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LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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型号：NCP5109AMNTWG 编号：C603745

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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型号：DRV8350HRTVR 编号：C2150774

封装：WQFN-32-EP(5x5)

DRV8350 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

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型号：BDR2L00 编号：C5371998

封装：DFN-8

品牌：巴丁微

是一款驱动双NMOS的栅极驱动器，工作电压范围宽，内部集成自适应死区控制电路，具有欠压保护功能。

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型号：1ED3321MC12NXUMA1 编号：C17453854

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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型号：ISG3202LA 编号：C41417827

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装，包含两个高性能增强型GaN FET、驱动器、栅极电阻和驱动器电源电容，提供紧凑高效的GaN电源解决方案。提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化EMI和效率。内置全面的故障保护，包括有源自举（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压；VCC和BST的独立欠压和过压保护；以及过温保护。具有快速传播延迟、出色的延迟匹配、卓越的dv/dt抗扰度和超低的封装内寄生电感环路，使设计人员能够大幅提高功率密度和效率。

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型号：HG6288LQ/TR 编号：C49518603

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HGSEMI(华冠)

三相 250V 栅极驱动器

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￥3.41
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型号：DOS2181 编号：C52140036

封装：SOIC-8

700V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：DRV8353SRTAT 编号：C2150480

封装：WQFN-40-EP(6x6)

DRV8353 具有电流分流放大器的最大 102V 三相智能栅极驱动器

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型号：BP6830 编号：C7498955

封装：SOP-16

三相高速功率MOSFET驱动器

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￥2.184 ￥2.73
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型号：NSG0462UQ 编号：C41414784

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。此外，采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。为PMOS和NMOS输出10V门电源电压，为了简化PCB设计，集成了一个5V/40mA的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑，还集成了热关闭保护。

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￥0.879415 ￥0.9257
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型号：DOS2304 编号：C52140034

封装：SOIC-8

高压、高速功率MOSFET驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至3.3V

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￥2.65
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型号：DOS2103 编号：C52140043

封装：SOIC-8

高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.426 ￥7.14
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型号：IR2183STRPBF-JSM 编号：C17701720

封装：SOP-8

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.98
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型号：SS6209L-SO-TP 编号：C5370900

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

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型号：NSG0462U 编号：C6274824

封装：SOP-16-150mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。

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￥0.81415 ￥0.857
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￥0.711075 ￥0.7485
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￥0.666805 ￥0.7019
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￥0.572375 ￥0.6025

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型号：TD310IDT 编号：C501103

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

带电流感应的三IGBT/MOS驱动器

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￥35.14
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￥27.3

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型号：IRS2103STRPBF-JSM 编号：C17701702

封装：SOP-8

IRS2103S 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.968 ￥2.46
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￥1.92 ￥2.4
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￥1.856 ￥2.32

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型号：DOS21867 编号：C52140035

封装：SOIC-8

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电的应用场景

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￥4.05
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￥3.28
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￥2.89
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￥2.51
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型号：IRS2183STRPBF-JSM 编号：C17701730

封装：SOP-8

单相,SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥7.28
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￥5.418 ￥6.02
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￥4.095 ￥4.55
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￥3.78 ￥4.2
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￥3.645 ￥4.05

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型号：DRV8328ARUYR 编号：C3681415

封装：WQFN-28(4x4)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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￥11.34
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￥9.57
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型号：ISL95808HRZ-T 编号：C964602

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频双MOSFET驱动器，具有低关断电流，经过优化可在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET。特别适用于需要高效率和出色热性能的移动计算应用。该驱动器与多相降压PWM控制器结合，可为高级移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案。低侧栅极驱动器典型灌电流为4A，此电流能够在相节点上升沿期间保持低侧MOSFET栅极关断，防止因相电压高dv/dt引起的直通功率损耗。工作电压与移动计算机电源中常用MOSFET的30V击穿电压相匹配。还具有三态PWM输入，与多相PWM控制器配合使用可防止CPU关机期间出现负电压输出，此功能可省去微处理器电源系统中常见的保护肖特基二极管

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￥2.3461
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￥2.1356
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￥1.873

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型号：IR2136STRPBF-HX 编号：C51934037

封装：SOIC-28

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

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￥3.816 ￥4.24
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￥3.033 ￥3.37
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￥2.646 ￥2.94
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￥2.259 ￥2.51
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￥2.034 ￥2.26
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￥1.908 ￥2.12

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型号：1EDN7550B 编号：C533029

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路，逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制，完全独立于驱动器的参考（接地）电位。这消除了误触发的风险，因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势，这是采用 4 引脚封装（开尔文源极连接）、高寄生 PCB 电感（长距离、单层 PCB）、双极栅极驱动的系统常见的问题

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型号：DRV8705SQRHBRQ1 编号：C3681095

封装：VQFN-32(5x5)