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NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCV51563CADWR2G 编号：C5209370

封装：SOIC-14-300mil

NCV51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A/9 A。它们专为快速开关以驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。

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型号：NCV51561BBDWR2G 编号：C5209112

封装：SOIC-16-300mil

NCV51561 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关而设计。NCV51561 具有较短且匹配的传播延迟

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型号：NCP51563CADWR2G 编号：C5209372

封装：SOIC-16-WB

NCP51563 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51563 具有短且匹配的传播延迟

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型号：IR21363STRPBF 编号：C537591

封装：SOIC-28-300mil

高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可从外部电流检测电阻得出，用于终止所有六个输出。使能功能可同时终止所有六个输出。提供漏极开路FAULT信号，指示过流或欠压关断已发生。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络进行外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IRS2109STRPBF 编号：C538270

封装：SOIC-8

IRS2109/IRS21094 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V

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型号：ISL6625ACRZ-T 编号：C2677223

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频MOSFET驱动器，用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动上下功率N沟道MOSFET。上下栅极均驱动至外部施加的电压，具备优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用的能力。集成了先进的自适应直通保护，以防止上下MOSFET同时导通并最小化死区时间。具有过压保护功能，当VCC低于POR阈值时仍可工作。

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型号：1EDN7116UXTSA1 编号：C6368849

封装：-

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

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￥5.07
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型号：IRS2304STRPBF 编号：C82060

封装：SOIC-8

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：L6385ED013TR 编号：C111182

封装：SO-8

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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单价：
￥6.652884 / 个

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型号：FAN7390MX 编号：C606093

封装：SOIC-8

FAN7390 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于 PDP 保持脉冲驱动器、电机驱动器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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￥5.6943
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型号：IRS21091STRPBF 编号：C538264

封装：SOIC-8

IRS21091是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥8.905
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型号：IR21364STRPBF 编号：C537592

封装：SOIC-28-300mil

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能，可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号，指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：LMG3411R050RWHR 编号：C1857505

封装：VQFN-32-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN

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￥62.06 / 个

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型号：IMP3201ESA/T 编号：C72885

封装：SOP-8

品牌：IMP(日银IMP微电子)

600V，高压、高速 MOSFET和IGBT 驱动器

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型号：L6498LD 编号：C1549565

封装：SO-14

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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￥6.861155 / 个

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型号：L6385ED 编号：C2970832

封装：SOIC-8

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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￥8.84
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￥7.34
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￥4.98

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型号：L6399DTR 编号：C2677082

封装：SOP-8

高压高侧和低侧驱动器

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1+
￥10.82
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￥9.04
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￥8.07
100+
￥6.67
500+
￥6.18
1000+
￥5.96

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型号：L6386ED 编号：C157414

封装：SO-14

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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￥11.59093 / 个

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型号：FAN7391MX 编号：C604980

封装：SOIC-14

FAN7391 是单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 V

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￥6.9
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￥6.38
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型号：TD310ID 编号：C222146

封装：SO-16

带电流感应的三IGBT/MOS驱动器

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单价：
￥14.516796 / 个

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型号：L6498D 编号：C2970059

封装：SOIC-8

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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单价：
￥13.27893 / 个

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型号：NCP51561BBDWR2G 编号：C5206739

封装：SOIC-16-300mil

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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单价：
￥12.347964 / 个

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型号：IR21531PBF 编号：C2984

封装：PDIP-8