半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：TSSOP-20

FD6187T是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计。内置欠压(UVLO)保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。内置防直通和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

数据手册

1+
￥2.73
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￥2.16
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￥1.92
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￥1.62
500+
￥1.49
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￥1.4

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型号：NCP5111DR2G-JSM 编号：C7498967

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动，带关断和可编程死区时间控制功能

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￥3.996 ￥4.44
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￥3.213 ￥3.57
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￥2.826 ￥3.14
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￥2.439 ￥2.71
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￥2.214 ￥2.46
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￥2.088 ￥2.32

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型号：DGD2304S8-13-JSM 编号：C17701714

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 DGD2304是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥3.996 ￥4.44
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￥3.213 ￥3.57
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￥2.826 ￥3.14
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￥2.439 ￥2.71
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￥2.214 ￥2.46
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￥2.088 ￥2.32

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型号：IRS21867STRPBF-JSM 编号：C7432820

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路

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￥4.59 ￥5.4
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￥3.706 ￥4.36
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￥2.8305 ￥3.33
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￥2.363 ￥2.78
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￥2.227 ￥2.62

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型号：GBI7A54NOCR 编号：C42404796

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流，以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为24ns，电源轨为20V，使其适用于高频电源转换器应用。负输入可低至 -10V，HS引脚能够承受显著的负电压，增强了系统的抗噪能力

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￥6.46
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￥5.29
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￥4.65
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￥3.6
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￥3.45

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型号：EG2124A 编号：C2856309

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

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￥2.66
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￥2.03
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￥1.75
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￥1.41
500+
￥1.34
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￥1.25

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型号：SCT52A40STER 编号：C41521227

封装：ESOP-8L

品牌：SCT(芯洲科技)

是宽电源、高频栅极驱动器，包括高端和低端驱动器，用于半桥、全桥和降压转换器中驱动分立 N 型 MOSFET。4A 峰值源电流和灌电流能力可提高功率转换器的功率效率。具有宽输入迟滞，与 TTL 低压逻辑兼容，能够处理低至-10V 的负输入，增加输入抗噪能力。在 HS 引脚上能够承受最大-18V 的电压，大大扩展了应用灵活性，以处理开关节点噪声。40ns 最小脉冲宽度使其适用于高频功率转换器应用。

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￥4.55
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￥3.68
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￥3.25
100+
￥2.82
500+
￥2.56
1000+
￥2.43

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型号：GBI7A56NMAR 编号：C49073985

封装：DFN-8L(4x4)

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

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￥6.6
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￥5.49
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￥4.88
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￥4.18
500+
￥3.88
1000+
￥3.74

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型号：LMG5200MOFT 编号：C527479

封装：QFN-9(6x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG5200 80V GaN 半桥功率级

数据手册

1+
￥77.74
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￥66.32
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￥59.36
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￥53.53

有货

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型号：GR3115 编号：C18164497

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

GR3115是一款高性价比的半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。

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￥0.7142
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￥0.5711
150+
￥0.4996
500+
￥0.4459
2500+
￥0.403
4000+
￥0.3816

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型号：LN4201SF-G 编号：C17701718

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集成自举二极管，电机驱动，专业高速吹风筒驱动

5+
￥1.63917 ￥1.8213
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￥1.27629 ￥1.4181
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￥1.12077 ￥1.2453
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￥0.92673 ￥1.0297
2500+
￥0.89073 ￥0.9897
4000+
￥0.8388 ￥0.932

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型号：LF2304NTR-JSM 编号：C17701713

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 LF2304N是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.169 ￥2.41
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￥1.926 ￥2.14
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￥1.809 ￥2.01
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￥1.683 ￥1.87
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￥1.611 ￥1.79
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￥1.575 ￥1.75

有货

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型号：EG2185 编号：C20416236

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2185是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2185高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN内建了一个250K下拉电阻，LIN内建了上拉5V高电位，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO+/- 4/4A，采用SOP8封装。

1+
￥2.71
10+
￥2.38
30+
￥2.22
100+
￥2.06
500+
￥1.96
1000+
￥1.91

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型号：DRV8874QPWPRQ1 编号：C22448174

封装：HTSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有N沟道H桥、电荷泵、电流感测和比例输出、电流调节和保护电路的集成电机驱动器。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提升效率。该器件系列具有引脚对引脚RDS(on)型号，只需对设计进行少量改动即可支持不同负载。IPROPI引脚上的内部电流镜架构实现电流感测和调节

数据手册

1+
￥9.6
10+
￥7.79
30+
￥6.79
100+
￥5.67
500+
￥5.17
1000+
￥4.94

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型号：GR2103 编号：C18164496

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

半桥驱动 GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。

5+
￥0.7249
50+
￥0.5809
150+
￥0.5089
500+
￥0.4549
2500+
￥0.4117
4000+
￥0.39

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型号：TF2003M-TR-JSM 编号：C7432830

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相桥驱动，高同低反，逻辑输出电平。

1+
￥1.332 ￥1.48
10+
￥1.305 ￥1.45
30+
￥1.287 ￥1.43
100+
￥1.26 ￥1.4

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型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

数据手册

5+
￥1.364
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￥1.0701
150+
￥0.9441
500+
￥0.7869
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

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型号：EG2124 编号：C2856308

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

5+
￥1.4241
50+
￥1.2351
150+
￥1.1541
500+
￥1.08
2500+
￥1.035
4000+
￥1.008

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型号：U2103S 编号：C17701705

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 U2103S是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥1.764 ￥1.96
10+
￥1.539 ￥1.71
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￥1.44 ￥1.6
100+
￥1.314 ￥1.46
500+
￥1.296 ￥1.44
1000+
￥1.26 ￥1.4

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型号：LM5109BMAX-JSM 编号：C7432827

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单向桥高低侧同向，高电压 LM5109B是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 LM5109B采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。

1+
￥2.975 ￥3.5
10+
￥2.2865 ￥2.69
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￥1.9975 ￥2.35
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.4705 ￥1.73
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￥1.3685 ￥1.61

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型号：EG2186 编号：C20416237

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V，低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-4/4A，采用SOP8 封装。

1+
￥3.19
10+
￥2.46
30+
￥2.15
100+
￥1.76
500+
￥1.67
1000+
￥1.57

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型号：ID7S625SBC-R1-JSM 编号：C7432832

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能,含自举二极管,带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.62
10+
￥4.54
30+
￥4
100+
￥3.47
500+
￥3.1
1000+
￥2.93

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型号：PCA9517DGKR 编号：C30348

封装：MSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

PCA9517 2 位电平转换 400kHz I2C/SMBus 缓冲器/中继器

数据手册

1+
￥15.03
10+
￥14.21
30+
￥13.72
100+
￥13.23
500+
￥13
1000+
￥12.9

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型号：AT7456ELAH 编号：C42388749

封装：LGA-16(4x6.8)

品牌：杭州中科微

集成了视频驱动器、同步分离器、视频分离开关以及EEPROM，提高了系统的集成度，有效降低了系统成本。采用符合NTSC和PAL制式的512个用户可编程字符，适合于全球市场。能够方便地以任意字符、尺寸显示各种信息，例如公司标识、常用图形、时间、日期等。预先装载了512个字符和图形，并可以通过SPI兼容串行接口进行在线编程。提供28引脚的HTSSOP封装以及16引脚的LGA封装，工作温度范围为 -40℃至 +85℃。