半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

数据手册

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￥3.31
10+
￥2.57
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￥2.26
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￥1.86
500+
￥1.62
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￥1.52

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

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￥35.52
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￥30.77
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￥27.87
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￥25.44

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型号：UCC27282DR-JSM 编号：C19673777

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V，死区时间：250ns，半桥式驱动器电机驱动

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￥3.44 ￥4.3
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￥2.744 ￥3.43
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￥2.4 ￥3
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￥2.056 ￥2.57
500+
￥1.984 ￥2.48
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￥1.872 ￥2.34

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型号：FAN73932MX-JSM 编号：C7466371

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

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￥6.341 ￥7.46
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￥5.2105 ￥6.13
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￥4.59 ￥5.4
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￥3.8845 ￥4.57
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￥3.825 ￥4.5
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￥3.6805 ￥4.33

有货

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型号：IR21844STRPBF-JSM 编号：C7498952

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥8.09
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￥6.65
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￥5.86
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￥4.96
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￥4.86
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￥4.68

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型号：6EDL04I06PT-JSM 编号：C17701726

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥5.176 ￥6.47
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￥4.192 ￥5.24
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￥3.704 ￥4.63
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￥3.112 ￥3.89
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￥2.824 ￥3.53
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￥2.672 ￥3.34

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型号：IR2104STRPBF-JSM 编号：C5804631

封装：SOIC-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥2.394 ￥2.52
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￥1.8525 ￥1.95
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￥1.615 ￥1.7
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￥1.33 ￥1.4
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￥1.2445 ￥1.31
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￥1.1685 ￥1.23

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型号：FAN7391MX-JSM 编号：C7498991

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.176 ￥6.47
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￥4.672 ￥5.84
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￥4.4 ￥5.5
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￥4.088 ￥5.11
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￥3.944 ￥4.93
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￥3.88 ￥4.85

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型号：FAN7392MX-JSM 编号：C7498958

封装：SOP-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥6.656 ￥8.32
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￥5.504 ￥6.88
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￥4.872 ￥6.09
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￥4.16 ￥5.2
500+
￥3.84 ￥4.8
1000+
￥3.696 ￥4.62

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型号：SDH21263TR 编号：C7466375

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥1.02222 ￥1.1358
50+
￥0.79542 ￥0.8838
150+
￥0.69822 ￥0.7758
500+
￥0.57699 ￥0.6411
2500+
￥0.55899 ￥0.6211
4000+
￥0.52659 ￥0.5851

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型号：DRV8718SQRVJRQ1 编号：C3019561

封装：HVQFN-56-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8718-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、8 通道半桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥15.1
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￥12.75
30+
￥11.29
100+
￥9.78
500+
￥9.1
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￥8.81

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型号：FAN7383MX 编号：C890850

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7383是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路使高端栅极驱动器运行偏置电压高达VS = -9.8V（典型值），当VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥4.81 ￥7.4
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￥3.696 ￥6.72
30+
￥2.8575 ￥6.35
100+
￥2.6685 ￥5.93
500+
￥2.583 ￥5.74
1000+
￥2.547 ￥5.66

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型号：2EDF7275K 编号：C2677063

封装：TFLGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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1+
￥8.98
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￥7.36
30+
￥6.47
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￥5.47
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