半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2113STRPBF-JSM 编号：C5804618

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.149 ￥5.42
10+
￥4.199 ￥4.42
30+
￥3.724 ￥3.92
100+
￥3.249 ￥3.42
500+
￥2.7075 ￥2.85
1000+
￥2.565 ￥2.7

有货

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型号：EG3013S 编号：C5138297

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3013S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG3013S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个15K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

5+
￥1.3263
50+
￥1.0324
150+
￥0.9064
500+
￥0.7492
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

有货

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型号：IR2103STRPBF-JSM 编号：C17701703

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR2103S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.4985 ￥2.63
10+
￥1.919 ￥2.02
30+
￥1.672 ￥1.76
100+
￥1.368 ￥1.44
500+
￥1.3205 ￥1.39
1000+
￥1.2445 ￥1.31

有货

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型号：IR2304STRPBF-JSM 编号：C17701715

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR2304S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.015 ￥3.35
10+
￥2.43 ￥2.7
30+
￥2.142 ￥2.38
100+
￥1.854 ￥2.06
500+
￥1.674 ￥1.86
1000+
￥1.584 ￥1.76

有货

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型号：6288T-MNS 编号：C49424412

封装：TSSOP-20

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:MOSFET；IGBT 工作电压:4V~18V 上升时间:35ns 描述：三相高低侧功率驱动芯片

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167
4000+
￥1.1022

有货

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型号：IRS21867STRPBF-JSM 编号：C7432820

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

1+
￥4.369 ￥5.14
10+
￥3.57 ￥4.2
30+
￥3.179 ￥3.74
100+
￥2.7795 ￥3.27
500+
￥2.55 ￥3
1000+
￥2.431 ￥2.86

有货

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型号：PI2MEQX2505ZHEX 编号：C5246034

封装：TQFN-28(3.5x5.5)

品牌：DIODES(美台)

低功耗、高性能2.5Gbps MIPI D-PHY ReDriver，支持4个通道，每个通道速率为2.5Gbps，符合MIPI D-PHY 1.2标准。

1+
￥8.96
10+
￥7.44
30+
￥6.61
100+
￥5.66
500+
￥5.24
1000+
￥5.05

有货

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型号：6288Q-MNS 编号：C49424413

封装：QFN-24(4x4)

品牌：minos(迈诺斯)

负载类型:MOSFET；IGBT 灌电流:1.3A 拉电流:1.0A 工作电压:5V~18V 描述：三相高低侧功率驱动芯片

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167
5000+
￥1.1022

有货

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型号：IRS2304STRPBF-JSM 编号：C17701708

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥3.213 ￥3.78
10+
￥2.5755 ￥3.03
30+
￥2.261 ￥2.66
100+
￥1.938 ￥2.28
500+
￥1.751 ￥2.06
1000+
￥1.6575 ￥1.95

有货

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型号：JSM6287T 编号：C49450285

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V三相高低侧功率驱动芯片高侧同相低侧反相步进/伺服电机、电动工具等 FD6287T

1+
￥3.26
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.87
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

有货

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型号：IRS21867-MNS 编号：C52941369

封装：SOP-8

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:IGBT；MOSFET 驱动通道数:2 灌电流(IOL):4A 描述：这是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，广泛应用于电机驱动、逆变器、电源转换等领域

1+
￥3.44
10+
￥2.79
30+
￥2.47
100+
￥2.14
500+
￥1.95
1000+
￥1.85

有货

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型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

5+
￥0.7642
50+
￥0.6202
150+
￥0.5482
500+
￥0.4942
2500+
￥0.451
4000+
￥0.4293

有货

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型号：TPS51604DSGR 编号：C337501

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS51604 适用于同步降压高频 CPU 内核电源应用的 4A、28V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥2.9
10+
￥2.61
30+
￥2.47
100+
￥2.33
500+
￥2.24
1000+
￥2.2

有货

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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.924 ￥4.36
10+
￥3.141 ￥3.49
30+
￥2.754 ￥3.06
100+
￥2.367 ￥2.63
500+
￥2.142 ￥2.38
1000+
￥2.016 ￥2.24

有货

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

1+
￥3.996 ￥4.44
10+
￥3.213 ￥3.57
30+
￥2.826 ￥3.14
100+
￥2.439 ￥2.71
500+
￥2.214 ￥2.46
1000+
￥2.088 ￥2.32

有货

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型号：PCA9517DGKR 编号：C30348

封装：MSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

PCA9517 2 位电平转换 400kHz I2C/SMBus 缓冲器/中继器

数据手册

1+
￥16.88
10+
￥15.087 ￥16.05
30+
￥13.0704 ￥15.56
100+
￥12.6588 ￥15.07
500+
￥12.4656 ￥14.84
1000+
￥12.3816 ￥14.74

有货

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型号：LMH1218RTWR 编号：C2863832

封装：WQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

支持ST-2082、ST-2081、SMPTE424M、344M、292M、259M、DVB-ASI、SFF-8431(SFP+)和适用于SMPTE2022-5/6的10GbE以太网。最大数据传输速率为11.88Gbps。

数据手册

1+
￥104.42
10+
￥99.45
30+
￥90.84
100+
￥83.33

有货

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型号：KP85302SGA 编号：C17701717

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥0.51471 ￥0.5418
50+
￥0.452485 ￥0.4763
150+
￥0.421325 ￥0.4435
500+
￥0.397955 ￥0.4189
2500+
￥0.379335 ￥0.3993
4000+
￥0.370025 ￥0.3895

有货

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型号：SCT52A40STER 编号：C41521227

封装：ESOP-8L

品牌：SCT(芯洲科技)

是宽电源、高频栅极驱动器，包括高端和低端驱动器，用于半桥、全桥和降压转换器中驱动分立 N 型 MOSFET。4A 峰值源电流和灌电流能力可提高功率转换器的功率效率。具有宽输入迟滞，与 TTL 低压逻辑兼容，能够处理低至-10V 的负输入，增加输入抗噪能力。在 HS 引脚上能够承受最大-18V 的电压，大大扩展了应用灵活性，以处理开关节点噪声。40ns 最小脉冲宽度使其适用于高频功率转换器应用。

1+
￥4.55
10+
￥3.68
30+
￥3.25
100+
￥2.82
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

有货

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型号：NCP4305DDR2G 编号：C2892150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4305 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4305 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

数据手册

1+
￥5.43
10+
￥4.44
30+
￥3.95
100+
￥3.46
500+
￥3.17
1000+
￥3.02

有货

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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

数据手册

1+
￥6.52
10+
￥5.26
30+
￥4.63
100+
￥4
500+
￥3.63
1000+
￥3.43

有货

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型号：U2103S 编号：C17701705

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 U2103S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥1.764 ￥1.96
10+
￥1.539 ￥1.71
30+
￥1.44 ￥1.6
100+
￥1.314 ￥1.46
500+
￥1.296 ￥1.44
1000+
￥1.26 ￥1.4

有货

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型号：NSH505PQ 编号：C48735684

封装：PQFN-26(5x6)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是为电机驱动应用设计的智能功率模块，在 5×6mm 的 PQFN 小封装中集成了 5A/500V MOSFET 栅极驱动器和自举功能。可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动。

单价：
￥2.03 / 个

有货

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型号：LF2304NTR-JSM 编号：C17701713

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2304N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.115 ￥2.35
10+
￥1.872 ￥2.08
30+
￥1.746 ￥1.94
100+
￥1.629 ￥1.81
500+
￥1.557 ￥1.73
1000+
￥1.512 ￥1.68

有货

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型号：TF2003M-TR-JSM 编号：C7432830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥2.538 ￥2.82
10+
￥1.998 ￥2.22
30+
￥1.764 ￥1.96
100+
￥1.467 ￥1.63
500+
￥1.341 ￥1.49
1000+
￥1.26 ￥1.4

有货

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

1+
￥6.77
10+
￥5.6
30+
￥4.96
100+
￥4.23
500+
￥3.91
1000+
￥3.76

有货

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型号：EG8015 编号：C2987469

封装：QFN-39

品牌：EG(屹晶微)

EG8015是一款内置两路600V半桥高压MOS驱动器和SPWM正弦发生器一体的数模结合芯片，专用于逆变器产品。

1+
￥10.46
10+
￥8.84
30+
￥7.82
100+
￥6.94
490+
￥6.47
980+
￥6.26

有货

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型号：MP6539GV-Z 编号：C5676243

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6539是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。MP6539能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达100V。MP6539使用自举电容为高端MOSFET驱动器生成电源电压。如果输出长时间保持高电平，内部电荷泵会维持高端栅极驱动器的工作。完整的保护功能包括可编程过流保护（OCP）、可调死区时间控制、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6539提供带外露散热焊盘的TSSOP - 28（9.7mmx6.4mm）和QFN - 28（4mmx5mm）封装。

1+
￥22.2836
50+
￥19.662
100+
￥18.2693

有货

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型号：LMH0302SQ/NOPB 编号：C181305

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

支持ST 424 (3G), 292 (HD), 和 259 (SD)。数据速率高达2.97 Gbps，支持DVB-ASI 270 Mbps。提供两种可选的摆率，适用于ST 259和ST 424或292标准。

数据手册

1+
￥36.52
10+
￥31.76
30+
￥28.92
100+
￥26.06

有货

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型号：L6388ED013TR-JSM 编号：C17701712

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥2.0485 ￥2.41
10+
￥1.6235 ￥1.91
30+
￥1.4365 ￥1.69
100+
￥1.207 ￥1.42
500+
￥1.105 ￥1.3
1000+
￥1.0455 ￥1.23

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