成电路管芯温度要求

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￥11.6
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￥8.94
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型号：1ED3124MU12HXUMA1 编号：C5353840

封装：DSO-8

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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￥18.45
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￥15.47
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￥13.6
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型号：IR2110SPBF 编号：C537554

封装：SOIC-16-300mil

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥23.21
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￥19.73
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型号：DRV8343SPHPRQ1 编号：C2879411

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

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￥35.24
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￥29.35
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￥26.25
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￥23.12

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型号：IRS2005STR(UMW) 编号：C20623177

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.3886
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￥1.0818
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￥0.9504
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￥0.7864
2500+
￥0.7133
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￥0.6695

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型号：SL2003 编号：C20539709

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥1.86
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￥1.63
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￥1.53
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￥1.4
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￥1.31

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型号：SL2103 编号：C20539711

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.86
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￥1.63
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型号：FD2203S 编号：C97684

封装：SO-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2203S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET，可在高达 +250V 电压下工作。内置欠压（UVLO）保护功能防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

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￥2.2722
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￥1.7139
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￥1.4746

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型号：UCC27712DR 编号：C485818

封装：SOIC-8

UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健驱动能力的 620V 高侧/低侧栅极驱动器

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￥4.14
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￥3.06
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￥2.67
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￥2.28
500+
￥2.05

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型号：DGD05473FNQ-7 编号：C2677131

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DIODES公司的DGD05473FNQ是一款高频栅极驱动器，能够驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD05473FNQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）接口

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￥4.3
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￥3.42
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￥2.99
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￥2.55
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￥2.29
1000+
￥2.16

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型号：TF2366M-TGH 编号：C5155307

封装：SOIC-20

高压500V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥4.76
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￥4.31
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￥4.06
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￥3.79

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型号：TF21904M-TUH 编号：C2977708

封装：SOIC-14

高压600V, 单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.99
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￥5.42
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￥5.11
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￥4.57
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￥4.41

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型号：LM5106SD/NOPB 编号：C2876328

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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￥6.1938 ￥8.37
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￥4.9344 ￥7.71
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￥3.9366 ￥7.29
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￥3.7098 ￥6.87
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￥3.6072 ￥6.68
1000+
￥3.5586 ￥6.59

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型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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￥6.54
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￥5.42
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￥4.81
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￥4.11
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￥3.53

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型号：IR2113STRPBF 编号：C2974

封装：SOIC-16-300mil