半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.7325
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￥1.3696
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￥1.2141
500+
￥1.02
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￥0.9336

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.426 ￥7.14
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￥5.823 ￥6.47
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￥5.49 ￥6.1
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￥5.112 ￥5.68
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￥4.941 ￥5.49
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￥4.869 ￥5.41

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型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

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￥6.632 ￥8.29
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￥6.128 ￥7.66
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￥5.816 ￥7.27
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￥4.696 ￥5.87
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￥4.544 ￥5.68
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￥4.48 ￥5.6

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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

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￥22.29
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￥21.28
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￥20.69
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￥18.28

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型号：GHD1620T 编号：C53153131

封装：SOP-8

品牌：Geehy(极海半导体)

600耐压，集成自举二极管，单相2N栅极驱动器

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￥1.2123
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￥0.9603
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￥0.8523
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￥0.7175

有货

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型号：SS6209L-SO-TP 编号：C5370900

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

数据手册

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￥1.7487
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￥1.3707
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￥1.2087
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￥0.9166
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￥0.8625

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型号：NSG0462U 编号：C6274824

封装：SOP-16-150mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。

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￥0.857
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￥0.7485
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￥0.7019
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￥0.6438
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￥0.618
4000+
￥0.6025

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型号：IRS2103STRPBF-JSM 编号：C17701702

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2103S 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥3.64 ￥4.55
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￥2.944 ￥3.68
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￥2.256 ￥2.82
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￥2.048 ￥2.56
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￥1.944 ￥2.43

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型号：DOS21867 编号：C52140035

封装：SOIC-8

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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￥4.05
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￥3.28
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￥2.89
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￥2.51
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￥2.28

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型号：1EDN7116UXTSA1 编号：C6368849

封装：PG-TSNP-7-11

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

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￥5.28
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￥4.26
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￥3.75
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￥3.25
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￥2.95

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型号：IRS2183STRPBF-JSM 编号：C17701730

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥7.28
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￥5.418 ￥6.02
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￥4.797 ￥5.33
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￥4.095 ￥4.55
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￥3.78 ￥4.2
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￥3.645 ￥4.05

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型号：XJNG0461 编号：C48542890

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压，内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。

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￥1.0311
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￥0.7993
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￥0.6999
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￥0.576
2500+
￥0.5208

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型号：IR2136STRPBF-HX 编号：C51934037

封装：SOIC-28

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

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￥3.816 ￥4.24
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￥3.033 ￥3.37
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￥2.034 ￥2.26
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￥1.908 ￥2.12

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型号：1EDI20I12MF 编号：C533016

封装：DSO-8

特性：单通道隔离IGBT驱动器。适用于600 V/1200 V IGBT。轨到轨输出典型峰值电流高达6 A。有源米勒钳位。电流隔离无芯变压器驱动器

数据手册

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￥7.97
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￥6.67
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￥5.95
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￥5.15

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型号：DRV8705SQRHBRQ1 编号：C3681095

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

数据手册

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￥11.21
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￥10.95
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￥10.78

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型号：DRV8343HPHPRQ1 编号：C2150745

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

数据手册

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￥32.99
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￥28.37
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￥25.56

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型号：DOS2101 编号：C52140042

封装：SOIC-8

高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。

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￥1.7325
50+
￥1.3696
150+
￥1.2141
500+
￥1.02

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型号：1EDN7550B 编号：C533029

封装：SOT-23-6

EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路，逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制，完全独立于驱动器的参考（接地）电位。这消除了误触发的风险，因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势，这是采用 4 引脚封装（开尔文源极连接）、高寄生 PCB 电感（长距离、单层 PCB）、双极栅极驱动的系统常见的问题

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￥4.28
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￥3.44
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￥3.03
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￥2.61

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型号：A6387DTR 编号：C2970984

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高低侧驱动器，用于汽车应用

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1+
￥15.15
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￥12.87
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￥11.43

有货

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型号：DOS2186 编号：C52140038

封装：SOIC-8

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

1+
￥4.05
10+
￥3.28
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￥2.89
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￥2.51

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型号：FAN7191MX-F085 编号：C604977

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7191_F085 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。

数据手册

1+
￥14.6325 ￥19.51
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￥10.8225 ￥16.65
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￥6.71 ￥12.2
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￥6.512 ￥11.84

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型号：DRV8340HPHPRQ1 编号：C2150486

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥18.25
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￥17.82
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￥17.54

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型号：NCP51561DADWR2G 编号：C5206740

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

数据手册

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￥27.51
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￥24.09
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￥22.06

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型号：NSG0360 编号：C41416011

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0360是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达30V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。

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￥1.1334
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￥0.7857
500+
￥0.6555

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型号：DOS2104 编号：C52140040

封装：SOIC-8

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

5+
￥1.7325
50+
￥1.3696
150+
￥1.2141

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型号：SS6208L 编号：C3345074

封装：DFN-8(3x3)

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

数据手册

1+
￥3.47
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￥2.74
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￥2.43
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￥2.05
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￥1.79
1000+
￥1.68

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型号：1EDI30I12MFXUMA1 编号：C17183214

封装：SOIC-8

1EDIxxI12MF 是采用 DSO - 8 窄体封装的单通道电气隔离式栅极驱动器，可提供高达 6.2 A 的输出电流，还集成了具有相同额定电流的有源米勒钳位电路，以防止寄生导通。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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￥10.87
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￥9.16
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￥8.1
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￥7.01

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型号：MC33153PG 编号：C603253

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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1+
￥11.26
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￥9.59
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￥8.2

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型号：DRV8340SPHPRQ1 编号：C2150485

封装：HTQFP-48(7x7)