半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

该产品是一款连续电压100V、脉冲电压120V的氮化镓（GaN）场效应管（FET），集成了驱动器。有两种导通电阻（Rds(on)）和最大电流的变体。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，并且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小。驱动器和GaN FET安装在一个完全无键合线的封装平台上，可最大限度地减少封装寄生元件

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￥107.21
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￥101.99
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型号：DOS2186 编号：C52140038

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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￥2.28
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型号：SS6208L 编号：C3345074

封装：DFN-8(3x3)

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

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￥3.47
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￥2.74
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￥2.05
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型号：NCV5703CDR2G 编号：C904651

封装：SOIC-8

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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￥10.3776 ￥11.04
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￥9.072 ￥10.8
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￥7.8736 ￥10.64
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￥7.7552 ￥10.48

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型号：A6387DTR 编号：C2970984

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高低侧驱动器，用于汽车应用

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￥15.15
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￥12.87
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型号：DRV8343HPHPRQ1 编号：C2150745

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8343-Q1 具有电流分流放大器的汽车类 12V 至 24V 电池三相智能栅极驱动器

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型号：1ED020I12FTA 编号：C530920

封装：DSO-20

1ED020I12FTA是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT驱动器，具有电气隔离功能，典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。电气隔离的数据传输通过集成的无芯变压器技术实现

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￥76.04
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￥72.2
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型号：NSG0360 编号：C41416011

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0360是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达30V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。

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￥0.56544 ￥0.5952
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￥0.552235 ￥0.5813
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￥0.534565 ￥0.5627

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型号：DOS2104 编号：C52140040

封装：SOIC-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥0.9302
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型号：1EDN7126UXTSA1 编号：C6984478

封装：-

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

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￥5.85
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￥4.68
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￥4.09

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型号：1EDI30I12MFXUMA1 编号：C17183214

封装：SOIC-8

1EDIxxI12MF 是采用 DSO - 8 窄体封装的单通道电气隔离式栅极驱动器，可提供高达 6.2 A 的输出电流，还集成了具有相同额定电流的有源米勒钳位电路，以防止寄生导通。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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￥10.56
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型号：MC33153PG 编号：C603253

封装：PDIP-8

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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￥11.26
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￥9.59
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型号：DRV8340HPHPRQ1 编号：C2150486

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器

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￥18.25
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型号：DRV8340SPHPRQ1 编号：C2150485

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV8340-Q1 汽车类 12V 至 24V 三相智能栅极驱动器

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￥23
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￥22.45
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型号：NCP303150MNTWG 编号：C892344

封装：PQFN-39(5x6)

集成式驱动器和 MOSFET，带集成式电流监控器

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￥27.63
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型号：DRV3245AQPHPRQ1 编号：C2150736

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV3245Q-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 1 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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￥123.96
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型号：IRS2005SPBF 编号：C1549355

封装：SOIC-8

是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达200V。传播延迟匹配，简化了HVIC在高频应用中的使用。

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￥7.89
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￥6.55
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￥5.81

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型号：1EDF5673F 编号：C530947

封装：DSO-16

CoolGaN™ 及类似的氮化镓（GaN）开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外，由于阈值电压较低且开关瞬态极快，可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求，但其开关动态特性存在占空比依赖性，且在特定情况下缺乏负栅极驱动

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￥11.22
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型号：L6386AD 编号：C1549500

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：NCP51560BBDWR2G 编号：C5206715

封装：SOIC-16-300mil

NCP51560 是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为 4.5 A 和 9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率 MOSFET 和碳化硅（SiC）MOSFET 功率开关。NCP51560 具有较短且匹配的传播延迟

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￥16.09
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￥15.72
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型号：UCC27211AQDRQ1 编号：C41699701

封装：SOIC-8

驱动器相比其他产品具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至3.7A拉电流和4.5A灌电流，因此可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC电压，这提高了器件的稳健性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外，输入还独立于电源电压，且具有20V的最大额定值

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￥17.42
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￥16.99
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型号：TPS2813PWR 编号：C2677031

封装：TSSOP-8

TPS2813 具有一个反相驱动器、一个同相驱动器和内部稳压器的 2A/2A 双路栅极驱动器

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￥23.92
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￥21.14
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型号：DRV3245BQPHPRQ1 编号：C701774

封装：HTQFP-48(7x7)

DRV3245Q-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 1 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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￥68.79
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￥62.36
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￥60.03

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型号：NCP81258MNTBG 编号：C892859

封装：DFN-8-EP(2x2)

NCP81258 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小巧的 2 mm x 2 mm 封装，经过优化，可驱动同步降压转换器中的高压侧和低压侧功率 MOSFET。零电流检测功能成就了高能效的方案，即使在轻负载条件下。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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1+
￥2.74
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￥2.68
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￥2.64

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型号：IRS2108STRPBF 编号：C538261

封装：SOIC-8

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HViC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥4.68
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￥4.56
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￥4.48

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型号：L6389EDTR 编号：C2677121

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧驱动器

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￥9.36
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￥9.14
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￥9

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型号：IRS2304PBF 编号：C538317

封装：PDIP-8

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥10.04
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￥9.89

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型号：NCV5703BDR2G 编号：C904650

封装：SOIC-8

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

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￥20.82
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￥20.34
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￥20.02

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型号：NCP51561BADWR2G 编号：C5206738

封装：SOIC-16-300mil