半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRS2008STRPBF-JSM 编号：C18194972

封装：SOP-8

电机驱动，逆变器驱动 IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.16 ￥2.7
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￥2.112 ￥2.64
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￥2.08 ￥2.6
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￥2.048 ￥2.56

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型号：SDH2103U 编号：C44606285

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

SDH2103U是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2103U采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.71
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￥2.1
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￥1.84
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￥1.52

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型号：BD94121F-GE2 编号：C694092

封装：SOP-18-300mil

品牌：ROHM(罗姆)

BD94121F 是一种频率控制LED电流的电流谐振型LED驱动器。它可以直连PFC，并且可以使用半桥结构减少外部元件的数量。它包含了一些针对故障条件的保护功能，例如过电压保护、LED短路检测（IS高检测）和LED开路检测（IS低检测）。

数据手册

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￥3.93
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￥3.46
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￥3.23
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500+
￥2.86

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型号：IR25606STRPBF-JSM 编号：C41421795

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥4.28
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￥3.41
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￥2.98
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￥2.55

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型号：UCC27710DR-JSM 编号：C7498965

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

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￥4.44 ￥5.55
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￥3.144 ￥3.93
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￥2.712 ￥3.39
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￥2.456 ￥3.07
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￥2.32 ￥2.9

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型号：IRS2153DSTRPBF 编号：C2987

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，自激振荡的半桥式驱动IC

数据手册

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￥6.33
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￥5.2
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￥4.59
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￥3.89
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型号：CSD95377Q4M 编号：C553139

封装：VSON-CLIP-8(3.5x4.5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95377Q4M 20V 35A SON 3.5 x 4.5mm 同步降压 NexFET™ 功率级

数据手册

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￥6.85
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￥5.66
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￥5.01
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￥3.97

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型号：NCP4304BDR2G 编号：C603714

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4304A/B是一款功能齐全的控制器和驱动器，专为控制开关模式电源中的同步整流电路而设计。由于其通用性，它可用于各种拓扑结构，如反激、正激和半桥谐振LLC。外部可调的最小导通和关断时间相结合，有助于抑制由PCB布局和其他寄生元件引起的振铃。因此，可确保同步整流（SR）系统可靠且无噪声运行。极短的关断延迟时间、驱动器的高灌电流能力以及自动封装寄生电感补偿系统，可最大限度地延长同步整流MOSFET的导通时间，从而进一步提高开关模式电源（SMPS）的效率。最后，较宽的VCC工作电压范围与两种版本的驱动器电压钳位相结合，便于在24V输出应用中实现SR系统。NCP4304A/B既可以作为独立IC运行，也可以作为初级侧控制器的配套IC，以帮助在开关模式电源中实现高效的同步整流。该控制器具有高电流栅极驱动器和高速逻辑电路。

数据手册

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￥8.8
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￥8.1
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￥7.66
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￥7.21
500+
￥7.01

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型号：SIC632ACD-T1-GE3 编号：C2653473

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC632和SiC632A是专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC632和SiC632A采用威世（Vishay）专有的5 mm × 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达50 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最先进的第四代TrenchFET技术，该技术达到了行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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￥9.29
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￥7.6
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￥6.68

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型号：UCC27301ADR 编号：C41558418

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

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￥11.39
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￥9.61
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￥8.5
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￥7.36

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型号：PCA9600D,118 编号：C3003408

封装：SOP-8

品牌：NXP(恩智浦)

PCA9600旨在隔离I²C总线电容，允许在点对点或多点应用中驱动长达4000 pF的总线。PCA9600是P82B96的高速版本。它在普通I²C总线与一系列其他高电容或不同电压的总线配置之间创建了一个无锁存、双向的逻辑接口

数据手册

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￥34.85
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￥29.58
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￥26.44
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￥23.0373 ￥23.27
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￥21.5919 ￥21.81
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￥20.9385 ￥21.15

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型号：TF2103M-TR 编号：C17701704

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 TF2103M是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥0.992 ￥1.24
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￥0.968 ￥1.21
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￥0.952 ￥1.19
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￥0.936 ￥1.17

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型号：TF2007M-TR-JSM 编号：C7432828

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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￥1.404 ￥1.56
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￥1.368 ￥1.52
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￥1.35 ￥1.5
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￥1.323 ￥1.47

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型号：IRS2007STRPBF-JSM 编号：C7432829

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

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￥1.544 ￥1.93
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￥1.504 ￥1.88
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￥1.48 ￥1.85
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￥1.464 ￥1.83

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型号：TF2304M-TR 编号：C17701709

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 TF2304M是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.5725 ￥1.85
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￥1.5385 ￥1.81
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￥1.513 ￥1.78
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￥1.4875 ￥1.75

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型号：IRS26072DSTRPBF-JSM 编号：C44606231

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS26072D是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥1.74
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￥1.7
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￥1.67

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型号：NCP5109BDR2G-JSM 编号：C19673775

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V，死区时间：100ns，电机驱动

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￥2.397 ￥2.82
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￥1.887 ￥2.22
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￥1.666 ￥1.96
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￥1.3855 ￥1.63
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￥1.2665 ￥1.49
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￥1.19 ￥1.4

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型号：LF2103NTR-JSM 编号：C17701707

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2103N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥2.538 ￥2.82
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￥1.998 ￥2.22
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￥1.764 ￥1.96
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￥1.467 ￥1.63
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￥1.341 ￥1.49
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￥1.26 ￥1.4

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型号：DGD2103MS8-13-JSM 编号：C17701706

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥3.006 ￥3.34
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￥2.421 ￥2.69
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￥2.133 ￥2.37
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￥1.836 ￥2.04
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￥1.575 ￥1.75

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型号：TF2113M-TR 编号：C5804623

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥4.148 ￥4.88
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￥4.0545 ￥4.77
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￥3.9865 ￥4.69
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￥3.9185 ￥4.61

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型号：6EDL04N06PT-JSM 编号：C7498949

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

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￥7.256 ￥9.07
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￥5.96 ￥7.45
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￥5.248 ￥6.56
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￥4.448 ￥5.56
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￥4.088 ￥5.11
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￥3.928 ￥4.91

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型号：MP6530GR-Z 编号：C141819

封装：QFN-28(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6530是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动IC。它能够驱动由6个N沟道功率MOSFET组成的三个半桥，耐压高达60V。MP6530集成了一个稳压电荷泵，用于产生栅极驱动电源，并使用自举电容为高端MOSFET驱动器产生电源电压。即使输出以100%占空比运行，内部涓流充电电路也能维持足够的高端栅极驱动电压。内部保护功能包括可编程短路保护、过流保护、可调死区时间控制、欠压锁定和热关断。MP6530提供28引脚、9.7mm×6.4mm的TSSOP封装和4mm×4mm带散热焊盘的QFN封装。

1+
￥20.6451
50+
￥19.0166
100+
￥16.6308
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￥13.5176
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￥11.0014
3000+
￥10.5492

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型号：MP6531AGR-Z 编号：C6306186

封装：QFN-28(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6531A 是一款专为三相无刷直流电机驱动应用设计的栅极驱动 IC。MP6531A 能够驱动由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成的三个半桥，耐压高达 60V。MP6531A 使用自举电容为高端 MOSFET 驱动器产生电源电压。内部涓流充电电路可在 100% 占空比下维持足够的栅极驱动电压。内部安全特性包括可编程过流保护 (OCP)、可调死区时间控制、欠压锁定 (UVLO) 和热关断。MP6531A 提供 28 引脚 TSSOP-EP（9.7mm×6.4mm）和 QFN-28（4mmx4mm）封装，背面带有外露散热焊盘。

1+
￥22.5294
50+
￥21.2677
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￥18.4331
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￥15.7296
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￥11.8791
3000+
￥11.7153

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型号：SDH2105U 编号：C17701711

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 SDH2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。SDH2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥1.665 ￥1.85
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￥1.629 ￥1.81
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￥1.602 ￥1.78
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￥1.575 ￥1.75

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型号：EG2106D 编号：C2904138

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2106D是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。EG2106D高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO(+/-) 0.3/0.6A，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥2.0203
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￥1.5667
150+
￥1.3723

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型号：EG2107 编号：C2929088

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

带过流保护功能半桥驱动芯片

数据手册

5+
￥2.1502
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￥1.6948
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￥1.4997
500+
￥1.1583

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型号：EG1160 编号：C2929081

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压大电流半桥驱动芯片 EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。 EG1160高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于1.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/- 2A/2.5A，采用SOP16封装。

数据手册