半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

集成自举二极管专业高速吹风筒驱动电源电压：10V~20V 高压650V 峰值灌电流：0.6A 峰值拉电流：1A 电机驱动 40°C ~125°C

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￥0.586815 ￥0.6177
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￥0.395295 ￥0.4161
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￥0.31122 ￥0.3276

有货

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型号：FAN73932MX-JSM 编号：C7466371

封装：SOP-8

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

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￥6.29 ￥7.4
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￥4.539 ￥5.34
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￥3.8335 ￥4.51
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￥3.774 ￥4.44
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￥3.638 ￥4.28

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

数据手册

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￥37.25
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￥32.41
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￥29.46
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￥26.98

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型号：IR21844STRPBF-JSM 编号：C7498952

封装：SOP-14

单相,大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥7.218 ￥8.02
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￥5.922 ￥6.58
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￥5.211 ￥5.79
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￥4.41 ￥4.9
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￥4.32 ￥4.8
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￥4.158 ￥4.62

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型号：DRV8908QPWPRQ1 编号：C3655456

封装：HTSSOP-24

DRV8908-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、8 通道半桥电机驱动器

数据手册

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￥9.23
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￥8.48
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￥7.52
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型号：UCC27282DR-JSM 编号：C19673777

封装：SOP-8

250V，死区时间：250ns，半桥式驱动器电机驱动

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￥3.424 ￥4.28
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￥2.728 ￥3.41
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￥2.384 ￥2.98
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￥2.04 ￥2.55
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￥1.968 ￥2.46
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￥1.856 ￥2.32

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型号：FAN7391MX-JSM 编号：C7498991

封装：SOP-14

驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~20V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A/4A、单相700V 半桥栅极驱动器 -40 to 125 MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.136 ￥6.42
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￥4.632 ￥5.79
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￥4.36 ￥5.45
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￥4.04 ￥5.05
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￥3.904 ￥4.88
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￥3.84 ￥4.8

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型号：6EDL04I06PT-JSM 编号：C17701726

封装：SOP-28-300mil

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥5.16 ￥6.45
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￥4.168 ￥5.21
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￥3.68 ￥4.6
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￥3.088 ￥3.86
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￥2.8 ￥3.5
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￥2.648 ￥3.31

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型号：FAN7392MX-JSM 编号：C7498958

封装：SOP-16-300mil

单相, SD功能,大电流,高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.552 ￥8.19
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￥5.4 ￥6.75
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￥4.048 ￥5.06
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￥3.584 ￥4.48

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型号：IR2104STRPBF-JSM 编号：C5804631

封装：SOIC-8

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥1.821055 ￥1.9169
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￥1.40733 ￥1.4814
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￥1.23006 ￥1.2948
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￥1.046805 ￥1.1019
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￥0.948385 ￥0.9983
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￥0.8892 ￥0.936

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型号：EG2133 编号：C190343

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片，配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用TSSOP20封装。

数据手册

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￥3.31
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￥2.57
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￥2.26
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￥1.86
500+
￥1.62
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￥1.52

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型号：DRV8718SQRVJRQ1 编号：C3019561

封装：HVQFN-56-EP(8x8)

DRV8718-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、8 通道半桥智能栅极驱动器

数据手册

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￥13.86
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￥11.64
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￥10.25
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￥8.82
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￥8.18
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￥7.9

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型号：DRV8702DQRHBRQ1 编号：C1848377

封装：VQFN-32-EP(5x5)

DRV8702D-Q1 汽车类 47V 半桥智能栅极驱动器

数据手册

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￥12.5
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￥10.79
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￥9.72
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￥8.62
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￥8.13
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￥7.92

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型号：TLE94108ES 编号：C7602527

封装：PG-TSDSO-24

TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载

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￥10.06
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￥9.16
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￥8.59
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￥8.01
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￥7.75
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￥7.64

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型号：TLF11251LDXUMA1 编号：C3655009

封装：TSON-10

是一个具有集成驱动器和电平转换器的2.5 A半桥。它还在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成，以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。该器件集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑，并确保其在指定范围内的电源电压下运行。

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￥14.97
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￥12.56
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￥11.05
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￥9.5
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￥8.81

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

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￥29.82
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￥25.8
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￥23.41
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￥19.5
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￥18.38
1000+
￥17.88

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型号：TF21364M-TR 编号：C17701729

封装：SOP-28-300mil

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

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￥9.18 ￥10.8
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￥7.7435 ￥9.11
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￥6.851 ￥8.06
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￥5.933 ￥6.98
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￥5.5165 ￥6.49
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￥5.338 ￥6.28

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型号：NSG2153D 编号：C46473165

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥2.56
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￥2.25
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￥2.12
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￥1.95
500+
￥1.87
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￥1.83

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型号：2EDF7275K 编号：C2677063

封装：TFLGA-13

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

数据手册

1+
￥9.53
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￥7.99
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￥7.03
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￥6.05
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￥5.6

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

数据手册

1+
￥37.86
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￥33.63
30+
￥31.11
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￥28.57

有货

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型号：SDH21263TR 编号：C7466375

封装：SOP-8

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

5+
￥1.02222 ￥1.1358
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￥0.79542 ￥0.8838
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￥0.69822 ￥0.7758
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￥0.57699 ￥0.6411
2500+
￥0.55899 ￥0.6211
4000+
￥0.52659 ￥0.5851

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型号：IRS2104STRPBF-JSM 编号：C5804630

封装：SOP-8

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

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￥1.296845 ￥1.5257
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￥1.138235 ￥1.3391
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￥1.070235 ￥1.2591
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￥0.985405 ￥1.1593
2500+
￥0.947665 ￥1.1149
4000+
￥0.925055 ￥1.0883

有货

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型号：TF2184M-TR 编号：C7466370

封装：SOP-8

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

1+
￥5.1255 ￥6.03
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￥4.6155 ￥5.43
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￥4.335 ￥5.1
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￥4.0205 ￥4.73
500+
￥3.876 ￥4.56
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￥3.808 ￥4.48

有货

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型号：FAN7384MX 编号：C890851

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7384是单片半桥栅极驱动IC，设计用于高压、高速驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器能承受高达VS = -9.8V（典型值）的偏置电压，在VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥7.91
10+
￥7.12
30+
￥6.63
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￥6.13
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￥5.9
1000+
￥5.8

有货

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型号：MP6536DU-LF-Z 编号：C3655732

封装：QFN-40(5x5)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，25V~48V供电，4A~6A方案，

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￥22.2836
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￥19.0885
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￥18.1054
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￥15.4019
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￥11.7153
3000+
￥11.4695

有货

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型号：IRS21864STRPBF-JSM 编号：C7498989

封装：SOP-14