半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：PT5606-S 编号：C17701716

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

1+
￥1.9975 ￥2.35
10+
￥1.5725 ￥1.85
30+
￥1.3855 ￥1.63
100+
￥1.156 ￥1.36
500+
￥1.054 ￥1.24
800+
￥0.9945 ￥1.17

有货

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型号：IR2136STRPBF-JSM 编号：C7466365

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥4.44 ￥5.55
10+
￥3.576 ￥4.47
30+
￥3.144 ￥3.93
100+
￥2.712 ￥3.39
500+
￥2.456 ￥3.07
1000+
￥2.32 ￥2.9

有货

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型号：IRS2110STRPBF-JSM 编号：C5804622

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.32 ￥6.65
10+
￥4.392 ￥5.49
30+
￥3.888 ￥4.86
100+
￥3.32 ￥4.15
500+
￥3.064 ￥3.83
1000+
￥2.944 ￥3.68

有货

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型号：AGD8136A-JSM 编号：C7498993

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

1+
￥8.424 ￥9.36
10+
￥6.966 ￥7.74
30+
￥6.165 ￥6.85
100+
￥5.265 ￥5.85
500+
￥4.86 ￥5.4
1000+
￥4.68 ￥5.2

有货

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型号：HCM3043-QFN48 编号：C784708

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：XHSC(小华)

HCM3043 使用高性能32 位微控制器(MCU)，内嵌三相半桥栅极驱动器和线性稳压器。MCU集成12 位1M sps 高精度SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、多路UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。MCU 内核采用Cortex-M0+ 内核，配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

数据手册

1+
￥10.63
10+
￥8.65
30+
￥7.55
260+
￥6.32
520+
￥5.77

有货

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型号：MP6539GV-Z 编号：C5676243

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

1+
￥22.2836
50+
￥19.662
100+
￥18.2693

有货

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型号：BDR6307B 编号：C20622848

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。

5+
￥0.4662
50+
￥0.4062
150+
￥0.3762
500+
￥0.3537
2500+
￥0.3357
4000+
￥0.3267

有货

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型号：U3116S 编号：C400131

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。

数据手册

5+
￥0.9625
50+
￥0.7609
150+
￥0.6745
500+
￥0.5403
2500+
￥0.4923

有货

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型号：EG1168 编号：C20416230

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1168是一款高性价比的多功能半桥及推挽电源专用驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、两路对称半桥及推挽PWM输出、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合数字半桥电源、数字推挽电源等场合使用。 EG1168高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V-20V，VCC静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道PWMIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

1+
￥3.38
10+
￥2.98
30+
￥2.78
100+
￥2.57
500+
￥2.45
1000+
￥2.39

有货

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型号：FAN73893MX-JSM 编号：C7498992

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：350mA 峰值拉电流：210mA

1+
￥7.488 ￥9.36
10+
￥6.192 ￥7.74
30+
￥5.48 ￥6.85
100+
￥4.68 ￥5.85
500+
￥4.32 ￥5.4
1000+
￥4.16 ￥5.2

有货

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型号：FAN73892MX-JSM 编号：C7498950

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

1+
￥7.956 ￥9.36
10+
￥6.579 ￥7.74
30+
￥5.8225 ￥6.85
100+
￥4.9725 ￥5.85
500+
￥4.59 ￥5.4
1000+
￥4.42 ￥5.2

有货

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型号：CI300R120MD 编号：C50338875

封装：螺栓安装

品牌：Tokmas(托克马斯)

尺寸：61.4mmx106.4mmx30mm 碳化硅MOS模块1200V4毫欧

1+
￥2147.8835 ￥2260.93
24+
￥2039.65 ￥2147

有货

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型号：EG2203 编号：C48580028

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2203是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167

有货

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型号：PI6ULS5V9617AUEX 编号：C526728

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

该器件是CMOS集成电路，用于Fast-mode Plus (Fm+) I2C总线或SMBus应用。它可以提供低电压(低至0.6V)和高电压(2.2V至5.5V)之间的电平转换。

数据手册

1+
￥3.21
10+
￥2.52
30+
￥2.23
100+
￥1.87
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

有货

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型号：JSM2136STR 编号：C19077366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

1+
￥4.128 ￥5.16
10+
￥3.256 ￥4.07
30+
￥2.824 ￥3.53
100+
￥2.392 ￥2.99
500+
￥2.256 ￥2.82
1000+
￥2.12 ￥2.65

有货

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型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

1+
￥6.59
10+
￥5.34
30+
￥4.71
100+
￥4.09
500+
￥3.72
1000+
￥3.52

有货

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

1+
￥18.91
10+
￥16.14
30+
￥14.4
100+
￥12.62
500+
￥11.82
1000+
￥11.47

有货

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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.4916
50+
￥1.3026
150+
￥1.2216
500+
￥1.1205
2500+
￥1.0755

有货

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型号：DRV632PWR 编号：C88714

封装：TSSOP-14

品牌：TI(德州仪器)

DRV632 增益可调的 2VRMS DirectPath™ 线路驱动器

数据手册

5+
￥1.9456
50+
￥1.0664
150+
￥0.9467
500+
￥0.7974

有货

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型号：NCP4306DADZZBASNT1G 编号：C892458

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP4306 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调或固定可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4306 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.5
30+
￥2.34
100+
￥2.18
500+
￥1.94
1000+
￥1.9

有货

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型号：IR2113S-MNS 编号：C47967297

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113S-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥4.09
10+
￥3.31
30+
￥2.92
100+
￥2.54
500+
￥2.31
1000+
￥2.19

有货

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型号：TF2110M-TR 编号：C5804624

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥4.59 ￥5.1
10+
￥4.158 ￥4.62
30+
￥3.924 ￥4.36
100+
￥3.654 ￥4.06
500+
￥3.537 ￥3.93
1000+
￥3.483 ￥3.87

有货

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型号：IR2113-MNS 编号：C47967296

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥5
10+
￥4.05
25+
￥3.57
100+
￥3.1
500+
￥2.82
1000+
￥2.67

有货

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型号：NSG2113N 编号：C41414504

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

1+
￥5.74
10+
￥4.62
30+
￥4.06
100+
￥3.51
500+
￥3.18
1000+
￥3.01

有货

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型号：Pai8233C-WR 编号：C5174465

封装：SOIC-14-WB

品牌：2Pai Semi(荣湃)

双低端、双高端或半桥模式栅极驱动器

1+
￥10.2
10+
￥8.22
30+
￥7.13
100+
￥5.9
500+
￥5.35
1500+
￥5.1

有货

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型号：MPQ6528GVE-AEC1-Z 编号：C6097576

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC，可在 5V 至 60V 宽输入电压（VIN）范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源（VREG），自举（BST）电容为高端 MOSFET（HS-FET）驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下，内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护、可调死区时间（DT）控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28（4mmx5mm）封装。

1+
￥26.2568
50+
￥24.0535
100+
￥21.5355
500+
￥18.3052
1000+
￥13.6668

有货

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型号：SFD2606S 编号：C44606284

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SFD2606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SFD2606S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥1.0685
50+
￥1.0426
150+
￥1.0253
500+
￥1.008

有货

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型号：EG12522 编号：C48580024

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG12522是一款高性价比的双管正激专用半桥驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路，专用于双管正激电源场合。

5+
￥1.7325
50+
￥1.3696
150+
￥1.2141
500+
￥1.02
2500+
￥0.9336

有货

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型号：NSH505PQ 编号：C48735684

封装：PQFN-26(5x6)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是为电机驱动应用设计的智能功率模块，在 5×6mm 的 PQFN 小封装中集成了 5A/500V MOSFET 栅极驱动器和自举功能。可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动。

单价：
￥1.86 / 个

有货

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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

5+
￥2.0174
50+
￥1.5638
150+
￥1.3694
500+
￥1.1269

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