半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSOP-6-1.5mm

NCP4306 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调或固定可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4306 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥3.51
30+
￥3.14
100+
￥2.78
500+
￥2.39

有货

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型号：XJNG2153D 编号：C53190623

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

1+
￥4.44
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￥3.6
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￥3.18
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￥2.76
500+
￥2.51
1000+
￥2.38

有货

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型号：FAN7392N-MNS 编号：C47967294

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

1+
￥4.55
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￥3.68
25+
￥3.25
100+
￥2.82
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

有货

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型号：NSG2113 编号：C7421057

封装：SOIC-16-300mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

1+
￥5.87
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￥4.72
30+
￥4.15
100+
￥3.59
500+
￥3.25

有货

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型号：MP1924HS-LF-Z 编号：C6595398

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

1+
￥13.7634
50+
￥12.2888
100+
￥11.5514

有货

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型号：MPQ18913GRPE-AEC1-Z 编号：C23067855

封装：QFN-10(2x2.5)

品牌：MPS(芯源)

是一款高频半桥变压器驱动器，非常适合作为隔离电源中的初级侧MOSFET，用于偏置碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）、硅FET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。通过将控制、开关功率级和保护电路集成在一个器件中，简化了隔离偏置电源的设计。这种拓扑结构支持具有高隔离电压和小绕组间电容的设计。

1+
￥15.6477
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￥11.7153
500+
￥9.7491

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型号：MPQ6400DG-01-AEC1-LF-Z 编号：C6909652

封装：QFN-6(2x2)

品牌：MPS(芯源)

是一款单片半桥IntelliPhaseTM解决方案，内置内部功率MOSFET和栅极驱动器。它可在较宽的输入电源范围内实现60A的连续输出电流。采用单片IC方法，每相可驱动高达60A的电流。集成驱动器和MOSFET通过优化死区时间和降低寄生电感来提供高效率。该器件可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，工作频率范围为100kHz至3MHz。简化系统设计的特性包括用于监测电感电流的精确电流检测（Accu-SenseTM）和用于报告结温的温度检测。非常适合对效率和小尺寸要求较高的服务器应用。采用非常小的TQFN-23（3mmx6mm）封装。

1+
￥16.7946
50+
￥14.3369
100+
￥13.5176

有货

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型号：MP6543CGL-Z 编号：C6306190

封装：QFN-24(3x4)

品牌：MPS(芯源)

是一款三相无刷直流 (BLDC) 电机驱动器，具有三个集成半桥，由六个 N 沟道功率 MOSFET 以及六个预驱动器、两个栅极驱动器电源和三个电流检测放大器组成。每个半桥包括一个使能 (EN) 输入和脉宽调制 (PWM) 输入。可在 3V 至 22V 输入电压 (VIN) 范围内实现高达 1.2A 的连续输出电流 (IOUT)。内部电流检测电路不需要低欧姆分流电阻

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￥21.0547
50+
￥18.0235
100+
￥16.7946

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型号：MPQ6531GV-AEC1-Z 编号：C6909660

封装：QFN-28(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MPQ6531是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。它能够驱动由六个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达60V。MPQ6531集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端MOSFET驱动器产生电源电压

1+
￥28.7557
50+
￥25.9538
100+
￥23.7583

有货

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型号：MP86945-AGVT-Z 编号：C3655818

封装：TQFN-25(4x5)

品牌：MPS(芯源)

是一款单片半桥，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内可实现60A的连续输出电流。是一种单片IC方案，每相可驱动高达60A的电流。驱动器和MOSFET的集成由于优化的死区时间和降低的寄生电感而实现了高效率。可在100kHz至2MHz的频率下工作。提供了许多简化系统设计的功能。可与具有三态PWM信号的控制器配合使用，并配有精确的电流检测来监测电感电流和温度检测来报告结温。非常适合对效率和小尺寸要求较高的服务器应用。

1+
￥64.7208
50+
￥60.8937
100+
￥54.3982

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型号：FD2103S 编号：C5187182

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2103C&S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。

数据手册

5+
￥1.0125
50+
￥0.7678
150+
￥0.6454
500+
￥0.5536

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型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211

有货

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型号：SFD2606S 编号：C44606284

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SFD2606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SFD2606S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

5+
￥1.96783 ￥2.0714
50+
￥1.53691 ￥1.6178
150+
￥1.35223 ￥1.4234
500+
￥1.121855 ￥1.1809
2500+
￥1.019255 ￥1.0729
4000+
￥0.9576 ￥1.008

有货

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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

5+
￥2.0174
50+
￥1.5638
150+
￥1.3694
500+
￥1.1269

有货

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型号：IRS2003STRPBF-JSM 编号：C7432831

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

5+
￥2.0268 ￥2.252
50+
￥1.58292 ￥1.7588
150+
￥1.39275 ￥1.5475
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￥1.15542 ￥1.2838
2500+
￥1.04976 ￥1.1664
4000+
￥0.98631 ￥1.0959

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型号：SDH2103U 编号：C44606285

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2103U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2103U采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
10+
￥2.18
30+
￥1.92
100+
￥1.6

有货

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型号：SDH2106U 编号：C44606232

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2106U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.78
10+
￥2.18
30+
￥1.92
100+
￥1.6

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型号：IR2110-MNS 编号：C47967292

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

700V，单通道驱动IC，栅极驱动电范围：10V-20V

1+
￥5
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￥4.05
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￥3.57
100+
￥3.1
500+
￥2.82
1000+
￥2.67

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型号：NSG2113N 编号：C41414504

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

1+
￥5.74
10+
￥4.62
30+
￥4.06
100+
￥3.51
500+
￥3.18
1000+
￥3.01

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型号：FS256AQ 编号：C2875459

封装：QFN-17L(7x7)

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FS256AQ是一款高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块，内置2个600V/5A快恢复功率MOS管和高压半桥栅极驱动电路，主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。FS256AQ内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压工作。其内置输入滤波和输入直通防止功能，防止输入噪声干扰。FS256AQ采用QFN-7*7封装，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机以及紧凑安装的场合。

数据手册

1+
￥7.51
10+
￥6.26
30+
￥5.58
250+
￥4.81
500+
￥4.47
1000+
￥4.31

有货

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型号：1ED3124MU12FXUMA1 编号：C17295974

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

1+
￥17.87
10+
￥15.19
30+
￥13.59
100+
￥11.98

有货

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型号：MP6531AGR-Z 编号：C6306186

封装：QFN-28(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6531A 是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动 IC。MP6531A 能够驱动由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成的三个半桥，耐压高达 60V。MP6531A 使用自举电容为高端 MOSFET 驱动器产生电源电压。内部涓流充电电路可在 100% 占空比下维持足够的栅极驱动电压。内部安全特性包括可编程过流保护 (OCP)、可调死区时间控制、欠压锁定 (UVLO) 和热关断。MP6531A 提供 28 引脚 TSSOP-EP（9.7mm×6.4mm）和 QFN-28（4mmx4mm）封装，背面带有外露散热焊盘。

1+
￥22.5294
50+
￥21.2677
100+
￥18.4331
500+
￥15.7296
1000+
￥11.8791
3000+
￥11.7153

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型号：LMH0302SQX/NOPB 编号：C2679394

封装：WQFN-16(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

支持ST424(3G)、292(HD)和259(SD)，数据速率高达2.97Gbps，支持DVB-ASI（270Mbps时），100Ω差分输入，75Ω单端输出，可选转换率，输出驱动器掉电控制，3.3V单电源运行，工业温度范围：-40°C至85℃。

数据手册

1+
￥28.78
10+
￥24.63
30+
￥22.17

有货

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型号：LMG5200MOFR 编号：C2680255

封装：QFM-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

1+
￥73.94
10+
￥64.25
30+
￥58.35

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型号：EG2302 编号：C5346626

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个500K上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册