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NCP5901 是一款高性能双 MOSFET 驱动器，经过优化，可驱动同步降压转换器的高压侧和低压侧电源 MOSFET 门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。在 OVP 下检测到门极驱动器故障、发生 UVLO 时，双向 EN 引脚能够向控制器提供故障信号。另外，当电源电压低时，欠压锁定功能保证了输出为低电平。

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单价：
￥1.1988 / 个

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型号：NCP81080MNTBG 编号：C603806

封装：DFN-8(2x2)

NCP81080是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动半桥N沟道MOSFET而优化。NCP81080采用自举技术，确保高端功率开关的正常驱动。高浮动顶部驱动器设计可承受高达180 V的HB电压。

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单价：
￥4.16328 / 个

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型号：NCP81080DR2G 编号：C603805

封装：SOIC-8

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￥4.93
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￥4.82
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￥4.76
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￥4.69

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型号：IRS21091STRPBF 编号：C538264

封装：SOIC-8

IRS21091是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥8.905
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￥8.22
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￥8.083
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￥7.809
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￥7.672

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型号：IR2111PBF 编号：C371087

封装：PDIP-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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￥49.116896
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￥42.375362
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￥39.004594

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型号：NCP5111DR2G 编号：C184093

封装：SOIC-8

NCP5111 是一款高电压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。

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10+
￥3.84426
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￥3.70188
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￥3.41712
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￥3.27474
2000+
￥3.189312

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型号：IRS2183STRPBF 编号：C538305

封装：SOIC-8

IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。

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1+
￥8.177
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￥7.548
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￥7.4222
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￥7.1706
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￥7.0448

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型号：MCP14A0152T-E/CH 编号：C625309

封装：SOT-23-6

高速MOSFET驱动器能够在单4.5V至18V电源供电下提供高达1.5A的峰值电流。反相（MCP14A0151）或同相（MCP14A0152）单通道输出可直接由TTL或CMOS（2V至18V）逻辑控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟等特性，使其非常适合高开关频率应用。MCP14A0151/2系列器件通过使能功能提供增强的控制。高电平有效的使能引脚可以拉低，以使MCP14A0151/2的输出为低电平，而与输入引脚的状态无关。集成的上拉电阻允许用户在标准操作时让使能引脚浮空。此外，MCP14A0151/2器件具有独立的接地引脚（A_GND和GND），可在对电平敏感的输入/使能引脚与推挽输出级的快速大电流转换之间实现更好的噪声隔离。这些器件在其功率和电压额定值范围内的任何条件下都具有很高的抗闩锁能力。它们可以承受高达500 mA的反向电流倒灌到其输出端，而不会损坏或导致逻辑混乱。所有引脚都具有高达1.75 kV（HBM）和200V（MM）的静电放电（ESD）保护。

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￥6.776
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￥6.655
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￥6.534

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型号：MIC4604YM-TR 编号：C628050

封装：SOIC-8

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有39 ns的快速传播延迟时间和20 ns的驱动上升/下降时间（针对1 nF电容负载）。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制，具有TTL输入阈值，包含一个高压内部二极管，有助于对高侧栅极驱动自举电容充电。一款强大、高速且低功耗的电平转换器可向高侧输出提供清晰的电平转换。其稳定的操作确保输出不受电源干扰、HS低于地电位的振铃或HS高速电压转换的影响。低侧和高侧驱动器均具备欠压保护功能。有8引脚SOIC封装和10引脚2.5 mm × 2.5 mm TDFN封装两种类型，两种封装的工作结温范围均为 -40°C至 +125°C。

10+
￥4.32332
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￥4.24878
30+
￥4.17424

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型号：MCP14628-E/SN 编号：C220795

封装：SOIC-8

MCP14628是一款双MOSFET栅极驱动器，专为在非隔离同步降压转换器拓扑中优化驱动两个N沟道MOSFET而设计。MCP14628通常能够从高端和低端驱动器提供2A的峰值电流，是缺乏集成栅极驱动器的降压控制器的理想搭档。此外，该器件允许将栅极驱动器靠近功率MOSFET放置，从而提供了更高的设计灵活性

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￥14.03
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￥13.43
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￥13.04
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￥12.65

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型号：NCV5104DR2G 编号：C603953

封装：SOIC-8

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单价：
￥7.42764 / 个

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型号：MCP14A0303T-E/MS 编号：C627001

封装：MSOP-8

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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100+
￥8.4112
200+
￥8.261
500+
￥8.1108

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型号：MCP14A0305T-E/SN 编号：C622967

封装：SOIC-8

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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￥8.4112
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￥8.261
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￥8.1108

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型号：MCP14A0304-E/SN 编号：C635858

封装：SOIC-8

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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型号：NCP81253MNTBG 编号：C424480

封装：DFN-8-EP(2x2)

NCP81253 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小型 2 mm x 2 mm 封装，经优化适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。可通过三态 PWM 和 EN 输入将驱动器输出置于高阻抗状态。NCP81253 带有集成的升压二极管，以最大程度减少外部部件的数量。电源电压较低时，VCC UVLO 功能可保证低输出。

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10+
￥2.2035
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￥1.99332
500+
￥1.823223
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￥1.786758

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型号：MCP14A0304-E/MS 编号：C635857

封装：MSOP-8

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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1+
￥22.25
10+
￥19.48
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￥17.75
100+
￥15.97
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￥15.17
1000+
￥14.82

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型号：MCP14A0305-E/SN 编号：C635860

封装：SOIC-8

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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￥8.4112
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￥8.261
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￥8.1108

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型号：FAN7080MX-GF085 编号：C457807

封装：SOIC-8

FAN7080_GF085 是一款半桥门极驱动集成电路，带重置输入和可调停滞时间控制。它适用于 MOSFET 或 IGBT 的高电压和高速驱动，最高运行电压为 600V。安森美半导体的高压工艺和共模干扰抑制技术为高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰环境下提供稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -5 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。结合停滞时间调整和重置关断的引脚功能，使该集成电路采用节省空间的 SOIC-8 封装中。输出驱动器的最小源和汲电流功能分别为 250mA 和 500mA，适用于电机驱动系统中的接线盒应用和半桥、全桥应用。

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单价：
￥8.27544 / 个

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型号：MAX15013AASA+T 编号：C2677247

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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1+
￥31.9677
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￥30.6682
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￥29.8885
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￥29.1088
500+
￥28.589

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型号：MCP14700-E/MF 编号：C220821

封装：TDFN-8-EP(3x3)

是一款高速同步MOSFET驱动器，旨在优化驱动高端和低端N沟道MOSFET。特别适合驱动低FOM MOSFET，包括Microchip的MCP87000系列高速MOSFET。有两个PWM输入，允许独立控制外部N沟道MOSFET。

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100+
￥15.9488
200+
￥15.664
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￥15.3792

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型号：STGAP2SICSANCTR 编号：C27164388

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

单价：
￥6.79251 / 个

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型号：IR2113SPBF 编号：C537556

封装：SOIC-16-300mil

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥26.45
10+
￥26.11
30+
￥25.88
100+
￥25.65

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型号：STGAP2HDMTR 编号：C5267706

封装：BSOP-32-300mil

品牌：ST(意法半导体)

电气隔离4 A双重栅极驱动器

单价：
￥30.834125 / 个

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型号：NCP51705MNTXG 编号：C603753

封装：QFN-24-EP(4x4)