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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动器
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IRS21864STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
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  • 有货
  • DRV8908-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、8 通道半桥电机驱动器
    数据手册
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      ¥8.63
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      ¥7.87
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      ¥6.61
  • 有货
  • 具有禁用引脚、可编程死区时间和 8V UVLO 的 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
    数据手册
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      ¥14.09
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  • 有货
  • IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配,便于HVIC在高频应用中使用。
    数据手册
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      ¥2.1328
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      ¥1.6533
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      ¥1.0086
  • 有货
  • UCC27714DR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至3.3V
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  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
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      ¥6.31
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      ¥3.37
  • 有货
  • 600V,三相桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
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      ¥6.52
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      ¥2.79
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
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      ¥7.88
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      ¥4.09
  • 有货
  • 电流隔离4 A单重栅极驱动器
    数据手册
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      ¥6.55
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      ¥5.26
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      ¥4.62
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      ¥3.98
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      ¥3.59
    • 1000+

      ¥3.39
  • 有货
  • 高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥7.88
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      ¥5.83
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      ¥4.3
  • 有货
  • 具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140
    数据手册
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      ¥10.04
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      ¥8.29
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      ¥5.47
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      ¥5.25
  • 有货
  • ATA6836C是一款采用智能功率SOI技术设计的全保护型六路半桥驱动器,用于在汽车和工业应用中通过微控制器控制多达六种不同负载。六个高端驱动器和六个低端驱动器中的每一个都能够驱动高达650mA的电流。这些驱动器在内部连接形成六个半桥,并且可以通过标准串行数据接口进行独立控制
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      ¥15.08
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      ¥9.15
  • 有货
  • 3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
    数据手册
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      ¥21.53
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      ¥18.19
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      ¥12.179 ¥12.82
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      ¥11.2575 ¥11.85
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      ¥10.868 ¥11.44
  • 有货
  • FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2606S内置VCC和VB欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。FD2606S逻辑输入兼容TTL和CMOS(低至3.3V),方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.34
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      ¥1.86
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      ¥1.65
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      ¥1.39
  • 有货
  • 单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时,用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路(源/汲)典型值分别为 350mA/650mA。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4
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  • 有货
  • 120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
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      ¥6.46
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  • 有货
  • 高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱
    数据手册
    • 1+

      ¥6.706 ¥9.58
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      ¥6.139 ¥8.77
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      ¥5.782 ¥8.26
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      ¥5.411 ¥7.73
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      ¥5.25 ¥7.5
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      ¥5.173 ¥7.39
  • 有货
  • UCC27714 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.81
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    • 30+

      ¥4.93
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      ¥3.84
    • 1000+

      ¥3.69
  • 有货
  • UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.06
    • 10+

      ¥5.83
    • 30+

      ¥5.15
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      ¥4.39
    • 500+

      ¥3.95
    • 1000+

      ¥3.79
  • 有货
  • 驱动两个N-MOSFET,DC-DC转换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9845
    • 50+

      ¥1.5461
    • 150+

      ¥1.3582
    • 500+

      ¥1.0977
    • 2500+

      ¥0.9934
    • 5000+

      ¥0.9307
  • 有货
  • LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.42
    • 10+

      ¥3.96
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      ¥3.71
    • 100+

      ¥3.43
    • 500+

      ¥3.3
    • 1000+

      ¥3.24
  • 有货
  • LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.24
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.72
    • 100+

      ¥3.21
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.76
  • 有货
  • UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.33
    • 10+

      ¥4.29
    • 30+

      ¥3.78
    • 100+

      ¥3.23
    • 500+

      ¥2.93
    • 1000+

      ¥2.77
  • 有货
  • 600V,半桥驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.47
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.08
    • 500+

      ¥2.77
    • 1000+

      ¥2.62
  • 有货
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.77
    • 10+

      ¥4.6
    • 30+

      ¥4.01
    • 100+

      ¥3.43
    • 500+

      ¥3.11
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • 120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.6
    • 30+

      ¥4.96
    • 100+

      ¥4.23
    • 500+

      ¥3.91
    • 1000+

      ¥3.76
  • 有货
  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.23
    • 10+

      ¥5.97
    • 30+

      ¥5.28
    • 100+

      ¥4.24
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.73
  • 有货
  • NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路,提供两种输出,用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V,NCP5106 = 600V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.25
    • 10+

      ¥7.09
    • 30+

      ¥6.45
    • 100+

      ¥5.73
    • 500+

      ¥3.57
    • 1000+

      ¥3.43
  • 有货
  • DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器(0 级和 1 级)
    数据手册
    • 1+

      ¥21.73
    • 10+

      ¥18.42
    • 30+

      ¥16.57
    • 100+

      ¥14.57
    • 500+

      ¥13.65
  • 有货
  • LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥22.52
    • 10+

      ¥19.08
    • 30+

      ¥17.04
    • 100+

      ¥14.98
  • 有货
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