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DRV3245Q-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 1 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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型号：IR21364STRPBF 编号：C537592

封装：SOIC-28-300mil

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能，可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号，指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IR21363STRPBF 编号：C537591

封装：SOIC-28-300mil

高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可从外部电流检测电阻得出，用于终止所有六个输出。使能功能可同时终止所有六个输出。提供漏极开路FAULT信号，指示过流或欠压关断已发生。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络进行外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：DRV3256PEPAPRQ1 编号：C6935137

封装：HTQFP-64(10x10)

DRV3256-Q1 栅极驱动峰值灌电流为 2.5A 的集成式三相 48V 汽车栅极驱动器单元 (GDU)

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型号：TPS2813PWR 编号：C2677031

封装：TSSOP-8

TPS2813 具有一个反相驱动器、一个同相驱动器和内部稳压器的 2A/2A 双路栅极驱动器

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型号：DRV3245BQPHPRQ1 编号：C701774

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV3245Q-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 1 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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型号：1ED020I12FTA 编号：C530920

封装：DSO-20

1ED020I12FTA是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT驱动器，具有电气隔离功能，典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。电气隔离的数据传输通过集成的无芯变压器技术实现

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型号：NCP81258MNTBG 编号：C892859

封装：DFN-8-EP(2x2)

NCP81258 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小巧的 2 mm x 2 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测功能成就了高能效的方案，即使在轻负载条件下。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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型号：1EDN7126UXTSA1 编号：C6984478

封装：PG-TSNP-7-11

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

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型号：L6389EDTR 编号：C2677121

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧驱动器

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型号：1EDF5673F 编号：C530947

封装：DSO-16

CoolGaN™ 及类似的氮化镓（GaN）开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外，由于阈值电压较低且开关瞬态极快，可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求，但其开关动态特性存在占空比依赖性，且在特定情况下缺乏负栅极驱动

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型号：NCP51560BBDWR2G 编号：C5206715

封装：SOIC-16-300mil

NCP51560 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51560 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCV5703BDR2G 编号：C904650

封装：SOIC-8

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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型号：NCV51563CADWR2G 编号：C5209370

封装：SOIC-14-300mil

NCV51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A/9 A。它们专为快速开关以驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。

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型号：NCV51561BBDWR2G 编号：C5209112

封装：SOIC-16-300mil

NCV51561 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。NCV51561 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCP51563CADWR2G 编号：C5209372

封装：SOIC-16-WB

NCP51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51563 具有短且匹配的传播延迟

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型号：IR3553MTRPBF 编号：C386327

封装：QFN-25-EP(4x6)

IR3553集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET封装在一起。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在先进CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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型号：CSC3120 编号：C5250044

封装：SOP-16

品牌：无锡友达

电路是一款高耐压、高速的MOSFET栅极驱动器，专为超大输出功率的D类音频功率放大器应用而设计。采用灵活的开放式拓扑结构实现PWM调制。该产品具有双向过流检测与保护功能。该保护在没有任何外部采样电阻的情况下，感应负载正、负电流的过电流情况，并提供合适的过电流保护和可编程的复位定时。该产品内置死区时间控制模块，精确设置MOSFET栅极开关的死区时间，以获得极低的THD和更小的音频输出背景噪声。

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型号：YD7127 编号：C5250039

封装：SOP-16

品牌：无锡友达

一款高耐压、高速MOSFET栅极驱动器，专为超大输出功率的D类音频功率放大器应用而设计。具有双向过流检测与保护功能，该保护在没有任何外部采样电阻的情况下，感应负载正、负电流的过电流情况，并提供合适的过电流保护和可编程的复位定时。内置死区时间控制模块，精确设置MOSFET栅极开关的死区时间，以获得极低的THD和更小的音频输出背景噪声。

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型号：L6385ED013TR 编号：C111182

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：IMP3201ESA/T 编号：C72885

封装：SOP-8

品牌：IMP(日银IMP微电子)

600V，高压、高速 MOSFET和IGBT 驱动器

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型号：FAN7390MX 编号：C606093

封装：SOIC-8