半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：QFN-28(4x5)

MPQ6528 是一款 H 桥栅极驱动 IC，可在 5V 至 60V 宽输入电压（VIN）范围内驱动由四个 N 沟道功率 MOSFET 组成的两个半桥。该器件集成的稳压电荷泵可产生栅极驱动电源（VREG），自举（BST）电容为高端 MOSFET（HS-FET）驱动器提供电源电压。即使在 100%占空比下，内部涓流充电电路也能维持足够的 HS-FET 栅极驱动电压。完整的保护功能包括可配置的短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）保护、可调死区时间（DT）控制和热关断。MPQ6528 采用带有外露散热焊盘的 QFN-28（4mmx5mm）封装。

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￥26.2568
50+
￥24.0535
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￥21.5355
500+
￥18.3052
1000+
￥13.6668

有货

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型号：GR3115 编号：C18164497

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

GR3115是一款高性价比的半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。

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￥0.7851
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￥0.607
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￥0.518
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￥0.4512
2500+
￥0.3978
4000+
￥0.371

有货

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型号：U3117SD 编号：C52953430

封装：SOP-10

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

5+
￥1.2123
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￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175
2500+
￥0.6575

有货

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型号：EG2206 编号：C20416240

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2206是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2206高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

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￥1.4916
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￥1.3026
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￥1.2216
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￥1.1205
2500+
￥1.0755

有货

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型号：EG2186 编号：C20416237

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V，低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-4/4A，采用SOP8 封装。

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￥2.43
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￥2.13
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￥2
100+
￥1.84
500+
￥1.77
1000+
￥1.73

有货

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型号：IR2113S-MNS 编号：C47967297

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113S-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

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￥4.09
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￥3.31
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￥2.92
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￥2.54
500+
￥2.31
1000+
￥2.19

有货

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型号：IR2110S-MNS 编号：C47967293

封装：SOIC-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

1+
￥4.09
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￥3.31
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￥2.92
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￥2.54
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￥2.31
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￥2.19

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型号：TF2110M-TR 编号：C5804624

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥4.221 ￥4.69
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￥3.789 ￥4.21
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￥3.546 ￥3.94
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￥3.285 ￥3.65
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￥3.159 ￥3.51
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￥3.105 ￥3.45

有货

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型号：TLE94108ELXUMA1 编号：C2680272

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108EL是一款带保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

数据手册

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￥9.2
10+
￥8.97
30+
￥8.81
100+
￥8.65

有货

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型号：MP86998GMJT-Z 编号：C6595856

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

1+
￥37.0301
100+
￥27.1991
1000+
￥26.1341

有货

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型号：NCP5106BDR2G-JSM 编号：C44606283

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106B是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
10+
￥2.18
30+
￥1.92
100+
￥1.6

有货

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型号：NCP5106ADR2G-JSM 编号：C44606286

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.1255 ￥3.29
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￥2.508 ￥2.64
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￥2.204 ￥2.32
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￥1.9 ￥2
500+
￥1.7575 ￥1.85
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￥1.6625 ￥1.75

有货

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型号：M81740FP-JSM 编号：C44606287

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

M81740FP是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

1+
￥3.93
10+
￥3.48
30+
￥3.26
100+
￥3.03

有货

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型号：IRS2008STRPBF-JSM 编号：C18194972

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥4 ￥5
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￥3.24 ￥4.05
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￥2.856 ￥3.57
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￥2.48 ￥3.1
500+
￥2.256 ￥2.82
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￥2.136 ￥2.67

有货

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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￥4.28
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￥3.41
30+
￥2.98
100+
￥2.55

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型号：XJNG21531D 编号：C53190624

封装：SOP8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

1+
￥4.7
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￥3.81
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￥3.36
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￥2.92
500+
￥2.65
1000+
￥2.52

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型号：IR2113-MNS 编号：C47967296

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

IR2113-MNS 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，栅极驱动电范围 10V-20V

1+
￥5
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￥4.05
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￥3.57
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￥3.1
500+
￥2.82
1000+
￥2.67

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型号：Pai8233C-WR 编号：C5174465

封装：SOIC-14-WB

品牌：2Pai Semi(荣湃)

双低端、双高端或半桥模式栅极驱动器

1+
￥10.2
10+
￥8.22
30+
￥7.13
100+
￥5.9
500+
￥5.35
1500+
￥5.1

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型号：HCM3043-QFN48 编号：C784708

封装：QFN-48-EP(7x7)

品牌：XHSC(小华)

HCM3043 使用高性能32 位微控制器(MCU)，内嵌三相半桥栅极驱动器和线性稳压器。MCU集成12 位1M sps 高精度SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、多路UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。MCU 内核采用Cortex-M0+ 内核，配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

数据手册

1+
￥10.63
10+
￥8.65
30+
￥7.55
260+
￥6.32
520+
￥5.77

有货

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型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

1+
￥13.8043 ￥18.91
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￥10.1682 ￥16.14
30+
￥7.632 ￥14.4
100+
￥6.6886 ￥12.62
500+
￥6.2646 ￥11.82
1000+
￥6.0791 ￥11.47

有货

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型号：MP6530GR-Z 编号：C141819

封装：QFN-28(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6530是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。它能够驱动由6个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达60V。MP6530集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端MOSFET驱动器产生电源电压。即使输出以100%占空比运行，内部涓流充电电路也能维持足够的高端栅极驱动电压。内部保护功能包括可编程短路保护、过流保护、可调死区时间控制、欠压锁定和热关断。MP6530提供28引脚、9.7mm×6.4mm的TSSOP封装和4mm×4mm带散热焊盘的QFN封装。

1+
￥20.6451
50+
￥19.0166
100+
￥16.6308
500+
￥13.5176
1000+
￥11.0014
3000+
￥10.5492

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型号：EG2304 编号：C5346627

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

高压600v半桥MOS管驱动芯片

数据手册

5+
￥1.1933
50+
￥1.0421
150+
￥0.9773
500+
￥0.8964
2500+
￥0.8604

有货

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型号：EG3014S 编号：C7501754

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3014S 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3014S 高端的工作电压可达80V，Vcc 的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8 封装。

5+
￥1.3068
50+
￥1.0346
150+
￥0.918
500+
￥0.7724

有货

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型号：EG2204 编号：C20416239

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2204是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2204高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

有货

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型号：EG6388 编号：C20416245

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG6388是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG6388高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±0.5/0.9A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

有货

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型号：LM5109AMAX-JSM 编号：C7432826

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向驱动配置 LM5109A是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

5+
￥1.92096 ￥2.1344
50+
￥1.51272 ￥1.6808
150+
￥1.33776 ￥1.4864
500+
￥1.03851 ￥1.1539
2500+
￥0.94131 ￥1.0459
4000+
￥0.8829 ￥0.981

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型号：DOS2106 编号：C52140041

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥2.1175
50+
￥1.6739
150+
￥1.4839
500+
￥1.2467
2500+
￥1.1411

有货

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型号：FAN7380MX-JSM 编号：C17701710

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 FAN7380是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.184 ￥2.73
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￥1.936 ￥2.42
30+
￥1.816 ￥2.27
100+
￥1.688 ￥2.11
500+
￥1.616 ￥2.02
1000+
￥1.584 ￥1.98

有货

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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥3.23
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￥2.51
30+
￥2.2
100+
￥1.81
500+
￥1.64

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型号：IR25606STRPBF-JSM 编号：C41421795

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥4.066 ￥4.28
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￥3.2395 ￥3.41
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￥2.831 ￥2.98
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￥2.4225 ￥2.55
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￥2.337 ￥2.46
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￥2.204 ￥2.32

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