半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

IFX007T是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它属于工业及多用途NovalithIC™系列产品，该系列产品在一个封装内集成了一个p沟道高端MOSFET、一个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低

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￥22.46
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￥19.11
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￥17.12
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￥15.1
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￥14.17

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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

数据手册

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￥2.1328
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￥1.6533
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￥1.4477
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￥1.0086

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型号：UCC27288DR 编号：C2866142

封装：SOIC-8

是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

数据手册

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￥8.36
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￥6.85
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￥6.01
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￥5.07
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￥4.65

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

数据手册

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￥14.07
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￥11.03
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￥7.59
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￥6.81

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型号：DRV8323RHRGZR 编号：C543035

封装：VQFN-48-EP(7x7)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

数据手册

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￥14.15
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￥10.17
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￥8.75
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￥8.1

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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

数据手册

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￥17.84
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￥15.4

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型号：IRS2003STRPBF 编号：C40009

封装：SOP-8

200V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

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￥2.3911
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￥1.9036
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￥1.6946
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￥1.2423
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￥1.1263

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型号：DO6288Q 编号：C42386238

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：DOINGTER(杜因特)

250V 1.5A 三相高低侧栅极驱动芯片

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￥2.58
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￥1.47
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￥1.26

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型号：TF2104M-TAH 编号：C2683754

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥2.94
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￥2.33
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￥1.39

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

数据手册

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￥4.26
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￥3.4
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￥2.16

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型号：TF2388M-TGH 编号：C2836240

封装：SOIC-20-300mil

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 三相, 半桥式驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

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￥5.5
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￥4.33
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￥4.18

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型号：LM5108DRCR 编号：C2676946

封装：VSON-10-EP(3x3)

LM5108 具有使能和互锁功能的 2.6A、110V 半桥栅极驱动器

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￥5.75
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￥3.56
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￥3.03
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￥2.86

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型号：L6390DTR 编号：C503085

封装：SO-16

高压高侧/低侧驱动器

数据手册

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￥9.39
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型号：STGAP2SMTR 编号：C2802542

封装：SO-8

电流隔离4 A单重栅极驱动器

数据手册

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￥12.08
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￥10.38
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￥7.41
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￥7.2

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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

数据手册

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￥14.83
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￥8.26

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型号：DRV8714SQRVJRQ1 编号：C3655767

封装：VQFN-56(8x8)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

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￥33.29
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￥27.55
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￥25.39

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型号：HL6288Q 编号：C50331902

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HL(富海微)

耐压最高250V，输出驱动电流1.5A/1.8A，内置 200ns 死区时间，带上下电保护、欠压保护，QFN-24

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￥1.949
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￥1.5458
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6000+
￥0.9797

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型号：HT33153ARZ 编号：C5241940

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT33153专为高功率应用的IGBT驱动器而设计，这些应用包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源。尽管该器件专为驱动分立和模块式IGBT而设计，但它也为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件保护功能包括可选择的退饱和或过流检测以及欠压检测

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￥2.247 ￥3.21
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￥2.205 ￥3.15
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￥2.149 ￥3.07

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型号：UCC27710DR(UMW) 编号：C29780640

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UCC27710 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥2.2832
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￥1.3204
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￥1.2037
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￥1.1336

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型号：DGD21904MS14-13 编号：C526567

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21904M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21904M的高端在高dV/dt条件下的自举操作中可切换至600V。DGD21904M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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￥3.13
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￥2.4
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￥2.04
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￥1.68
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￥1.35

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型号：TF2184M-TAH 编号：C2917160

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C

数据手册

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￥6.26
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￥5.69
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￥5.37
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￥5.02
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￥4.13

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型号：IR2102STRPBF 编号：C152687

封装：SOIC-8

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

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￥8.5
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￥6.91
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￥4.42

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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

带自举二极管的高压高低侧驱动器

数据手册

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￥9.34
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￥7.85
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￥7.03
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￥5.82
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￥5.41

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型号：IR21814STRPBF 编号：C371545

封装：SOIC-14

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

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￥9.92
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￥5.78
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￥5.33
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￥5.12

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型号：XJNG2102 编号：C2940736

封装：SOIC-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

数据手册

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￥0.679
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￥0.5518
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￥0.4882
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￥0.4405
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￥0.3865
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￥0.3674

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型号：DRV8300NLQ/TR 编号：C50345924

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

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￥3.44
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￥2.79
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￥2.47
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￥2.14
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￥1.95
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￥1.85

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型号：UCC27201DR 编号：C47661

封装：SOIC-8